非平衡磁控溅射法Ti/TiO2薄膜的制备及分析

在光学玻璃衬底上利用新型非平衡磁控溅射技术沉积了Ti／TiO2薄膜。原子力显微镜分析表明，薄膜表面光滑、致密、均匀，表面粗糙度（Ra）小于10nm，组成薄膜的颗粒尺寸小于100nm。膜厚测量分析表明，TiO2薄膜的沉积速率达110nm／min。在拉曼光谱中，没有出现晶态TiO2薄膜的散射峰，表明所得TiO2薄膜为非晶结构。利用紫外-可见光全反射谱分析了薄膜的光学性能，结果发现，单纯TiO2薄膜存在微弱吸收，在波长约550nm时出现最大反射率，其后波长越大，吸收率越高；在Ti/TiO2薄膜体系中，随着沉积的Ti膜的厚度增大，Ti薄膜界面的反射率增大，薄膜吸收率提高；在玻璃衬底的正反面均沉积适当厚度的Ti／TiO2薄膜时，能够获得不同的色彩效果；根据薄膜干涉特征，计算所得TiO2薄膜的折射系数约为3．0。另外，所得TiO2薄膜不存在明显光电效应。     

直流磁控溅射制备PbTe薄膜

采用直流磁控溅射的方式，用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜，薄膜生长速率约为100nm／min，通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜，溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响，溅射时间越长薄膜的晶粒越大，薄膜结构越致密，具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的P型半导体薄膜，其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。     

PECVD法制备类金刚石薄膜的结构和摩擦学性能研究

采用射频一直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积了类金刚石薄膜。用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行了表征，并用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度。用UMT微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同的滑行速度下薄膜的摩擦学性能。结果表明：所沉积的薄膜具有典型类金刚石薄膜的结构特征，薄膜表面光滑致密，硬度较高；薄膜与氧化铝陶瓷球对磨显示出良好的摩擦学性能，随着滑行速度的增加，薄膜的摩擦系数单调降低，但磨损寿命先增加后降低。     

空间柔性阵列天线薄膜阵面制造技术研究

简要阐述了空间柔性天线的进展，分析了空间柔性天线薄膜阵面制造关键技术。研究了薄膜阵面电磁波传输金属薄膜制备技术、薄膜阵面图形化制造技术、薄膜阵面拼接用材料评价、薄膜阵面的裁切技术等。采用磁控溅射技术，通过溅射功率、走带张力、走带速度的调节，在有机柔性薄膜基材上镀制了不同厚度的金属铜膜，实现了有机柔性薄膜基材的表面金属化；利用飞秒激光刻蚀精度高，不损伤柔性薄膜基材的特点，获得了图形化的金属薄膜阵面单元；对3M92号胶带与改性聚酰亚胺胶接材料的拼接强度与耐高低温性能进行了试验对比，发现改性聚酰亚胺胶接材料的强度与耐高低温性能更好，更适合薄膜阵面的拼接；对比了用纳秒激光和飞秒激光裁切的薄膜微观形貌，结果表明，用飞秒激光裁切的切面光滑，无烧蚀与毛刺，适合于高精度薄膜阵面的制造。研究为空间柔性阵列薄膜天线的制造提供了大量的基础数据。     

低温PVD法制备多组分超硬薄膜相组成研究

回顾了多组分硬质薄膜的发展，指出了多组分薄膜低温淀积时相组成研究与预测存在的问题。对多组分硬质薄膜，包括类质同晶体系与多组分共熔体，低共熔体系、转熔体系、亚稳定固熔体与非晶固熔体，化合物，梯度薄膜，多相薄膜材料，多层薄膜和超晶格薄膜等可能的相组成与相关性质进行了讨论。对淀积速率与薄膜厚度，相组成与薄膜均质性，超晶格薄膜硬度与超晶格周期等的计算模型进行了评述。     

直流反应磁控溅射制备氧化铅薄膜

通过直流反应磁控溅射的方法制备了氧化铅薄膜，并通过XRD和紫外-可见光（UV-Vis）吸收谱对薄膜的晶体结构和光学性能进行了表征。我们发现，直流反应磁控溅射金属铅靶可以形成三种氧化铅薄膜，即非晶态PbO，正交晶系的β-PbO，以及四方晶系的Pb3O4。X射线衍射结果表明，衬底温度和氧气流量对薄膜的生长有很大的影响。当衬底温度小于300℃时，薄膜呈非晶状态，当衬底温度超过300℃时，薄膜开始结晶。另外，氧气流量的改变引起薄膜晶体结构的明显变化。当氧气流量较小时，薄膜为立方相结构的PbO；随着氧气流量的增加，薄膜的晶体结构发生改变，生成四方相结构的Pb3O4的薄膜。UV-Vis吸收谱测试结果表明，不同条件下制备的氧化铅薄膜的UV-Vis吸收谱明显不同。     

非线性弹性薄膜表面效应的尺寸相关性研究

在Mindlin假设的前提下，考虑了几何非线性条件及表面效应的影响，建立了纳米尺度下尺寸相关的板状各向同性弹性薄膜模型；从哈密尔顿变分原理出发，导出了薄膜的控制方程，用公式明确阐述了由表面张力引起的符合经典板理论且与薄膜变形相关的残余膜力和弯矩；通过微小尺寸薄膜弯曲的算例，说明了表面效应与薄膜厚度的相关性，当薄膜厚度等于或者小于其内禀尺度时，表面效应对薄膜厚度表现出很强的敏感性。     

铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究

采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则低温（900℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（1200℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比，使得薄膜的铁电性能变差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为600～650℃，60min，典型的剩余极化强度为13．2μC／cm2，矫顽场为55．5kV／cm2。     

磁控溅射再硒化法制备Cu（In，Al）Se2薄膜

本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜，然后固态源硒化制成Cu（In，Al）Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分，SEM观察薄膜的表面形貌，XRD表征薄膜的组织结构。结果表明，由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu（In，Al）Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构，且随着Al含量的增加，晶面间距减小。     

退火温度对Ta2O5薄膜光学和表面特性的影响

针对退火温度影响Ta₂O₅薄膜的光学和表面特性的问题，采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜，并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化规律，采用X射线衍射仪和原子力显微镜表征了薄膜的表面性能。研究表明，薄膜透射率曲线的峰值随退火温度升高而显著提升。随着退火温度升高，薄膜的折射率和消光系数均逐渐变大，表面粗糙度呈现下降的趋势，表面变得致密。退火前后薄膜均为非晶态。该研究为进一步提高Ta₂O₅薄膜的性能提供了试验数据。     

热氧化处理对铋薄膜光学性能的影响

对通过蒸发获得的金属铋薄膜经加热氧化处理并与直接蒸发氧化铋获得的薄膜比较和进行光学性能测量，发现都能获得β相氧化铋薄膜。但是由于热氧化与蒸发的过程或速率不同，出现化学计量偏离，薄膜结构和光学性能变化。热氧化不够或低速率蒸发形成薄膜富铋，出现无定型或其它相结构，光学吸收限变宽，移向低能处。过氧化则会使薄膜富氧，同样使结构变化，吸收限变宽而向高能方向移动。实验表明蒸发金属铋薄膜然后经３５０℃，３小时热氧化是比较合适的制备氧化铋薄膜的条件。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N 和Ar 离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向；随着N 离子轰击能量的增加，制备的TiN薄膜的晶粒增大。     

金刚石薄膜场发射特性研究现状

金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势，作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类，介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性，分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素，列举了场发射特性的优化方向，并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能，对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。     

ZnO薄膜的掺Ag改性及其光催化降解苯酚性能研究

在溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的过程中掺入Ag，通过XRD、AFM和UV-vis吸收光谱对该薄膜进行了表征。研究了掺Ag对ZnO薄膜光催化降解苯酚性能的影响。结果表明，ZnO薄膜掺入Ag之后，增强了薄膜的光吸收能力，而且使薄膜的紫外线吸收边出现了红移。适量Ag的掺入有利于ZnO薄膜光催化效率的提高。制备薄膜时醋酸锌与AgNO3的摩尔比为30：1的ZnO：Ag样品光催化效果最佳，其3h光催化苯酚降解率是改性前的1．47倍。     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜，并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明，AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应，同时，AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变。     

硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法，在Mo层上沉积了CuInGa（CIG）预制膜，采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜，考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明，在不同的硒源温度下制备的CIGS薄膜，均为黄铜矿相结构，薄膜具有（112）面的择优取向。当硒源温度为575℃、580℃和585℃时，CIGS薄膜表面结构疏松，多孔隙；当硒源温度为590℃、595℃和600℃时，CIGS薄膜结构致密，表面平整。当硒源温度为600℃时，Cu、In和Ga原子含量处于制备弱P型CIGS吸收层薄膜的理想范围。     

溅射气压对FeCoSiB非晶薄膜表面形貌及磁特性的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了FeCoSiB非晶薄膜，研究了溅射心气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明，薄膜的表面形貌显著依赖于心气压强，随着山Ar压强的增加，薄膜表面颗粒增大，粗糙度增加并形成柱状微结构。心气压强对薄膜磁特性有显著的影响，随血压强增加，薄膜的矫顽力增加，而剩磁则呈下降趋势。从薄膜的磁滞回线、矫顽力以及剩磁随溅射气压的变化规律可知，溅射气压较小时制备的薄膜软磁性能较好．     

阻隔性透明蒸镀薄膜“ェコシア-ル”各种牌号的特征及应用

前言 无机二元阻隔性蒸镀薄膜“ェコシア-ル”，有以PET薄膜为基膜的和以PA薄膜为基膜的，可充分利用基膜的各式各样的特性，特别是利用尼龙的特性，开拓蒸镀透明尼龙薄膜的市场。     

功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响

分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体，利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF—PECVD）法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳（a—C：F：H）薄膜，并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）观察了薄膜表面形貌，发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少；在低温下沉积的薄膜表面光滑，而高温下粗糙；真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善，但薄膜内空洞增加，退火温度过高，薄膜的结构发生变化，且在薄膜表面发生皲裂现象。用Raman光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。     

电化学沉积DLC膜及其表征

采用电化学沉积方法，甲醇有机溶剂作碳源，在直流电源作用下在单晶硅表面沉积得到碳薄膜。薄膜不溶于苯、丙酮等有机溶剂，具有较高的硬度(16GPa左右)，用AFM、Raman和FTIR分析手段对该薄膜表面形貌和结构进行表征，Raman和FTIR结果表明电化学沉积得到的是含氢的类金刚石碳薄膜。通过研究样品薄膜的XPS和XAES谱图特征，进一步证实薄膜是DLC薄膜，并用线性插入法估算出样品薄膜中SP^3的相对含量为60％，同时推测了电化学沉积DLC薄膜的生长机理。