红外探测器探测率D~*的检测标准

本文讨论了红外探测器的探测率D~*,响应率和噪声频谱V_N(f)三个参数,它们是一组重要的红外探测器参数;文章还讨论了在测试InSb和HgCdTe探测器中出现的主要误差。建议:在国内探测器的探测率D~*测试标准中,其D~*的测试误差以10％为宜。     

高D~*、快响应钛酸锆酸铅热电探测器

已制得D~*(500°K,1.1)=7×10~8厘米·赫~(1/2)/瓦的大面积PZT探测器和最小响应时间为5毫微秒的快速探测器。热电系数为27毫微库仑/厘米~2°K及对此器件测得的材料灵敏值为2.8×10~(-9)库伦厘米/焦耳。     

D~*参数的计算

多年来,人们都用Jones 介绍的D~* 数值来描述探测器的性能。它的基本含义是:一定的输出电压(或电流)相应于探测器上一定的输入功率P,总噪声N 与带宽B 的方根和探测器面积A 的方根成比例。所以D~*≡(AB)~(1/2)/P。这是对单个波长λ或对特定的辐射源,即500°K的黑体而言。因此,D~* 必须包括有一个说明范围,它或者是D~* (500,……,1),或者是D~(?)(λ,……,1)。前一括号内的第一个数字表示黑体的温度(°K),第二个表示调制频率(赫),第三个表示噪声的带宽(必须是1);后一括号内的第一项数字表示波长的变化,第二、第三项变量同前一括号内的一样。D_(λPK)~*往往是指定的量,这就是峰值响应波长的D~*值。     

红外探测器近距离测量D~* 计算

本文从理想黑体物理模型出发,导出红外探测器D~*测试中,被测探测器在非均匀辐照下,其光敏面上各点辐照度表达式和被测探测器D~*计算式。     

在IRCCD中以新参数T~*代替D~*

本文叙述了在凝视系统中描述红外电荷耦合器件(IRCCD)重要特性的参数T~*、文中主要讨论了T~*的定义及其使用范围,它的测量方法与极限参数等等。同时还叙述了它与红外探测器过去一般所采用的特性参数D~*之间的区别与关系。     

D~*测试中辐照度计算方法的改进

本文对D~*测试中辐照度J的两种常用近似计算方法进行了讨论,提出了一个基于近代黑体腔理论的精确计算法,其精度可在计算机程序中同时给出。     

HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析

在0.8～1.1 THz内,对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器的响应度和噪声等效功率进行了具体测试和分析。在太赫兹波辐射下,HEMT太赫兹探测器源漏端产生能被栅压灵敏调控的直流光电流。该型探测器在300 K和77 K下的电流响应度分别为83 mA/W和4.1 A/W,电压响应度分别为4 kV/W和50 kV/W,噪声等效功率分别达到22 pW/Hz0.5和1 pW/Hz0.5。采用两种较为典型的测量方法,通过对实验结果的比较,确定了影响该类型探测器的响应度和噪声等效功率的主要因素,并提出了增强响应度和降低噪声等效功率的具体措施。     

波段探测率D~＊_（△λ）及其测试方法讨论

本文描述了波段探测率、波段响应率Ｒ＿（△λ）的定义及其测试定标方法，同时还描述了１０５Ｋ工作温度的碲镉汞探测器定标中的一些问题。     

探测器绝对响应率的定标

本文简要回顾了探测器绝对响应率定标中所涉及到的基本标准、标准传递和标准实现问题。     

辐射测量设备响应率和线性率标定方法研究

将目标特性测量简化为点目标辐射强度和面目标辐射亮度测量.根据标定与测量一致性要求,将设备响应率和线性率标定分为点目标辐射强度和面目标辐射亮度的标定,对标定方法、条件、注意事项和标定不确定度进行了分析,并对设备噪声等效辐射量的含意及标定方法进行了论述.     

热释电探测器的响应率分析

本文引进有效热导纳概念,改进了计算响应率的集总参数方法,使之获得接近热扩散方法的计算精度,从而简化了热释电探测器响应率的计算。本文还给出了对LiTaO_3和LATGS两种热释电探测器的计算结果并给出了LiTaO_3探测器实验结果。理论值与实验值符合得很好。     

如何提高PHS网络寻呼响应率

寻呼响应率是优化小灵通网络中一个比较重要的指标,影响这一指标的因素也多,我们正在努力寻找解决的办法.     

探测器波段响应率及其测试定标法

描述了碲镉汞红外探测器相对光谱分布Ｇ（λ）和波段响应率Δλ的测试计算方法，以及其在１０５Ｋ温度下工作时，其中的一些定标问题，给出了１０５Ｋ温度下工作，空间应用的碲镉汞光导红外探测器有关测试方法、设备及测试结果，并给出了相应的测试误差。     

InSb焦平面芯片的响应率提升研究

InSb光伏探测器的响应率是评价探测器性能的重要指标之一。探测器的电压信号与响应率成正比。从光敏芯片的角度提出了增大InSb红外探测器信号的方法。通过实验设计,优化了台面湿法刻蚀的方法,减小了芯片p型层的厚度。优化台面刻蚀方法使台面面积增加,InSb芯片的I-V电流增大了40%,组件的电压信号值提升了16%。进一步将InSb芯片的p型层厚度减小至0.8～1.2■m后,InSb芯片的I-V电流增大了67.3%,单元组件的电压信号值提升了40.2%。基于InSb光敏芯片光生载流子的产生到光电流的转换过程,分析了台面湿法刻蚀以及p型层的厚度对信号的影响机理。该研究对于提升InSb探测器信号和优化探测器性能具有重要的指导意义。     

响应率可调的微测辐射热计

美国明尼苏达大学的研究人员制成一种具有可调热导率的微测辐射热计,可用以监测如放能那样的高温过程。这种探测器本身是一块多晶硅薄膜,安装在下面有散热基片的支承梁上。薄膜可通过静电向底片靠近,最终与基片接触。当红外信号为低电平时,薄膜     

红外焦平面探测器光谱响应率测量方法分析

光谱响应率是红外焦平面探测器的重要参数,它决定了系统的整体性能和应用方向。在红外成像系统的研制过程中,必须准确地了解探测器的该项指标。分析了目前已有的红外焦平面探测器光谱响应率的测量方法,并对这些方法进行比较,找出其优缺点。     

红外探测器相对光谱响应率的自动测试

介绍红外探测器相对光谱响应率自动测试的实施方法。利用锁相放大器追踪测量信号,微机自动扫描、采集和处理数据。给出了整个测试过程的流程图,对影响测试准确度的因素,如光源、参考探测器及其他干扰进行了较详细的阐述。并介绍提高测试准确度的措施,给出测量实例及误差分析。测试结果表明,此装置已能满足红外测试标准所要求的精度。     

双极天线的核电磁脉冲响应特性研究*

针对应用较为广泛的一种短波双极天线,利用CST 仿真分析了天线对高空核电磁脉冲(HEMP)的响应特性。计算了双极天线分别在自由空间和导体板上方时的天线端口开路及端接50 赘负载情况下的响应特性,得出了天线在两种情况下端口的感应电压时域和频域信号及负载的沉积能量,并探讨了其随电磁脉冲入射角兹、导体板半径R 和天线高度H 的变化规律。仿真结果对于实验方案的制定及天线系统防护具有重要指导意义。     

导线贯通金属腔体端接负载电磁脉冲响应规律*

为分析金属导体贯通腔体时导体腔内端接负载电路的电磁脉冲耦合响应,基于时域有限积分方法的 电磁数值计算软件CST 建立了贯通导体端接负载电磁辐射响应耦合模型,研究了高斯脉冲作用条件下入射电场角 度、贯通孔径、外部导体长度、端接负载等对终端负载响应的作用规律,分析了耦合机理。基于GTEM 室搭建了实验 平台,在贯通导体两端开路条件下,通过测量腔体的屏蔽效能,与数值计算结果对比,两者吻合较好。结果表明:贯 通导体方向的电场分量大小对终端负载耦合电压影响显著;入射波长远大于贯通孔径时,贯通导体为主要耦合通 道;负载耦合响应与裸露导体长度、导体半径成正比;负载变化时,自身响应电压随阻值变化,而对另一端负载响应 电压影响不大,两端阻值变化导致负载响应电压波形的衰减振荡不同;容性或感性阻抗是影响响应电压及频率的关 键因素之一。