热氧化二氧化硅层中氟离子的注入及其分布

本文采用电晕放电技术对硅片的热氧化层注入了氟离子.并通过逐次剥层用椭偏测厚仪测量了剥层后的氧化层厚度,用高频c-v法测量了剥层后的平带电压,从而求得平带电压与氧化层厚度间的关系.并由此求得氧化层中电荷的分布情况.测量结果表明:氟离子注入后,在SiO_2/Si界面处的正电荷面密度比注入前有所增加,在氧化层体内存在有均匀分布的负电荷密度,在靠近SiO_2外表面约100(A|°)左右的区域内,负电荷密度由内向外逐渐增加,在外表面处具有最大的负电荷密度.最后,把我们的结果与Williams的结果进行了比较,并进行了讨论.     

离子注入机注入离子能量分布的计算机模拟

本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量分析有应用价值。     

注入离子的横向扩展

本文评论了注入离子横向分布这一课题的最近研究成果,为了知道三维离子的分布,先论述了理论方法。考虑到分布范围的四次项,讨论了横向扩展最大时横向分布的形状和深度。其次给出检验理论预言的实验方法,并且把实验数据和理论数据作了比较。最后作为一个实际例子,用实验结果讨论了砷化镓绝缘层中质子的横向扩展。最终的结果是,对于制作微米尺寸的器件来说,注入离子和绝缘层中质子的横向扩展是不容忽视的。     

注入离子浓度的均匀性

本文讨论了在靶上获得所需要的均匀离子密度的离子束扫描条件。引用已经确认的多种分布模型:借助余弦曲线或标准分布曲线,发现可以减少扫描条数。同时给出了离子密度非均匀性的测量方法,并介绍了一些实验结果。     

硼离子选择注入制备多孔硅微阵列

根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件,利用硼离子选择注入,在n型硅片上的局部微区域,形成易于腐蚀的p型硅,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列.省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点.通过AFM,SEM测试,证明该方法的效果很好.     

碳—钛离子同步注入组织观察

在新型的TITAN离子注入系统中,采用组合阴极的方法,进行了碳—钛离子同步注入试验,对纯铁中的离子注入组织进行了电镜观察研究。碳离子注入形成了粒状的Fe_3C相,而碳—钛离子同步注入形成了条状的Fe_5C_2和Fe_2C等非平衡相组织     

硼离子选择注入制备多孔硅微阵列

根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 ,证明该方法的效果很好     

射频阱中离子的激光溅射注入

通过实验测出了激光溅射碳靶时存储离子强度随延迟时间的变化 ,计算出团簇离子的相对存储效率与离子动能之间的关系 ,并对实验结果作出了定性的解释。     

大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算

在大剂量氧注入硅形成ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）的物理过程分析基础上，根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ＋对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式，同时提出埋ＳｉＯ２中的氧将主要向上界面扩散，排除了以前的作者在研究ＳＩＭＯＸ材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性．在考虑了主要的大剂量注入效应，如体积膨胀、表面溅射、氧在ＳｉＯ２内的快速扩散等，得到氧在硅中的深度分布，经过超高温退火，认为氧硅发生完全的化学分凝，据此设计出快速计算大剂     

GaAs／AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究

采用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）测量ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨ激光器及其列阵在不同部位的电场分布，研究了这两种器件的注入电流及电力线分布情况     

硅中注入高剂量氮离子的研究

研究了高剂量氮离子注入硅所形成的高阻层.对该层的研究将有助于使离子注入技术应用于半导体集成电路的隔离工艺. 选用电阻率为0.5Ω-cm,<111>取向的N型硅单晶片作衬底.氮离子注入能量为80keV,注入剂量用1～2×10~(17)cm~(-2),注入后表面可以形成高阻层.这一层的物理、化学、电学性能均较稳定. 用俄歇电子谱仪、背散射沟道技术、红外光谱仪、光电子谱仪等手段对该层的晶体结构及化学键合机理进行了分析.所得结果证明,注入的氮呈高斯分布,该注入层是无序的氮化硅与硅的混合结构. 用8～10Ω-cm的P型硅单晶也可以得到同样的结果.     

以脉冲氙离子激光器为泵浦和注入光源的注入锁定染料激光器

描述了一个注入锁定的染料激光器,它是用脉冲氙离子激光器泵浦的若丹明6G四镜环形染料激光器,并且用氙离子激光输出线中的5960?作为注入光源、研究了注入锁定染料激光器的输出强度和光谱特性.     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

条形半导体激光器注入电流的横向分布

用双连通域内的保角变换方法解二维拉普拉斯方程，得到了条形半导体激光器注入电流密度的横向分布。研究了在电阻层的电阻率比较大的情况下，中央激活区不同宽度和不同电极宽度时注入电流密度的横向分布。如果中央激活区宽度小条形电极宽度，注入电流密度在中央激活区内近似为常数，而在中央激活区外很快地衰减。     

混合式直接注入红外CCD的注入实验及其注入效率的初步估算

初步开展了InSb—Si CCD(锑化铟—硅CCD)、HgCdTe—Si CCD(碲镉汞—硅CCD)的直接注入实验;在低频范围内,观察到了注入现象,在500°K黑体温度下,对注入效率进行了初步估算,证明现行热扩散工艺所制备的光伏器件,也可以观察到注入现象。此外,本文对注入效率进行了初步估算,并对注入效应也进行了一些初步讨论。     

高温注入离子的扩散和激活行为的研究

本文应用二次离子质谱（ＳＩＭＳ），微分霍尔效应和透射电镜（ＴＥＭ）研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为．将１８０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ－２砷离子在５００℃至１０００℃的温度范围内注入硅．研究结果表明：在５００℃至８５０℃注入时所发生的异常扩散和载流子浓度及迁移率深度分布与剩余缺陷的分布密切相关；而且随着注入温度的增高，砷的增强扩散亦增强，同时所形成的剩余缺陷减少．在注入温度高于８５０℃时，随着注入温度的增高，砷的增强扩散效应减弱．在５００℃至１０００℃的注入温度，与热扩散相比，砷的增强扩散效应显著；