长波段面发光激光器室温连续振荡获得成功

日本东京工业大学精密工程研究所的伊贺健一教授等人以1.3μm波长的面发光激光器在室温状态下连续振荡获得成功。 最近,作为面发光激光器,可以利用其光的并行性实现光计算机,以及用于计算机本身或集成线路之间的连接等,已引起人们的     

偏振面稳定的面发光激光器

日本RTA研究所与东京工业大学精密工程研究所的伊贺健一教授联合开发出偏振面稳定、且阈值电流小的面发光激光器(图1)。该激光器具有下述特点,因为它产生的光垂直于晶面,除可在单个基板上实现二维阵列化外,还可与其他的器件集成,适于作并行、大容量光通信用光源。以往的面发光激光器,存在偏振模不稳,也就是电场振动方向不一致的问题,因此,导致光干涉劣化、噪音增大,难以在未来大容量传输方式的相干光通信和要求低噪声的高速传输方面应用。     

集成1600个半导体激光器的LSI

<正>据日本《电视学会志》1991年第2期报道,日本电气公司已研制成在一块芯片上集成1600个半导体激光器的LSI.所开发的激光LSI是多功能的光芯片,它不仅具有面状发光,而且还有接收、存贮等功能.该公司采用独特的面输入输出光电融合(VSTEP)新技术的芯片,在1cm见方的芯片上集成1600个10μm见方的半导体激光器,比目前用发光器件制作的芯片速     

半导体激光器失效机理与检测分析研究进展

半导体激光器具有输出波长范围广、结构简单和易于集成等优势,广泛应用于医疗、传感、光学通讯、军事和航空航天等领域.随着应用需求不断增大,输出光功率不断提高,对激光器的可靠性提出了严峻的挑战.在回顾半导体激光器失效机理的基础上,分析光致发光技术、电致发光技术、阴极发光技术、红外热成像和微光显微镜5种有效的失效检测和分析手段,重点对有源区内部问题、腔面问题、焊接问题和操作环境问题的改善措施进行回顾和建议,为从事半导体激光器研究和生产的人员提供半导体激光器失效分析的依据.     

新型半导体面发光激光器

半导体激光器从光纤通信用的光源到CD、DVD、激光打印机等的光源被广泛应用。实际上这种被广泛应用的半导体激光器是“侧面发光型”的激光器。它是从半导体晶片的劈开面射出光束的激光器,光束截面呈椭圆形,在应用中有时需要采用光学系统。另一方面,最近人们开发了一种叫作“面发光激光器”的新型半导体激光器,在光数据链路等领域,作为光源正处于实用化阶段。它将在信息处理和新型激光打印机等领域得到广泛应用。     

Si基异质结构发光的研究现状

综述了Ｓｉ 基异质结构发光研究的现状。介绍了Ｓｉ 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Ｅｒ－ Ｓｉ 的发光、Ｓｉ 基量子结构（ 量子阱、量子点） 的光发射,重点研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ 异质结构的发光性质。同时还对多孔Ｓｉ 发光、Ｓｉ 基发光二极管（ＬＥＤ） 与Ｓｉ 双极晶体管（ＢＪＴ） 集成、Ｓｉ 基上垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ） 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。     

硅膜片可变焦反射镜

半导体激光器的发明，推动了将受光元件、发光元件、光波导和微透镜系统等集成于同一衬底上的光集成组合元件的研究。目前，正在进行着利用微机械技术使各种微小光学元件和驱动这些元件的传动机构更加小型化的研究。其中也包括对可变焦透镜和反射镜的各种试制方案的研究。然而，到目前为止，尚无在上述研究项目中达到实用化的报道。     

光子晶体垂直腔面发射激光器特性研究

本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展,重点评述了光子晶体垂直腔面发射激光器的优良特性及应用前景.我们认为光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调谐特性,可在二维光信息处理的GaAs基近红外波段激光器、面阵集成等方面具有很大的应用潜力.     

面发光激光器的最新进展

本文介绍面发光激光器件在研究和开发方面的新进展，着重介绍面发光激光器件在降低阈值电流的措施和单一模式。降低阈值电流的措施主要用多量子阱、多层反射镜和狭窄结构ＡｌＡｓ氧化膜，同时也报道了多光谱面发光激光器和面发光激光器的应用。     

基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展

垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用.文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展,并讨论了其发展方向.     

高速光器件的光集成及光电集成

本文介绍了高速激光器的现状，并综述了高速激光器的光集成和接收机的光电集成。最后，讨论了光集成和光电集居技术及今后的发展。     

室温连续振荡的GaInAsP／InP面发光激光器

室温连续振荡的ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ面发光激光器据《日经ＬＶ夕卜ｏ。夕Ｘ》１９９３年第５７８期报道，日本东京工业大学精密工学院研究所制成在最高温度１４Ｃ下连续振荡的面发光半导体激光器。以前的面发光激光器只有在一１００Ｃ以下的低温才能振荡，在室温下只能...     

Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。     

光纤有线电视技术入门30问(10)

问13 半导体激光器的基本结构和工作原理13.1 发光现象的基础如前文所述,对光纤传输不可缺少的,是沿着光纤进行从光到电、从电到光的信号形态变换的技术。这一变换技术就是用电信号调制发光器件输出光,或在接收到这一光信号之后,再将原先电信号解调出来的方法。前者的代表性器件是激光器。从技术上看,使光通信达到今日普及程度的关键,是优良光纤的开发以及激光器的     

超高速光传送集成电路

日本电气公司研制出一种1.2Gb超高速光传送光电集成电路.这种用于光发射和光接收的光电集成电路,把长波长半导体激光器和三极管集成到一块集成块上.发光用的发光集成电路用基片上的磷化铟,把1.3μm带的半导体激光器和驱动此激光器的3个双极晶体管,以及光接收用的光电二极管和3个场效     

硅基键合激光器的研究进展

硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键事方法克服了异质结外 可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件。特别是年来来发展起来的低落曙直接合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。     

QPC公司研制出高功率面发射人眼安全激光武器

QPC激光器公司成功完成了与美国国防部的合同,开发出高功率面发光人眼安全半导体激光器,作为激光武器应用。QPC公司是高亮度、高功率半导体激光器开发商,美国国防部已有意向与其制订进行下一步的开发计划。“QPC为成为世界第一家提供这种新的激光技术的公司感到自豪,展示了我们独特的面发光设计技术。体现了我们在长波高功率二极管阵列方面的能力。     

微球激光器

微球激光器一、前言担负着大容量、超高速信息处理的、能低功率运转、高密度集成的微型发光元件和开关元件特别引人注目。实现高性能微型元件的关键问题之一，乃是设法把光高效率地封闭在微小空间。一般说来，由于光的波动性，元件的容积越小，封闭光的效率就越低。例如由...     

面发光激光器在航空电子系统中的应用

垂直腔面发光激光器具有许多特点。这些特点是非常需要的，而且适合在光学互连、光学数据总线、光学和光学信号处理中应用。叙述了以GaAs为基础的垂直腔面发光激光器的基本器件结构和制造技术、讨论主要激光器性能特征、例如发射波长、光束图案、阈电流、输出功率、量子效率和调制响应。这些特征对激光器的潜在应用非常重要。还叙述了将激光器与n通道MESFET（金属—半导体场效应晶体管）驱动器单片集成化的最新成果。     

基于VCSEL的光发射模块的研究与设计

概述了近年来发展迅速的以垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为发光器件的发射模块的结构，以及半导体激光器的特性。在了解了半导体激光器驱动电路的基本功能和设计要求后，重点介绍采用美国MAXIM公司生产的VCSEL驱动器MAX3740来设计基于VCSEL的光发射模块。