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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 24 毫秒
1.
优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法=ACADprocedureforoptimlzingbipolardevicesrelativetoBiCMOScircuitdelay[刊.英]/Des-oukl.A,S.…IEEETrans.C...  相似文献   

2.
解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响=AnAnalytlcalSiGe-baseHBTmodelanditseffectsonaBiCMQSinvertercircuit[刊.英]/Lu,T.C.…/IEEETrans.Ele...  相似文献   

3.
一种5V6位80MS/sBiCMOS闪烁ADC=A5V,6-b,80MS/sBiCMOSftashADC[刊,英]/Reybani,H.…∥IEEEJSolid-StateCircuits.-1994.29(8).873~878开发出一种5V单电源6...  相似文献   

4.
适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路=AnalogphasemeasuringcircuitfordigitalCMOSIC's[刊.英]/Rothermel.A.…IEEEJ,solid-StateCircuits.-1993,28(7)....  相似文献   

5.
适于嵌入应用的一种25MS/s8位CMOSA/D转换器=A25MS/s8-bitCMOS.A/Dconvertcrforembeddedapplication[刊,英]/Pel-grom,MJM…∥IEEEJ.Solid-StateCircuits....  相似文献   

6.
MolecularDopedPolymerLightEmitingDiodeswithAir-stableAluminumasCathode①②CHENBaijun,HOUJingying.XUEShanhua,LIUShiyong(StateKey...  相似文献   

7.
SWiTEST:适合CMOS组合电路的开关级测试生成系统=SWiTEST:aswitchleveltestgenera-tionsystemforCMOScombinationalcircuits[刊,英]/Lee.K.J.…IEEETrans.Co...  相似文献   

8.
BoundaryElementMethodforHigh-VoltageTerminationsand2-DBEMSimulationOfMZ-JTELiangSujun(CornputerandCADresearchdivision.Xi'anin...  相似文献   

9.
A/D与D/A转换器技术WD9451110位100M采样/秒流水线子区BiC-MOSADC=A10-b100-Msample/spipelined sub-rangingBiCMOSADC[刊,英]/Sone,K.…//IEEEJ.Solid-Sta...  相似文献   

10.
线性度增大的视频CMOS功率缓冲器=VideoCMOSpowerbufferwithextendedIineari-ty[刊,英]/Caiulo,G.…IEEEJ.Solid-StateCir-cuits-1993.28(7).-845~848讨论了...  相似文献   

11.
CMOS电流型运算放大器=ACMOScurrent-modeoperationalamplifier[刊.英]Kaulberg.T.IEEEJ.Solid-StateCircuits.-1993.28(7).-849~852叙述了全差分输入、差分输出...  相似文献   

12.
A/D转换器高阶△-Σ调制的稳定性分析=Stabilityanalysisofhigh-orderdelta-sigmamodulationforADC's[刊,英]/Baird,R.T.…∥IEEETrans.Circ.andSyst.-Ⅱ:Ana...  相似文献   

13.
Silicon-on-insulator1×2Y-junctionOpticalSwitchBasedonWaveguide-vanishingEfect①②ZHAOCezhou(Microelectron.Institute,XidianUnive...  相似文献   

14.
SurfaceCrystalsofLiquidAlkanesX.Z.Wu1,2B.M.Ocko3E.B.Sirota4S.K.Sinha5O.Gang6M.Deutsch6(1.PhysicsDept.,NorthernIlinoisUniversi...  相似文献   

15.
OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil...  相似文献   

16.
WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。  相似文献   

17.
用BiCMOS工艺制作的高频高分辨率4级Σ△A/D转换器=Ahigh-frequencyandhigh-res-olutionfourth-orderΣ△A/DconverterinbiCMOStechnology[刊,英]/Yin,GM…∥IEEE...  相似文献   

18.
KNbO_3:Rb光折变晶体中的电子-空穴竞争张治国DingYEichlerHJ(OpticalInstitute,TechnicalUniversityofBerlin,Sir.des17.Juni135,10623Berlin,Germany)傅...  相似文献   

19.
带片上PLL和硬件指示器的320MHzCMOS三-8位DAC=A320MHzCMOStriple8hitDACwithon-ChipPLLandhardwarecursor[刊,英]/Reynolds,D//IEEEJ.Solid-StateCir-...  相似文献   

20.
CMOS兼容短路阳极,辅助阴极,横向绝缘栅双极晶体管=CMOScompatibleshortedan-odeauxiliarycathodelateralinsulatedgatebipolartransistors[刊,英]/Sankara,E.M...  相似文献   

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