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温度是表征设备状态的重要物理量,也是传热学中进行分析计算的重要参数,温度测试是教学实验与工业生产中经常遇到的问题。热电偶温度传感器是将被测温度转化为热电动势信号输出,通过连接导线与显示仪表相连接组成测温系统,实现温度自动测量、显示或记录、报警及控制。 相似文献
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一.温度测量的基本概念 温度是度量物体冷热程度的物理量,在生产和科学试验中占有极其重要的地位,是国际单位制(SI)中7个基本物理量之一.从能量角度来看,温度是描述系统不同自由度间能量发布状况的物理量;从热平衡观点来看,温度是描述热平衡系统冷热程度的物理量;从微观上看,温度标志着系统内部分子无规则运动的剧烈程度,温度高的物体,分子平均动能大,温度低的物体,分子平均动能小. 相似文献
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提出一个间接测定半导体激光器组件(以下简称LD组件)内部温度的方法;根据测试作出的曲线,可以预置激光器在给定的工作温度上。 相似文献
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机加工过程中,为提高加工精度,延长刀具寿命,研究刀具与工件的温度分布极为重要。本文综述了辐射测温方法在切削温度研究中的应用,并介绍了在正切削条件下用红外测温仪进行的实验研究。测得的刀具表面温度与理论结果及热电偶方法所得结果相符合。 相似文献
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N/A 《半导体光子学与技术》1996,2(1):72-78
It is well known that optical tomography can accurately and quantitatively re-construct the refractive index field of a transparent medium and display the three dimensional image of other thysical quantities relevant to temperature or density.In this paper.a new multidirectional holographic interferometric system is built,and two kinds of image tecon-struction algoritma are introduced and an automatic image processing system of interfero-gram is designed.A three dimentsional asymmetric gad flow field above a combustor is experi-mentally investigated with holographic interferormetry.The reconstructed temperatures are similar to those measured with a thermocouple. 相似文献
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Measurement of a Three-dimensional Gas Temperature Field with Holographic Interferometry 总被引:4,自引:0,他引:4
CHEN Shaohua 《半导体光子学与技术》1996,(1)
MeasurementofaThree-dimensionalGasTemperatureFieldwithHolographicInterferometry¥CHENShaohua(YibinTeacher'sCollege,Yibin644007... 相似文献
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采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化,确定了主要的工艺参数。在此基础上,对全工艺过程进行仿真,得到虚拟制造器件和软件测试数据,所得结果与实测数据吻合得很好。 相似文献
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宽温区高温MOS器件优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
冯耀兰 《固体电子学研究与进展》1997,17(4):360-365
全面介绍了27-300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明,选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27-300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。 相似文献
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随着5G技术的快速发展,通信机房快速新建及扩容,机房内设备的数量与功率骤增,传统电子测温方式存在测温点数有限、敷设传输电缆复杂、不利于维护管理等缺点,针对此类通信设备温度监测难题,提出基于拉曼散射与时域反射相结合的分布式光纤测温方法,有效提高系统测温空间分辨与降低系统敷设难度,可为机房效能分析与动态仿真平台提供高质量温度数据,并通过实验应用,验证了系统可行性,为后续通信机房高能效建设规划提供了设计参考。 相似文献
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半导体材料的霍耳测量 总被引:2,自引:0,他引:2
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率,载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了HL5500霍耳测量系统;列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料,特别是高阻和高迁移率材料的结果,并讨论了有关的干扰问题。 相似文献