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提出了一种基于三硼酸锂(LBO)晶体的飞秒绿色泵浦光学参量振荡器(OPO),其采用飞秒525 nm绿光光纤激光器作为泵浦源。OPO产生的信号光其可调谐的光谱范围由780~940 nm,光功率可达到250 mW以上;闲频光可调谐范围从1630~1190 nm,光功率可达到300 mW以上。利用本系统可在波数为1330 cm-1和6650 cm-1之间进行相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)光谱测量。由于脉冲啁啾,光谱分辨率达到100 cm-1,与时间带宽限制脉冲激励源相比,分辨率达到后者的2.5倍。 相似文献
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本文在分析了相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)光谱测温技术的基本原理上,引入了CARS光谱测温技术中的三种理论光谱模型:Q支振转CARS谱,S支转动CARS光谱和时间分辨CARS谱。利用计算机进行了三种理论光谱的计算,建立了随温度变化的CARS光谱库。 相似文献
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本文计算了四光束饱和相干反斯托克斯喇曼散射(CARS)光谱线型和多普勒加宽谱上的烧孔线型,给出了它们的近似解析式。分析了利用CARS线型上烧孔的消多普勒高分辨率饱和光谱方法。 相似文献
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同时测量氢和氧CARS谱的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种仅需一台染料激光器即可同时测量火焰中氢和氧的CARS谱的新方法.取带宽为120cm~(-1).中心波长位于580.4nm的Stokes光束与532nm的泵浦光束相配合.同时测量氢扩散火焰中的氢和氧的CARS谱.用氢的S(6)和S(5)的积分强度比确定火焰中的温度并与氮的Q支CARS谱测量的温度和经过热损耗修正的热电偶测得的温度取得了相当好的一致结果.一次测出氢和氧的CARS谱.避免多次测量中参数的难以重复性.提高了以温度为参数来确定浓度的准确性. 相似文献
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本文叙述了在宽带单脉冲CARS测温装置中,利用参量振荡器OPO代替常用的染料激光器作为斯托克斯光源,背向照射CCD接收信号的新型CARS测温实验装置。 相似文献
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光参量振荡器实现相干反斯托克斯光谱测温的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了在宽带单脉冲CARS测温技术中,利用参量振荡器(OPO)代替常用的染料激光器做为斯托克斯光的可行性。理论上分析了CARS的测温方法,并且实验上证明了采用OPO作为宽带单脉冲CARS测温中的斯托克斯光源是可行的。 相似文献
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本文利用相干反斯克斯拉曼光谱(CARS)技术,根据在低浓度时极化率的共振项对非共振项的调制与被测气体的浓度有关,提出了通过测量调制度求出微量气体浓度的方法,建立了共振极化率的调制度与被测气体浓度,温度之间关系,验证了数量关系式的正确性,其结果理论值与实验值在低浓度范围内的偏差不超过4.5%,并实测了酒精火焰中不同位置处的CO浓度,讨论了气体温度等因素对测量结果的影响。 相似文献
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Zhang Guangzhao Hu Jinglu Zhao Jinfu 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》1986,7(2):237-243
A series of interference filters composed of two resonant grids, with resonant wavelengths λm <200μm, were constructed, and the dependence of the spectral characteristics on the separation of the two grids was studied experimentally in detail. The multiple-beam interference theory was applied to analyse the experimental results. The theoretical calculations and the experimental results are in good agreement. A method is presented, by which double-grid interference filters can be designed with the computer aid. 相似文献
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Accurate determination of temperature rise in Burrus-type LED's by using resonant reflection spectra
《Electron Devices, IEEE Transactions on》1981,28(4):379-384
At the high injection operation of double-heterostructure (DH) light emitting diodes (LED's), such specific phenomena as temperature rise, band filling, carrier overflow, and ambipolar diffusion affect the device performance. We present an accurate method of mea, suring temperature rise in Burrus-type LED's by using resonant reflection spectra. This method is superior, especially for the high injection region, to the conventional emission-spectrum method and junction-voltage method due to its band filling-free and injection-free properties. An accuracy of ±0.8 K has been obtained, which is four times better than that of the emission-spectrum method in the case of Burrus-type LED's. This improvement is accomplished by using the resonant spectra in an absorption-free infrared spectral region. Thermal properties including dynamic behavior can be characterized quantitatively by deriving the thermal resistance and the thermal time constant of the device. 相似文献