直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜，然后在管式气氛炉中，用氨气作为还原剂，直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜；从而成功地的α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜。利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术，研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌。结果表明最佳工艺条件为：氮化温度为700℃，氮化时间为1h。     

斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。     

PbTiO3铁电薄膜晶化工艺研究

对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响.研究表明,采用快速晶化工艺时,在550～750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001)择优取向的PbTiO3薄膜.与常规晶化相比,快速晶化处理的薄膜结晶质量好,晶粒较小、分布均匀致密.     

抗静电薄膜的制备方法

物体的绝缘性愈高，愈容易产生静电，因此塑料包装薄膜，在加工、应用中，产生静电并造成种种弊端的事例已屡见不鲜。例如在采用薄膜包装粉末状商品时，常常因为热封合面的静电吸尘，导致封合强度大幅度下降，是造成商品储存、运输过程中包装严重破损的重要原因；又如透明塑料包装袋所包装的商品，在上货架陈列销售时，也会因静电吸尘降低包装的透明性，降低商品的展示效果；包装薄膜在印刷加工时，也可能由于薄膜的静电效应：静电吸尘影响油墨转移，印刷品上出现‘花、点’油墨带静电产生上墨不均的所谓‘静电墨斑’以及静电‘墨须’，造成印刷图案的缺陷。     

Sol—Gel工艺Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度，退火时间，薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响，研究表明，退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著，而且随退火温度升高，Bi4TiO12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长；退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显；薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结合的影响不大。     

LaAlO_3基体上CaBaCo_2O_(5+δ)多晶薄膜的微观结构以及生长方式

采用脉冲激光沉积方法,在(001)LaAlO3上沉积CaBaCo2O5+δ多晶薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,(1)LaAlO3基体中存在位错、孪晶等缺陷,且孪晶类型以(100)楔形孪晶为主;(2)CaBaCo2O5+δ薄膜为多晶薄膜,薄膜底部保留了薄膜生长过程中的初始晶粒结构,晶粒大小约5~8 nm,厚度约为5~7 nm。薄膜顶层的晶粒较大,约为11~16 nm。     

直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜

采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．     

直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜

采用直流反应磁控溅射法淀积ＺｒＮ薄膜，发现在晶向硅片上ＺｒＮ薄膜按晶向生长。控制生长工艺可以获得ＺｒＮ晶向的外延生长膜。     

化学水浴中氨浓度对沉积ZnS薄膜的影响

用化学水浴法在玻璃衬底上沉积ZnS薄膜。采用XRD、SEM、nkd-薄膜分析系统对薄膜的形貌、结构和光学性能进行了分析，结果表明：当氨浓度〈1．50mol／L，可获得白点较少、平整性较好的非晶ZnS薄膜，在红移方向上很长的波段内透过率较好，可达95％以上，禁带宽度为3．81eV，折射率随波长的增加而减小，从2．32变化到1．92。有关化学水浴ZnS薄膜折射率的报道极少；当氨浓度〉1．50mol／L时，薄膜白点增多，易龟裂和剥落，结构是立方闪锌矿。     

斜切基片上c—取向YBa2Cu3O7—δ薄膜的生长特性及开裂行为

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3(001)基片上制备了YBa2Cu3O7-δ薄膜,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明,薄膜表面呈“台阶－台面”结构,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生,说明薄膜以“台阶流动”方式生长;而且薄膜具有c-轴取向,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a-b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a-b孪晶的产生,而使晶格错配应变不能释放造成的。     

纳米晶La_(1-x)Sr_xFeO_3薄膜的制备与表征

采用Sol－gel工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶La1-xSrxFeO3（x=0～0．4）系列薄膜，薄膜为钙钛矿结构，平均粒度在30nm左右。XPS结果表明，随着Sr含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。     

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺－金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温（＜600℃）晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜。     

卷烟的几种包装防伪技术

1薄膜防伪技术 在卷烟生产中综合利用薄膜和其他的一些安全措施，就可以起到防伪的目的。例如印刷薄膜就很难仿造。世界著名的卷烟包装材料公司——UCB公司总裁托里先生说：印刷薄膜在欧洲已使用了数年，起到了促销和吸引消费者的目的。印刷薄膜的工艺愈完善、质量愈高，仿造者就很难仿造出与正品卷烟完全一样的卷烟用包装薄膜。     

热处理条件对sol-gel法Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜形成影响的研究

采用sol-gel法，利用快速热处理工艺过程，保持烧结温度在最低温度(约500℃)以上，制备了多晶钙钛矿结构的PST(Pb0．4Sr0.6TiO3)薄膜．通过XRD、SEM、AFM等方法对晶相的形成与热处理条件之间的关系进行了测试．研究表明，利用溶胶-凝胶法制备PST薄膜的钙钛矿晶相形成过程及晶相含量受制备过程及晶相形成时离子的活性所控制．通过快速热处理方法，在凝胶分解过程中得到的高活性离子直接形成晶相，可以得到相应更多的晶体含量及在较低的温度下形成晶相．在600℃下RTP制备的PST薄膜的晶相含量比同温度下保温热处理薄膜增加约14％，利用RTP制备PST薄膜的晶相形成温度约在500℃，相应要降低约50℃．薄膜的表面形貌受制备热处理过程影响，快速热处理薄膜的表面保持形成时的形貌：非晶相薄膜以光洁表面出现，晶态膜以均匀分布山峰状的形貌出现．受气氛的浸蚀作用，长时间热处理后的薄膜表面出现了变化，在原形貌的基础上以细小颗粒状覆盖的表面出现．     

两款Penta food食品包装薄膜延伸产品问世

Penta food薄膜产品线已经扩大到包括Penta food W-5120和W-5150两款刚性聚丙烯薄膜。这两款薄膜可以相互配合使用于上下双层印刷食品包装。双层容器一直是生产的空白领域，它需要在传统的印刷工艺上增加预印工序，然后再将它们组成一个容器。这两款新产品完美实现了这一点，它构成理想的高抗冲击容器，     

Sol-Gel工艺Si基Bi4 Ti3 O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.     

组分梯度（Ba,Sr）TiO3薄膜的制备工艺研究

采用改进的溶胶．凝胶（sol-gel）法在si衬底上制备了组分梯度Ba1-xSrxTiO3（x=0，0．1，0．2，0．3，0．4）（简称BST）薄膜。探讨了不同退火温度对组分梯度BST薄膜晶化的影响，应用X射线衍射（XRD）及原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的微观结构。结果表明组分梯度薄膜的最佳制备工艺为600℃预烧5min，700℃退火1．5h，此时薄膜具有完整的钙钛矿相，薄膜表面平整、无裂纹、无孔洞。比较了单组分和组分梯度BST薄膜的微观结构。XRD测试结果显示，组分梯度BST薄膜的衍射峰峰位介于底层和硕层单组分BST薄膜之间，且衍射峰明显宽化；AFM测试结果表明，组分梯度BST薄膜的晶粒明显大于单组分BST薄膜，表面均方根粗糙度（RMS）也大于单组分BST薄膜，这可能是由于组分梯度薄膜较高的预烧温度促进晶粒生长造成的。     

纳米晶WO_3电致变色特性(英文)

采用射频反应溅射制备了纳米晶WO3薄膜.基于Berg理论建立了WO3射频反应溅射模型,并分析工艺参数对滞回曲线的影响,基于研究了抽速、基片温度、馈入功率、靶片间距和溅射靶等离子体溅射面积的影响.提出了一种新的消除滞回曲线的制备纳米晶WO3薄膜的方法和优化的工艺参数.论文制备了性能良好的电致变色纳米晶WO3薄膜.分别用环境扫描电镜(ESEM)、X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)和分光光度计测试了该薄膜,该薄膜在可见光波段,不变色时的透光率大于95%,变色后为65%.纳米晶WO3薄膜的晶粒尺寸在40纳米左右,其高比表面积和缺陷态为电致变色的例子扩散提供了通道.     

后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了钛酸锶钡（BST）薄膜，利用气氛炉对薄膜进行晶化处理，晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随退火气氛、退火温度以及退火降温速率变化的趋势，通过对不同后处理工艺参数实验结果的分析，得到较优化的工艺参数，以制备较小残余应力的优质BST薄膜。     

不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响

采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌。用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向。通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。