PTC钛酸钡半导体陶瓷的金属化

本文介绍了目前在PTC钛酸钡半导体上形成低电阻欧姆接触的主要的金属化方法,包括化学镀镍、烧附银电极、In-Ga液体合金和铟基合金电极、真空蒸着Al、Ni后激光熔融以及各种铝电极等.文中简述了这些电极的制备工艺和金属化性能,并作了比较.     

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。     

钛酸铋钠-钛酸钡系无铅压电陶瓷的压电性能

研究了（1-x）Na0.5 Bi0.5 TiO3-xBaTiO3系无铅压电陶瓷的介电、压电性能。通过X-射线衍射分析发现，当0．06≤x≤0.10时，该体系陶瓷具有三方、四方相共存的晶体结构，此时材料具有最佳的压电性能。测试x=0．06时陶瓷样品的介电温谱和电滞回线发现在相界附近的陶瓷为弛豫型铁电体，并在加热过程中发生了铁电-反铁电-顺电相的转变。     

氧化铝陶瓷加工表面粗糙度与材料显微结构间关系

通过研究四种显微结构不同的Al2O3陶瓷加工表面粗糙度的变化规律,来探讨Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度与其显微结构的关系.结果表明,Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度决定于磨料粒径和材料显微结构.总的来说,磨料粒径和陶瓷晶粒越小,表面粗糙度精度越高.当磨料粒径降到与陶瓷晶粒尺寸级别相当,或者更小时,决定Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度的关键因素是材料气孔的大小数量.材料越致密,其加工表面粗糙度的精度就能加工得越高.     

陶瓷PTC与有机PTC的性能比较及应用

正温度系数的热敏电阻（ＰＴＣ）作为一种新型过流保护元件,近几年来已在程控交换机的用户接口电路防高压雷击、交流电搭接等方面得到了广泛应用。热敏电阻（ＰＴＣ）按制造材料可分为有机聚合物ＰＴＣ和陶瓷ＰＴＣ两大类。有机ＰＴＣ由高分子聚合物掺入碳粉经挤压成形。...     

高性能ZnV Sb系压敏电阻陶瓷的制备

在传统工艺基础上,对V2O5/Sb2O3混合粉体先进行热处理,然后以热处理产物为主要掺杂剂,在950℃合成了显微结构均匀、相对密度98%以上、α大于50的ZnVSb系多元压敏电阻陶瓷材料。并研究了V2O5/Sb2O3预合成粉含量对材料显微结构和性能的影响。结果表明:V2O5/Sb2O3预合成粉含量升高,增大了晶界受主态密度,提高了材料的晶界势垒,使材料在压敏电压升高的同时,非线性系数得到改善。     

碳酸锰和纳米钛酸钡的添加对钛酸钡陶瓷的影响

以钛酸丁酯和乙酸钡为起始原料,采用液相法制备了纳米钛酸钡。研究了纳米钛酸钡和碳酸锰的掺杂对普通亚微米级钛酸钡的形貌及介电性能的影响。结果表明,在普通钛酸钡中加入一定量的纳米钛酸钡可以促进晶粒的生长,同时提高陶瓷的介电常数。而在普通钛酸钡中加入一定量的碳酸锰则可以抑制晶粒的生长。但同时添加碳酸锰和纳米钛酸钡,碳酸锰对晶粒生长的抑制作用将居于主导地位,并且此时钛酸钡陶瓷的介电常数温度特性曲线与单独添加锰离子时的走势基本相同,室温附近的介电常数峰将由于钛酸钡陶瓷的细晶效应而弥散。     

二氧化铈掺杂锆钛酸钡陶瓷性能和结构的研究

采用传统电容器陶瓷制备工艺,研究了CeO2加入量对Ba(Zr,Ti)O3(BTZ)基电容器陶瓷性能的影响,得到了CeO2影响其性能的规律 ,当w(CeO2)为1.0%时相对介电常数最大(7193),当w(CeO2)为0.5%时介质损耗最小(0.0351)。CeO2有降低居里温度及展宽介电常数-温度峰和减小介电常数温度变化率的作用。利用SEM研究了CeO2对BTZ基陶瓷微观结构的影响,探讨了影响性能的机制,结果表明:CeO2是通过与BTZ形成缺陷固溶体、移峰、偏析晶界及抑制晶粒生长等来影响瓷料性能和结构的。     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求：《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范〉…

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各种质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标的ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求──《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》评述

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

性能一致的PTC陶瓷的烧成方法

用波形承烧板烧成低居里点PTC陶瓷可得到性能一致性良好的产品。本文介绍了波形承烧板的制作方法及用此承烧板焙烧产品的工艺及特点。     

制造工艺对PTC陶瓷性能的影响

本文研究PTC陶瓷的性能与制造工艺之间的联系,围绕着为制造出性能优良且可实用的PTC陶瓷材料,讨论烧成工艺条件等艺对材料的PTC特性的影响。     

复合BN的PTC热敏陶瓷性能的研究

以（Ba,Sr)TiO3为主要原料,适当引入半导化施主元素Y2O3等,用BN进行复合制备样品。研究了BN对材料PTC热敏特性及微观形貌的影响,讨论了烧成温度对产物性能的影响,并对其半导机理进行了分析。     

改性氧化铝陶瓷的抗弯强度和显微结构

用油酸对Al2O3粉末进行表面改性,研究了表面改性工艺对陶瓷致密性、抗弯强度及显微结构的影响。对改性机理进行了探讨。结果表明:改性粉末在1600℃保温2h制备的Al2O3陶瓷,相对密度达到98.9%,抗弯强度达393MPa。利用油酸与粉末表面羟基反应形成非极性有机表层结构,消除粉末间的硬团聚,降低压制过程中的内摩擦力,从而改善坯体的均匀性和致密性,提高陶瓷的抗弯强度。     

采用绝缘钛酸钡陶瓷片的ZnS:Mn低电压驱动薄膜电致发光器件

在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。     

显微结构对BaTiO3陶瓷电热性能的影响

该文研究了显微结构对BaTiO3陶瓷电热特性与击穿电场的影响.采用固相反应法制备BaTiO3粉体,经干压结合冷等静压工艺成型后,在不同温度下烧结成陶瓷样品.随烧结温度提高,陶瓷晶粒长大、结构更致密,由此导致极化强度与电热效应绝热变温明显提高,但击穿电场下降.等静压工艺可进一步提升瓷体致密度并促进晶粒长大,使电热效应提升.     

La和Y掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响

采用低温固相反应法(800℃)合成了一系列纳米掺杂BaTiO3基PTC瓷粉。经XRD分析,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。分别研究了La和Y双施主掺杂以及烧结条件对材料PTC性能的影响,实验表明,以La和Y进行双施主掺杂可使材料的室温电阻进一步降低,升阻比提高。通过合理地调整双施主的相对含量,优化烧结制度,制备出了室温电阻为14.25?,升阻比达3.7×104的PTCR材料。     

铪钛酸钡陶瓷制备及其压电性能的微观机制研究

采用传统固相反应法制备系列BaHf_xTi_1-xO₃陶瓷,通过对陶瓷的压电、铁电、相组成、晶粒尺寸的测试和分析,发现:所有BaHf_xTi_1-xO₃陶瓷样品均具有纯钙钛矿结构,室温均为铁电体具有压电性;在x<0.1时室温压电系数为195～327p C/N,x=0.02时,压电系数、剩余极化强度和平均晶粒尺寸最大,分别为327pC/N, 13.3μC/cm²和37.2μm,大晶粒尺寸和四方-正交-三方多相共存是其具有大压电系数的主要原因。     

A位施主掺杂剂对PTC陶瓷性能的影响

通过阻温测试、SEM及XRD等测试分析手段,研究了不同A位施主掺杂剂对材料性能的影响,结果表明:与Sb2O3和Y2O3相比,以Bi2O3为A位施主掺杂剂时,试样的温度系数最大,高达46.42×10-2/℃.当升温速度为200℃/h时,试样的PTC效应得到了明最的改善.