超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L型侧墙形成技术方面,它有效地减小了器件的基区面积．测试结果表明,晶体管有良好的交直流特性．在发射区面积为3μm×8μm时,晶体管的截止频率为6.1GHz．19级环振平均门延迟小于40ps,硅微波静态二分频器的工作频率为3.2GHz．     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55-+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究

介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。     

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆｒ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２０ｎｍ。     

多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm.同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30％改善至20％,片间均匀性从12％改善至9％,显著提升了产品的成品率.     

硅低温双极晶体管的优化设计与制备：II结构与电特性分析

本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（ＨＦＥ可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。     

硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析

本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。     

选择离子注入集电极技术研究

为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。     

超高频多晶硅发射极晶体管的研究

本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题：二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极，ＲＴＡ（快速热退火）用于形成晶体管的单晶发射区，为提高多晶发射区的杂质浓度     

本地光缆网中继及主干层规划

本文论述了当前电信本地光缆网存在的问题,提出了本地光缆网中继及主干层的规划思路及发展策略,重点阐述了主干层的规划思路,充分论证了主干层应该作为以后本地光缆网建设的重点,为电信转型及实现FTTH做好充分准备。     

电子装备通用自动测试系统发展及其关键技术

随着现代电子测试技术、微电子技术、计算机技术的发展,自动测试系统也随着复杂电子装备的需求而不断发展,通用自动测试系统是自动测试系统今后发展的必然方向。简要介绍了自动测试系统的发展概况,通过对通用自动测试系统特点的分析,提出了"架构层"、"语法层"和"语义层"通用自动测试系统的概念,并讨论了涉及下一代通用自动测试系统的关键技术及应用方向,为通用自动测试系统的研究指明了方向。     

建设广电宽带城域网应注意的问题

广电宽带城域网的建设,在广泛调研和交流的基础上,应充分考虑到宽带技术发展的趋势,结合自身的特点,建设具有竞争力和可持续增值能力的符合我国技术规范的智能化网络.     

浅析泰州移动本地传输网的建设方案

个绍了泰州移动本地传输网的建设方案，分析了本地传输网建设的经验和教训。     

Improved property in organic light-emitting diode utilizing two Al/Alq3 layers

We reported on the fabrication of organic light-emitting devices (OLEDs) utilizing the two Al/Alq₃ layers and two electrodes. This novel green device with structure of Al(110 nm)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃)(65 nm)/Al(110 nm)/Alq₃(50 nm)/N,N′-dipheny1-N, N′-bis-(3-methy1phyeny1)-1, 1′-bipheny1-4, 4′-diamine (TPD)(60 nm)/ITO(60 nm)/Glass. TPD were used as holes transporting layer (HTL), and Alq₃ was used as electron transporting layer (ETL), at the same time, Alq₃ was also used as emitting layer (EL), Al and ITO were used as cathode and anode, respectively. The results showed that the device containing the two Al/Alq₃ layers and two electrodes had a higher brightness and electroluminescent efficiency than the device without this layer. At current density of 14 mA/cm², the brightness of the device with the two Al/Alq₃ layers reach 3693 cd/m², which is higher than the 2537 cd/m² of the Al/Alq₃/TPD:Alq₃/ITO/Glass device and the 1504.0 cd/m² of the Al/Alq₃/TPD/ITO/Glass. Turn-on voltage of the device with two Al/Alq₃ layers was 7 V, which is lower than the others.     

移动本地传输网中多厂家设备组网浅析

本文对移动本地传输网采用两个以上厂家的传输设备组网问题进行探讨.两种引入方式下特别是在多厂家设备混和组网方式对现网的影响,提出网络建设方案;同时给出采用多厂家组网时网管信息传送及不同设备厂家之间互通的解决方式.     

ARINC429总线的故障注入测试方法

传统的ARINC429总线测试仅针对输入的激励测试输出的响应, 无法有效涵盖更多在异常状态下的测试环境。为扩大测试的覆盖性与主动性, 采用故障注入的方法, 分别对ARINC429总线物理层、电气层和协议层中典型的故障模式及注入实现方法进行了研究, 实验结果验证了故障注入测试方法的有效性。     

本地网引入第二厂家传输设备的方案探讨

本文对本地网引入第二厂家传输设备将带来的技术问题和组网问题进行了探讨和分析,对几种组网方案进行了比较,可供本地网引入第二厂家传输设备时进行参考.     

CDMA2000移动台信令的软件实现

CDMA技术是第三代移动通信的主导技术,而CDMA移动台和基站之间的信令为它们的通信提供了控制作用。从CDMA2000分层结构引出信令可靠传输的各层,介绍了信令各层的传输机制,并提出运用实时多任务操作系统实现移动台信令软件的设计,从而为移动台的综合业务服务提供了软件的可行操作方法。     

无线Mesh网网络层和MAC层相关研究

随着无线网络技术的发展,无线mesh网凭借其多跳通信能力为拓宽WiFi网络的覆盖率提供了有效的途径。利用低发射功率来提高覆盖率和容量的能力,使其在普遍存在的宽带接入中扮演重要角色。凭借其独特的优势,WMN发展非常迅速,并广泛应用于众多领域。为了更好的说明WMN领域存在的挑战,详细描述了无线mesh网的MAC层和网络层研究状况,并且提出了可能提高多跳网络吞吐量的新协议。