固体电子论分析CuZnAl记忆合金有序转变与马氏体稳定化

应用固体经验电子理论，计算了ＣｕＺｎＡｌ记忆合金中第４组元Ｎｉ和Ｍｎ对Ａ＿２→Ｂ＿２和Ｂ＿２→ＤＯ＿３两种有序转变温度的影响。计算得出：Ｎｉ提高而Ｍｎ降低合金的有序转变温度。这与Ｎｉ和Ｍｎ对合金的马氏体稳定化影响的趋势一致。表明固体电子论可以说明ＣｎＺｎＡｌ合金的稳定化和用来指导探索记忆性能好的合金。     

ALCHEMI法测定有序合金的马氏体和贝氏体相的原子组态

虽然Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ和Ｃｕ－Ａｕ－Ｚｎ合金中的母相已知为ＤＯ３或Ｌ２１结构，但通过通道增强微分析原子定位法（ＡＬＣＨＥＭＩ），可以检测Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金的母相，马氏体相和Ｃｕ－Ａｕ－Ｚｎ合金的母相、马氏体、贝氏体相中的原子配置，结果表明，马氏体相中原子配置与母相是完全一样的，但Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金听时效马氏体的Ｃｕ－Ａｕ－Ｚｎ合金中贝氏体与母相不同。本文叙述ＡＬＣＨＥＭＩ测定的结果。     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

Cu－Al_2O_3复合材料的制造工艺对组织、性能的影响

本文研究使用Ｃｕ－０．３ｌ％Ａｌ合金水雾化粉末，其粒度为７４μｍ以下（─２００目），进行内氧化处理得到Ｃｕ－Ａｌ２Ｏ３粉末，经等静压压坯→烧结→裸锭热挤压→冷轧工艺制造的材料密度为８．８ｇ／ｃｍ３，强度σｂ为６０８ＭＰａ，硬度ＨＶ为５２９ＭＰａ，电阻率ρ为２．２μｃｍ。对材料的金属膜电镜分析表明：组织中分布看γ－Ａｌ２Ｏ３微粒，它的平均尺寸１５０Ａ，微粒间距离约２００Ａ左右。     

γ—FeMnAlCr反铁磁合金电阻应变性能的探索

研究了γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的电阻应变性能。实验结果说明，γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金丝的室温电阻应变灵敏系数为４．０～４．２，制成的应变片灵敏系数平均为３．７，远高于目前常用的应变电阻合金。合金发生反铁磁→顺磁转变时灵敏系数将急剧下降，说明γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的高灵敏系数来源于合金的反铁磁自旋有序结构。此外，γＦｅＭｎＡｌＣｒ合金具有较小的机械滞后，但蠕变和电阻温度系数较大，因此它适合于室温的动态应变测量。     

耐1300℃新型Ni-Fe-Cr-Al基高温合金抗氧化机理研究

对新型高温合金（３ＹＣ５２）的抗氧化机理进行了系统研究。结果表明，研制合金（３ＹＣ５２）具有的优异抗氧化性能在于高温下合金表面能形成致密保护层。扫描电镜（ＳＥＭ）、电子探针显微分析（ＥＰＭＡ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）分析表明，１１００℃，合金氧化层的内层为Ｃｒ２Ｏ３，外层为Ａｌ２Ｏ３；１３００℃，合金氧化层为单一的Ａｌ２Ｏ３。差热分析（ＤＴＡ）研究表明（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ３和α－Ａｌ２Ｏ３的形成分别在１０６０℃和１３５６℃达到最大值。当温度大于１１５０℃时，Ｃｒ２Ｏ３易剥落，因此随着时间的延长，最终留下致密的α－Ａｌ２Ｏ３保护层。     

快速凝固高阻尼Al—Zn—Mg—Cu系合金的研究

本文研究了利用快速凝固粉末冶金工艺制备高阻尼Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金。通过拉伸性能与阻尼性能的测试，以及显微组织分析，探讨了纯铝及石墨对合金拉伸性能及阻尼性能的影响。结果表明：Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ／１５ｗｔ％Ａｌ合金的室温拉伸性能已达到ＬＣ９ＣＧＳ１的水平，阻尼性能为Ｑ＝６．０×１０＾－３；在室温至３００℃温度范围内，随着温度的升高，合金的阻尼能力提高；合金的阻尼机制属复合型机制。     

Cu－Zn－Al－Mn合金高温时效时相变机制的研究

用示差扫描量热法（ＤＳＣ）、电阻测量和透射电子显微镜对Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｍｎ合金高温时效的贝氏体相变进行了研究。结果表明，合金经高温时效，溶质原子首先析出，有利于降低层错能，随后由于切变引起在（１１１）面上形成大量层错，从而促进了贝氏体相变。     

低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷

本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果, 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结温度９００‘ Ｃ, 介电性能为： εｒ ＝ １５０ ～１７０ , ｔａｎ δ＝ ０００２ ～０００８ （１００ Ｍ Ｈｚ） , 电容温度系数（ Δ Ｃ Ｃ） ±５ ％（１ Ｍ Ｈｚ）     

碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应

采用可分相的Ｎａ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系为基础玻璃，以ＣｕＯ／ＳｎＯ、ＮａＩ为原料，分别引入Ｃｕ＾＋、Ｉ＾－，成功地制备出ＣｕＩ微晶掺杂硼硅酸盐玻璃。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件下光吸收性的关系。首次报道了该半导体微昌掺杂玻璃中的电致二次谱波发生，并讨论了该效应的机理。