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本文设计并研制出在液氮温度下,hFE≈300;在10K下,hFE=21.6的高性能硅双极晶体管,此值优于文献报导的水平,测量了该器件在77K的Ic,IB-VBE特性和hFE-1/T特性,并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。 相似文献
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非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模 总被引:1,自引:1,他引:0
比较了增强型埋沟pMOSFET和增强型表面沟道pMOSFET的导通机理,提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法,推导了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算公式,比较了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算值和测量值,计算值和测量值的相对偏差<10%,表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。 相似文献
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耗尽是基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),基电流放大系数(hFE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数,将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNR晶体管。本文描述了这种瓣器件结构、工作原理、设计与制造。新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小。测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE 相似文献
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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。 相似文献
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随着高可靠电子技术的发展,要求硅双极器件的电流增益HFE具有很低的正温度系数,发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数,结合发射区轻掺杂技术,我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构,获得了电性能优异的HFE超低温度系数的硅双极器件,HFE的125℃高温上升率和-55℃低温下降率小于20%,有些甚至小于10 相似文献
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文章以美国ATMEL公司1995年新推出大容量按小扇区操作FlashMemory29C040A(512K×8)为例,说明了ATMELFlashMemory与Intel28F*系列不同的设计特点,并结合在单片机系统的应用,介绍了其应用技巧和经验. 相似文献
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Flash是一种先进的交互式矢量多媒体开发技术,但目前的应用却不多,因为它要求用户必须先安装ShockwaveFlash插件才能观看特殊效果。但用Flash技术制作的网页却有着非常精彩的效果,它会打动每一位观众。显然,这是未来WEB发展的一大流派之一。因此,适当的了解Flash,关注Flash的发展,对每一位网页设计者都有着不可低估的意义。一、Flash的“起源”及优点Flash的前身是FutureSplash,是早期网上流行的矢量动画插件。Macromedia公司后来收购了FutureSpl… 相似文献
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利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。 相似文献
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PT/P(VDF—TrFE)复合膜及悬空结构热释电传感器研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将溶胶-凝胶法制备的钛酸铅(PT)纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]中,制成PT/P(VDF-TrFE)复合热释电敏感膜,提高其热释电优值和探测优值。用KOH腐蚀硅衬底使PT/P(VDF-TrFE)敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明,掺入体积比为0.12PT粉粒的PT/P(VDF-TrFE)敏感膜,比同样成膜条件的P(VDF-TrFE)膜的热释电优值提高20%,探测优值提高35%;悬空结构大大降低了热导,使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了10倍以上。根据实验结果,提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后,计算复合膜介电系数和热电系数的方法。 相似文献
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宽温高频高反压沟道基区晶体管研制 总被引:1,自引:0,他引:1
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNP晶体管.本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造.新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小.测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE随温度T的变化率小于35%.优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%.当温度从25℃降到-55℃,器件的hFE变化率小于或等于30%. 相似文献
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4.10.4.2光信噪比(OSNR)及其对应BER计算用于计算OSNR的光路示于图48。在计算中考虑到了各级EDFA的不同。注意:为了Q值有一定裕量,EDFA线放Ⅰ和Ⅱ的NF均假定为5dB,而EDFA预放的NF假定为4.5dB。A点(EDFA功放输入... 相似文献
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Ni(pz)4Cl2型化合物的光磁性质理论研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文利用d^8(D4h)全组态混合统一晶场理论对Ni(pz)4Cl2型化合物的吸收光谱、基态ZFS、EPR参量及顺磁磁化率刊物了统一的计算和理论分析。理论结果与实验观测值符合甚好,从而对Ni(pz)4Cl2的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。 相似文献
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本文在分析形成和影响场发射电子枪(FEG)虚源半径各有关因素的基础上,报道了一种计算其值的方法。用该法对一实际FEG的虚源半径作了计算,并与实验和著名的球锥面模型进行比较,结果是一致的。表明该法不仅简单且行之有效,具有较大的实用价值。 相似文献
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本文将噪声源引入MESFET小信号等放电路模型,推导了由MESFET内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式,编制了相应的计算程序和绘图程序,经验证得到了令人满意的结果,说明MESFET小信号噪声等效电路模型对研究和应用MESFET是有效的和新颖的。 相似文献
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讨论了一种提取GaAsMESFET小讯号等效电路参数的方法,本方法可直接决定外部和本征小讯号参数。所得到的等效电路的S参数计算值与测量值基本吻合。 相似文献
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介绍了一种新型平板显示器-场致发射显示器(FED),它与液晶显示器(LCD)相比具有更薄、视角宽、响应速度快和功耗低等优点。FED已在美国的PixTech公司开始生产。 相似文献
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掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
掺饵光纤放大器(EDFA)是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从EDFA的基本理论出发,对EDFA的各种特性进行了计算机模拟分析,并研究了EDFA的长度优化设计,实验结果与理论计算相吻合。 相似文献