低温硅双极晶体管的研制与特性分析

采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．     

一种高性能的低温硅双极晶体管

本文设计并研制出在液氮温度下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．６的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平，测量了该器件在７７Ｋ的Ｉｃ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。     

非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模

比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式，比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算值和测量值，计算值和测量值的相对偏差＜１０％，表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。     

宽温高频高反压沟道项区晶体管研制

耗尽是基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），基电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数。双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数，将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＲ晶体管。本文描述了这种瓣器件结构、工作原理、设计与制造。新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小。测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ     

薄膜全耗尽SOIMOSFET单晶体管Latch效应

本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。     

HFE超低温度系数的硅双极晶体管

随着高可靠电子技术的发展，要求硅双极器件的电流增益ＨＦＥ具有很低的正温度系数，发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管ＨＦＥ具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数，结合发射区轻掺杂技术，我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构，获得了电性能优异的ＨＦＥ超低温度系数的硅双极器件，ＨＦＥ的１２５℃高温上升率和－５５℃低温下降率小于２０％，有些甚至小于１０     

按小扇区擦除和编程的ATMEL Flash Memory及应用

文章以美国ＡＴＭＥＬ公司１９９５年新推出大容量按小扇区操作ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ２９Ｃ０４０Ａ（５１２Ｋ×８）为例，说明了ＡＴＭＥＬＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ与Ｉｎｔｅｌ２８Ｆ＊系列不同的设计特点，并结合在单片机系统的应用，介绍了其应用技巧和经验．     

制作网页的利器——Flash

Ｆｌａｓｈ是一种先进的交互式矢量多媒体开发技术，但目前的应用却不多，因为它要求用户必须先安装ＳｈｏｃｋｗａｖｅＦｌａｓｈ插件才能观看特殊效果。但用Ｆｌａｓｈ技术制作的网页却有着非常精彩的效果，它会打动每一位观众。显然，这是未来ＷＥＢ发展的一大流派之一。因此，适当的了解Ｆｌａｓｈ，关注Ｆｌａｓｈ的发展，对每一位网页设计者都有着不可低估的意义。一、Ｆｌａｓｈ的“起源”及优点Ｆｌａｓｈ的前身是ＦｕｔｕｒｅＳｐｌａｓｈ，是早期网上流行的矢量动画插件。Ｍａｃｒｏｍｅｄｉａ公司后来收购了ＦｕｔｕｒｅＳｐｌ…     

NMOS低温热载流子晶体管的解析研究

利用低温（７７－２９５Ｋ）短沟ＮＭＯＳＦＥＴ准二维解析模型，研究了７７－２９５Ｋ温区ＮＭＯＳＦＥＴ衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变，其值约为７．６ｎｍ；低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量，但由于碰撞电离减弱，使ＮＭＯＳＦＥＴ的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明，提出的衬底电流机制和模型适用于７７－２９５Ｋ宽温区范围。     

PT／P（VDF—TrFE）复合膜及悬空结构热释电传感器研究

将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。     

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）,其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联,采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时,ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时,器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃,器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．     

密集型波分复用系统概要(4)

４．１０．４．２光信噪比（ＯＳＮＲ）及其对应ＢＥＲ计算用于计算ＯＳＮＲ的光路示于图４８。在计算中考虑到了各级ＥＤＦＡ的不同。注意：为了Ｑ值有一定裕量,ＥＤＦＡ线放Ⅰ和Ⅱ的ＮＦ均假定为５ｄＢ,而ＥＤＦＡ预放的ＮＦ假定为４．５ｄＢ。Ａ点（ＥＤＦＡ功放输入...     

Ni（pz）4Cl2型化合物的光磁性质理论研究

本文利用ｄ＾８（Ｄ４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱、基态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量及顺磁磁化率刊物了统一的计算和理论分析。理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。     

Ni（pz）_4Cl_2型化合物的光磁性质理论研究

本文利用ｄ８（Ｄ＊４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱、基态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量及顺磁磁化率进行了统一的计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。     

三极场发射电子枪虚源半径的计算

本文在分析形成和影响场发射电子枪（ＦＥＧ）虚源半径各有关因素的基础上，报道了一种计算其值的方法。用该法对一实际ＦＥＧ的虚源半径作了计算，并与实验和著名的球锥面模型进行比较，结果是一致的。表明该法不仅简单且行之有效，具有较大的实用价值。     

微波MESFET小信号噪声等效电路模型分析

本文将噪声源引入ＭＥＳＦＥＴ小信号等放电路模型，推导了由ＭＥＳＦＥＴ内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式，编制了相应的计算程序和绘图程序，经验证得到了令人满意的结果，说明ＭＥＳＦＥＴ小信号噪声等效电路模型对研究和应用ＭＥＳＦＥＴ是有效的和新颖的。     

GaAsMESFET小讯号等效电路参数提取

讨论了一种提取ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小讯号等效电路参数的方法，本方法可直接决定外部和本征小讯号参数。所得到的等效电路的Ｓ参数计算值与测量值基本吻合。     

场致发射显示器发展近况

介绍了一种新型平板显示器－场致发射显示器（ＦＥＤ），它与液晶显示器（ＬＣＤ）相比具有更薄、视角宽、响应速度快和功耗低等优点。ＦＥＤ已在美国的ＰｉｘＴｅｃｈ公司开始生产。     

掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计

掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从ＥＤＦＡ的基本理论出发，对ＥＤＦＡ的各种特性进行了计算机模拟分析，并研究了ＥＤＦＡ的长度优化设计，实验结果与理论计算相吻合。