高性能低烧MLC三层镀工艺研究（一）静态电镀

本文探讨了ＰＭＮ系多层陶瓷电容器的静态三层镀工艺。分析了工艺参数驿ＭＬＣ电性能的影响，表明静态电镀对ＭＬＣ的电容量，经缘电阻影响不明显，而介质损耗变化剧烈；和镀Ｚ／Ｓｎ相比，镀Ｎｉ过程对ＭＬＣ的性能影响较大。     

Sialon,Al2O3和SiC自配对干摩擦研究

本文研究了高温结构陶瓷Ｓｉａｌｏｎ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ的自配对滑动干摩擦磨损性能，运用ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＸＰＳ手段观察和分析了磨损面的表面形貌、磨屑形状及相组成，目的是揭示陶瓷材料在试验条件下的滑动干摩擦磨损规律和摩擦磨损机理，结果表明：Ｓｉａｌｏｎ$ 微剥离磨损，摩擦过程中产生的氧化产物能改善材料摩擦；Ａｌ２Ｏ的磨损机理是磨屑边界润滑下的晶粒拔出和沿晶断裂；ＳｉＣ表现为犁沟－磨屑－犁沟过程的磨损，并     

SiC／Al合金层状复合材料的机械性能及损伤行为

在室温条件下测定了Ａｌ合金以连续层状形式存在于ＳｉＣ陶瓷层间并渗透入ＳｉＣ陶瓷层内、Ａｌ合金浓度呈层状变化高低相间，以及Ａｌ合金和ＳｉＣ陶瓷均匀分布相互渗透三种ＳｉＣ含量相同而结构形式不同的ＳｉＣ／Ａｌ合金复合材料的机械性能；用ＳＥＭ和光学显微镜观察分析了复合材料的断口形貌及裂纹扩展过程。结果表明，在ＳｉＣ陶瓷层间以连续层状形式存在的Ａｌ合金在应力作用下发生较大程度的塑性变形，在裂纹尾部被拉伸和形成桥接，引起能量耗散，减缓裂纹扩展速度，防止裂纹张开，使复合材料的韧性得到明显改善；ＳｉＣ／Ａｌ合金陶瓷─金属层状复合材料的损伤形式主要是ＳｉＣ陶瓷层开裂、金属层桥接和裂纹偏转。     

多层独石式压电微位移器的扫描电声像研究

对多层独石式压电微位移器的陶瓷／内电极层界面进行扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描电声显微镜（ＳＥＡＭ）的无损观察，发现该界面在ＳＥＭ和ＳＥＡＭ观察得到的像所给出的信息存在着很大差别，根据ＳＥＡＭ的成像原理，探针能谱分析（ＥＤＳ）以及器件本身陶瓷／内电极层间的层状结构形式，认为这种差异是由于器件在热压和烧结等制作过程中，陶瓷层和内电极层间不同的收缩率使得界面产生非均匀性力学性能而引起的，它与器件烧结时     

热等静压Al2O3／SiC和SiCw／SiC陶瓷磨粒磨损行为的比较研究

通过ＳＥＭ观察和ＥＤＸＡ分析对Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣ和ＳｉＣｗ／ＳｉＣ陶瓷的耐磨粒磨损性进行了比较研究。在低应力下，Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣ陶瓷的耐磨性优于ＳｉＣｗ／ＳｉＣ陶瓷，而在较高应力下则相反。     

低温烧结氧化铝基陶瓷材料的研究

介绍了一种经１５００℃烧结研制的Ａｌ２Ｏ３基陶瓷材料。采用ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等手段分析了助烧剂的成分及Ａｌ２Ｏ３基陶瓷的相结构，讨论了Ａｌ２Ｏ３基陶瓷结机理和部分性能。     

等离子喷涂陶瓷涂层透射电镜样品的制备方法

介绍了在４５＃碳钢上等离子喷涂ＮｉＣｒＡｌ粘结层与Ａｌ２Ｏ３＋１３ｗｔ％ＴｉＯ２陶瓷涂层界面研究的ＴＥＭ样品制备方法。ＳＥＭ和ＴＥＭ初步研究结果表明，陶瓷呈层状结构，片层间除存在完全接触区外，同时存在非接触区、金属粘结层－陶瓷涂层界面具有一定的厚度。     

Si3N4陶瓷材料高温氧化层的分析

利用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＸＰＳ和ＳＥＭ的分析方法，研究了在１３００℃下氧化后Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面氧化层的组成的形貌，结果表明，Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的表面氧化层是由方石英相和含有Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的ＳｉＯ２质玻璃相所组成，其中ＳｉＯ２玻璃相听Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的含量随氧化时间的增加而逐渐增加，同时在氧化层的内部都还存在部分Ｓｉ２Ｎ２Ｏ相。     

CVDBN陶瓷与金属接合机理研究

利用ＳＥＭ／ＥＤＸ、ＸＰＳ及Ｘ射线粉末衍射手段，对ＣＶＤＢＮ陶瓷与金属（无氧铜、钛）的接全机进行了分析，并用反应自由焓函数法对ＣＶＤＢＮ陶瓷与金属的界面反应作了热力学计算。结论认为ＣＶＤＢＮ陶瓷对无氧铜、钛的气密接合主要依靠活性焊料与ＣＶＤＢＮ陶瓷表面层间的相互扩散及反应。     

熔盐热析出反应金属化Si3N4与Si3N4的连接

在采用熔盐热析出反应在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷表面沉积钛金属膜的基础上,对ＣｕＡｇ合金在金属化表面的润湿性进行了研究,结果表明,ＣｕＡｇ合金能对采用该方法金属化的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷实现良好润湿,在此基础上,成功实现了钛金属化Ｓｉ３Ｎ４陶瓷与Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的连接并对连接工艺进行了系统研究。连接界面的ＴＥＭ研究发现,界面上广泛存在Ｔｉ－Ｃｕ－Ｓｉ－Ｎ相并对这种相对连接强度的影响进行了讨论。     

ZnO压敏陶瓷的晶界结构

用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的相结构与晶界结构，证实了晶界相的不连续性，发现低压ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系中ＺｎＯ－ＺｎＯ晶粒直接接触区晶界宽度约为４５ｎｍ，以及烧结过程中晶界上ＺｎＯ纳米级单晶的迁移行为并计算出ＺｎＯ晶界移动激活能Ｑｍ。     

高性能低烧BZN基多层陶瓷电容器电镀工艺研究

本文探讨了电镀工艺对ＢＺＮ基多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）电性能的影响。根据镀前、镀后ＭＬＣ电性能的明显差异,结合ＭＬＣ微观形貌及微区能谱分析,认为镀后ＭＬＣ电性能劣化的根本原因是ＭＬＣ本身端电极缺陷,电镀液渗入ＭＬＣ内部,有机成分的存在,使其性能劣化。     

Ni-Cr-P三元合金化学镀层的组织结构

用ＳＥＭ ，ＴＥＭ ，ＤＴＡ，ＸＲＤ 等方法研究了化学镀Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ 三元合金镀层的形貌和结构变化。结果表明，镀层组成均匀，呈非晶态结构，初始晶化温度为２７０．７ ℃，热处理可使镀层析出晶态Ｎｉ相和 Ｎｉ３Ｐ 相，高温热处理条件下还有晶态Ｃｒ 相和 Ｃｒ３Ｐ 相析出。     

掺杂V2O3素PTC陶瓷中金属相的研究

报导在掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷中引入Ｆｅ金属相，采用ＸＲＤ，ＳＥＭ分析技术确定Ｆｅ金属相在材料中的结构状态，并结合材料ＰＴＣ性能测试结果讨论了Ｆｅ金属相对材料烧结性能和ＰＴＣ性能的影响。     

ZTM陶瓷的耐磨特性

在ＳｉＣ磨粒磨损条件下对ＺＴＭ陶瓷的耐磨性进行了试验研究，并与工具钢、ＰＳＺ陶瓷进行了比较，在球磨条件下对圆柱形ＺＴＭ，ＰＳＺ和Ａｌ２Ｏ３试样的磨损作了对比实验，分析比较本实验条件下ＺＴＭ陶瓷磨粒磨损耐磨性与其力学性能，ＺｒＯ２相组成，显微结构以及试样中ＺｒＯ２添加量之间的相互关系，对该陶瓷的磨粒磨损过程及ＺｒＯ２相变对ＺＴＭ耐磨性的影响进行了初步探讨。     

Si3N4／SiC纳米复合陶瓷的微观结构

利用ＪＥＭ２０００ＥＸⅡ高分辨电镜和ＨＦ２０００冷场发射枪透射电镜对Ｓｉ３Ｎ４ＳｉＣ纳米笔合陶瓷材料的微观组织，结构和成分进行了研究。结果表明，ＳｉＣ颗粒弥散分布基体相β－Ｓｉ３Ｎ４晶内和晶界，晶内ＳｉＣ颗粒与基体相的界面结构有三种类型；１）直接结合的的界面；２）完全非晶态的界面；３）混合型的界面，晶间ＳｉＣ颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。     

（Y—ZrO2）—SiCw—Al2O3陶瓷复合材料的摩擦磨损

本文对Ａｌ２Ｏ３基陶瓷复合材料Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＣｗ进行了干摩擦磨损试验，并运用了ＳＥＭ，ＴＥＭ和ＸＲＤ等手段对其显微结构、力学性能及它们与ＧＣｒ１５钢对摩时的摩擦磨损行为进行了系统分析，在此基础上深入探讨了ＳｉＣ面增韧补强作用对复俣材料的摩擦磨损性能的影响。     

SiC—AlN—Y2O3复相陶瓷的制备与性能

通过热压烧结技术，ＳｉＣ、ＡｌＮ和Ｙ２Ｏ３粉末混合体在１９２０￣２０５０℃、Ａｒ气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到６００ＭＰａ和７ＭＰａ·ｍ＾１／２以上。运用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷在１３７０℃氧化试验３０ｈ，其氧化产物为莫来石。     

晶内型Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的制备

研究了沉淀法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的工艺过程，利用Ａｌ２Ｏ３从γ相到α相的蠕虫状生长过程，使大部分纳米ＳｉＣ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶粒内，用沉淀法制得的、含有５ｖｏｌ％ＳｉＣ的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷，其强度为４６７ＭＰａ，韧性为４．７ＭＰａ．ｍ＾１／２，与一般的Ａｌ２Ｏ３陶瓷相比有较大的提高，显示了沉淀法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的优点。     

ZrO2—30mol?O2陶瓷粉末的高能球磨过程

本文研究了ＺｒＯ２－３０ｍｏｌ％ＣｅＯ２陶瓷粉末的高能球磨过程，首先发现陶瓷材料在高能球磨过程中，有机械合金化（ＭＡ）发生。