反冲质子望远镜效率计算中的相对论修正

反冲质子望远镜和伴随粒子法是绝对测量14 MeV单能快中子通量的两种独立的方法,在高压倍加器上利用T(d,n)~4He反应可以获得14 McV单能快中子。反冲质子望远镜是通过中子入射在聚乙烯辐射体上产生反冲质子,用记录反冲质子数来确定中子通量的,而伴随粒子法则是通过记录α粒子数来测定中子通量。随着14 MeV单能快中子的应用越     

测量D(d,n)中子通量两种方法的校对

D(d,n)~3He反应是加速器上常用的中子源。在静电加速器上提供E_n=1.7～5.6MeV的中子,其中子通量用半导体望远镜测量;在高压倍加器上提供E_n=2～3MeV的中子,其中子通量可以用竞争反应的伴随粒子法测量。为了校核两种方法测量中子通量的可靠性,我们在高压倍加器上,E_d=250keV时,同时采用两种方法进行测量。经过反复校对数次,表明两种方法测得的结果在误差范围内一致,从而为进一步测量这段能区的(n,γ),(n,n’)和(n,x)截面以及刻度剂量仪表等工作提供了可靠的中子通量测量方法。     

14.8 MeV中子诱发78Kr(n,2n)77Kr反应截面的测量

快中子诱发(n,2n)反应截面的测量在核反应机制研究和核技术应用等方面有着广泛的应用价值。本文在中国原子能科学研究院的高压倍加器上,基于活化法实验测量了78Kr(n,2n)77Kr在148 MeV能点的反应截面。样品靶为高纯78Kr气体样品,用十万分之一天平称重得到78Kr的质量,将两片高纯93Nb薄片分别固定在样品靶两侧以监测中子注量率。利用T(d,n)4He反应产生148 MeV中子,轰击距中子源约10 cm的样品靶大于4 h后,用准确刻度过效率的HPGe探测器测量活化产物 77Kr和92Nbm的活度。利用蒙特卡罗程序计算中子注量率修正、样品自吸收修正、样品几何修正等因子,得到了78Kr(n,2n)77Kr的反应截面,并将结果与文献值和评价数据库进行了比较。研究结果有助于提高78Kr(n, 2n)77Kr反应截面测量和评价的水平。     

单能快中子参考辐射场的建立

中子参考辐射场是中子计量不可缺少的条件。它主要用于确定各种中子测量仪表的能量响应特性。 本工作按ISO8529-1的要求,利用SSDH-2型串列加速器,加速不同能量的质子和氘打到靶上,通过~7Li(P,n)~7Be,D(d,n)~3He和T(d,n)~4He核反应产生从100keV～19MeV的单能快中子。利用己研制的中子注量测量标准装置,准确测量某一点的中子注量,同时仔细研究不同核反应、不同位置散射中子的贡献,即可准确进行各种中子测量仪表响应的校准和能量响应的研究。     

0．5～3．0MeV^71Ga和^180Hf相对^197Au的中子俘获截面比值的测量

在5SDH-2串列加速器和600 kV高压倍加器上完成了71Ga和180Hf相对197Au的中子俘获截面比值的测量。0.5～2.0 MeV中子在5SDH-2串列加速器上用T(p,n)反应产生,3.0 MeV中子在600 kV高压倍加器上用D(d,n)反应产生。本工作采用活化技术。 样品为金属圆片或将压实粉末放在薄壁的塑料盒     

ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱的初步测定

本文介绍了兰州大学现代物理系的ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱测量的结果。用 FJ-377型热释光剂量仪测量了中子发生器运行过程中 X、γ射线照射量率分布;用 FJ-311G γ微伦仪和 NaI(Tl)γ能谱仪测量了中子发生器在产额为3×10~9n/s条件下,运行1小时后,靶头附近的照射量率及γ谱。     

高压调制消除BF_3计数管辐照效应

七十年代,缓发中子测铀技术受到极大重视,并得到了引人注目的发展。这是可在现场进行非破坏性分析铀含量的新技术。为了应用这种技术,我们在高压倍加器上用脉冲调制的~3T(d,n)~4He反应产生的14MeV中子照射铀矿模拟井,然后用浓缩~(10)B的BF_3计数管测量铀裂变产物放出的缓发中子,进行室内测铀井模拟试验。试验中观测到,随着14MeV中子通量的增加,用直流高压工作的BF_3计数管缓发中子计数与14MeV中子通量监督器计数之比值不是常数,而是逐渐增加;和通常工作的BF_3计数管相比较,它的坪曲线和脉冲高度分布谱也有明显畸变。这与直流高压工作的BF_3计数管也受到大量14MeV中子照射真接有关。这种现象被称为BF_3计数管的辐照效应。在其它中子实验中,常在距产生中子的靶室适当远处放一个BF_3计数管进行中子通量相对测量,当BF_3计数管靠近中子靶室时,也曾观测到BF_3计数管的辐照效应。     

用金活化法测定加速器中子源中子注量及MCNP4C修正

在四川大学720所2.5MeV静电质子加速器上,由核反应7Li(p,n)7Be,T(p,n)3He产生中子,对中国工程物理研究院研制的新型中子探测器进行效率刻度实验中,需要知道探测器位置处的中子绝对注量,为此我们测量了0.165、0.352、0.576、1.400MeV四个能点的中子注量。测量方法采用的是金活化法,在实验测量中,由靶头材料、冷却水层和样品的包层材料等引起的多次散射效应及中子在样品中的自屏蔽效应等均对实验结果产生影响。这些因素在实验中不可避免,也难以通过实验方法扣除,因此用Monte Carlo程序MCNP4C对上述效应进行了修正计算。     

FNS-100正比计数器用于测量快中子场能谱时的干扰分析

为了了解FNS-100正比计数器用于测量快中子场能谱时干扰信号的特性,本文计算分析了60Co产生的低能γ射线以及7 MeV和10 MeV的高能γ射线所产生的干扰,同时模拟了反冲3He核、反冲质子在该正比计数器中产生的干扰影响.计算结果表明,γ射线对快中子能谱测量几乎没有影响,而反冲3He核和反冲质子存在比较大的影响.     

钻井内脉冲工作的密封中子管中子产额监督

一、引言在高压倍加器上,由T(d,n)~4He反应发射中子产额通常用伴随α粒子、反冲核和慢化法等各种方法测量。在地面上使用的中子发生器(抽气式和密封式),由T(d,n)~4He反应产生的中子一般用活化片法进行测量。至于在勘探钻井内使用密封中子管,其中子产额如何测量,是目前正在研究的课题。我们采用的是密封型中子发生器,以脉冲态在勘探钻井内工作,它在工作期间输出的中子产额随工作时间的增加而缓慢下降,而且还可能由于外电源电压不稳引起中子发生器的高压波动,使得中子产额也在变化,为此必须对中子发生器在工作时的中子产额进行监督。     

IHNI-1中子束快中子注量率测量

为检验和确定用于硼中子俘获治疗(BNCT)的医院中子照射器(IHNI-1)的快中子污染源项,设计了用于快中子注量率测量的包硼~(235)U裂变电离室。利用MCNP程序对电离室的注量响应进行优化设计,计算包裹不同厚度硼壳时电离室的注量响应曲线,最终选择35mm厚B4C壳作为低能中子屏蔽层。利用该电离室测量IHNI-1热中子和超热中子束的快中子注量率,并与模拟计算值比较。结果显示,实测的中子束比模拟计算结果具有更多的快中子成分,低于国际原子能机构(IAEA)推荐的目标值。     

简单的n、γ分辨系统

本文介绍了一种简单的n、γ分辨系统和适用于该系统的探测器和脉冲形状甄别器,给出了系统参数、等效电子能量与n、γ分辨特性的关系,以及在~(241)Am-Be源、2.5MeV中子束和14MeV中子束情况下的n、γ时间分布。     

14．8MeV中子引起^9Be（n，xα）反应的双微分截面测量

中子引起出射带电粒子反应的双微分截面在核工程、核反应理论研究和中子治癌等应用领域皆具有重要意义。我们用一个低气压多丝正比室△E—E望远镜系统测量了14．8MeV中子引起^9Be（n，xα）反应出射仪的双微分截面，中子源是在中国原子能科学研究院的高压倍加器上用T（d，n）^4He反应产生的，入射氘能量为250keV，靶为1mg／cm^2的氚钛靶。     

ST-451型有机液体闪烁体快中子绝对效率的测定

一、前言由于有机液体闪烁体对于γ射线和中子有极好的脉冲形状甄别性能和快的时间响应,而且对快中子具有较高的探测效率,在快中子飞行时间谱仪中常用作中子探测元件。我们以T(d,n)~4He反应作为中子源,利用伴随粒子型快中子飞行时间谱仪测量了ST-451型     

D-T快中子照相准直屏蔽体设计及中子束特性的模拟研究

设计一个用于氘氚(D-T)快中子照相的准直屏蔽体系统,对D-T中子发生器快中子在准直屏蔽体材料中输运的MCNP模拟研究,给出准直中子束的中子能谱、注量率及均匀性、γ射线能谱和γ射线注量率等重要参数.模拟结果显示,用D-T中子发生器中子源和合理的准直屏蔽体系统可得到快中子照相所需的准直快中子束.     

厚型气体倍增快中子探测器及γ射线抑制研究

设计了一种基于厚气体电子倍增器(THGEM)的快中子探测器。通过研究其对252Cf快中子源(2.13 Me V)和137Csγ源(661 ke V)的响应,分别得到了在80 m V、160 m V、260 m V三种电子学阈值下,探测器对γ射线抑制和快中子探测的结果。结果表明在阈值为260 m V、γ射线全部抑制的条件下,探测器有70V的工作电压调整范围,能够探测到中子的(n,p)过程产生的反冲质子信号。     

中子活化法测定~(232)Th裂变产物产额

采用中子活化法测量了~(232)Th的裂变产物及其累积产额。利用加速器T(d,n)~4He反应产生的14.9 MeV高注量中子长时间照射ThO_2样品,用高纯锗γ谱仪测量其特征γ谱,求得较长半衰期核素~(99)Mo、~(141)Ce、~(143)Ce、~(131)I、~(140)Ba等的裂变产额,实验结果的典型误差为4%。其中,利用MCNP程序对中子的多次散射效应和自屏蔽效应进行修正,同时考虑了中子注量波动及γ射线在样品中的自吸收影响。     

BPL 750 keV束流输运线上四极磁铁的设计

一、引言自从北京质子直线加速器的10 MeV段1982年底出束以来,于1985年已将其能量扩展到35 MeV,脉冲流强达到70 mA,作为从高压倍加器至质子直线加速器之间的750 keV束流输运线,经历了10 MeV和35 MeV两个阶段的调试和运行。它有效地将质子束流从高压倍加器输运到直线加速器,传输效率达到设计指标。本文介绍安装在这一束流输运线上的四极磁铁的设计、磁场测量结果及实际运行情况。     

2H(d,n)3He核反应中子注量的伴随粒子法测量

^2H(d,n)^3He核反应单能中子源广泛应用于MeV中子的散射和极化实验。采用伴随粒子法测量中子注量，用Si半导体探测器测量^3He粒子，用0.8μm Al箔来屏蔽散射的d束，系统可很好地分辨^3He,d,T和p，可测d^ 束能量到165keV，测量结果与用NE213探测器的结果相比较，一致性好于97％。     

氚靶污染的监测及防护

一、引言利用_要~3H(d,n)~4He反应,加速器可以产生高注量并且近于单能的快中子(14MeV)。这种加速器中子源在辐射育种及活化分析方面得到了越来越广泛的应用。