氮化镓晶体管有望成新“半导体之王”几乎可实现电力转换的“零损失”

美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管，有望在短期内取代硅晶体管，成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研究报告发表在近期出版的《应用物理快报》上。     

碳化硅—半导体材料

自从1948年 Shockley 发明晶体管以来,半导体元件已愈来愈获得重要意义,它导致了主要是通讯技术和强电技术方面的革命性发展。对半导体材料性质的进一步研究(首先是锗,其后是硅),为这一发展提供了基础。半导体元件的特性是由所采用的半导体材料所决定的。因此,进一步研究半导体材料是发展具有更良好的或完全新的特性的半导体元件的关键。碳化硅(SiC)是一种适用于新技术用途的半导体材料,其显著特性优点是:耐高温;禁带宽;化学稳定性好和硬度高。为了充分利用材料的半导体性质,必须要将其制成单晶形式,同时纯度要特别高。碳化     

电力电子技术的应用和发展

1.电力电子学的新发展近20年来,电力电子学作为一门新兴学科已在国内广为传播.由于晶闸管在通态时的低压降,因而使电力电子技术获得了节能王牌的美誉.晶闸管的另一个优点是易于制成高压器件,从而在大功率方面的应用有了很大的发展.所以给人的印象是:电力电子技术是一种主要应用于电力或工业控制方面的技术.然而事物总是在不断发展,作为当时电     

热管的在电子器件热控制中的应用

随着电子器件集成化的发展，其热控制系统的散热量必然增加，对此，两相传热技术，主要指热管技术能够满足这种要求，并替代庞大的传统散热装置，这一技术从根本上可克服系统散热量的增加。本文综述了在这方面的最新应用和研究，其重点是热管在电子器件、装置和系统热控制中的应用，并对这一技术的应用以及发展作了评价，本文还论述了晶体管、晶闸管、计算机模块，半导体结和电子设备的散热问题，介绍了由一些理论模型和实验装置得到     

热管在电子器件热控制中的应用

随着电子器件集成化的发展,其热控制系统的散热量必然增加,对此,两相传热技术,主要指热管技术能够满足这种要求,并替代庞大的传统散热装置,这一技术从根本上可克服系统散热量的增加。本文综述了在这方面的最新应用和研究,其重点是热管在电子器件、装置和系统热控制中的应用,并对这一技术的应用以及发展作了评价,木文还论述了晶体管、晶闸管、计算机模块、半导体结和电子设备的散热问题,介绍了由一些理论模型和实验装置得到的温度梯度、热阻和瞬态特性。     

美IR(国际整流器公司)专家来宁作技术报告

江苏省电工技术学会和南京市电工技术学会于97年11月末邀请美国国际整流器公司(IR)总部的高级技术顾向、兼中国经理张为佐,IR的全球开关器件市场经理赵志翔及IP西安应用中心工程师李明在宁举行了技术报告会.报告会上张为佐先生较全面介绍了90年代电力电子技术现状,指出由于近20年来功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的发明和发展、微电子学和电力电子学的融合,使功率变换技术有了新的飞     

可编程阻抗的设计

随着电力电子技术的进步,半导体制造工艺不断改进,可变电阻等精密元件相继出现并取代了原有的机械式调节。现在,精密阻抗在自动控制、电路仿真等领域应用已十分普遍,但传统的阻抗元件存在取值范围小、无法实现精确的连续调节等问题,使其在实际应用中受到制约。本文针对上述情况,应用简单的阻抗元件、数模转换器和89C52单片机实现用户所需要的可连续变化的模拟阻抗,即可编程阻抗,具体的研究内容包括可编程阻抗的结构及其设计理念、硬件及软件实现方式。     

第三代光半导体元件雷纳

日本最近研制成一种近代的光半导体元件“雷纳”。以前电子学技术革新由真空管开始进展到晶体管、二极管,进一步出现了集成线路,但是最近适应信息化工业发展的全固体的光电子学逐渐为人们重视,这第三代半导体“雷纳”就是基于上述的半导体元件基础上出现的。从69年开始日本的一些电子工业公司都先后发表了一些显示装置等方面用的可见光发光元件,但不论那一种都只限于发光、受光和存储作用。     

AT89S51在低压无功补偿复合开关的应用

针对电磁开关和电力电子开关投切电容器在无功补偿装置应用中存在的问题,研制了一种基于单片机AT89S51并应用于低压无功补偿装置的复合开关.该复合开关与接触器、晶闸管投切电容器(TSC)相比,其主要优点在于它既有晶闸管过零投切电容器时电网浪涌电流小的优点,又有接触器闭合时晶闸管无功耗节能的优点.     

陶瓷敏感元件的发展趋势

敏感元件不仅在工业设备中得到了应用,而且在消费品中也得到了应用。在实际应用中,敏感元件所需要的条件越来越严苛,而且必须进一步降低成本。在本文中主要讨论陶瓷气敏元件和湿敏元件。一、气敏元件气敏元件是直接以电信号输出的敏感元件,可粗分为半导体型和接触燃烧型,很适于探测气体漏泄。半导体型敏感元件按下列方式进行工作。由加热器加热到高温的半导体(通常为 SnO_2、Fe_2O_3和ZnO 等 n 型氧化物半导体)与可燃气体接触时,其     

前端电流检测型有源电力滤波器在雷达系统的仿真

目前雷达系统中整流方式主要采用的是晶闸管或者二极管电路,雷达系统负载种类多、非线性严重、工作模式多,产生较大的谐波电流,使得电网电压波形变形严重,影响电网系统中其他设备的正常运行。解决这一问题的方法有两种:第一种对电源系统本身进行改造,采用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为功率元件,然后采用脉冲宽度调制(PWM),能够从根本上解决谐波源的发生,但此方法成本较高,不适合实际工程上采用;第二种方法是在电网侧增加电流谐波抑制装置,达到矫正电网侧电流以及电压波形的目的。有源电力滤波器(APF)是近年来研究的热门,其动态性能好,不与电网产生谐振,对不同频率的谐波均具有较好的补偿效果。本文提出了基于前端电流检测的有源电力滤波器在雷达系统中的应用,分析了工作原理,并验证了其有效性。     

焊接与电子

纵观60多年来焊接技术的发展进程,人们不难发现,在铸、锻、焊、热处理、切削加工等机械制造各门基本技术中,焊接跟电工技术的关系尤为密切,这是因为电弧焊、电阻焊、电渣焊、电子束焊等绝大多数焊接过程都是直接依靠电过程实现的,因此电工技术的每一项成就都对焊接技术的进步产生过直接的影响。半导体电子技术-现代电工技术的突出成就对焊接技术的影响就更非一般,一方面半导体功率电子器件(晶闸管、功率晶体管)和功率电子学的发展,使电子转换器正在成为焊接能源设备的主要形式;另一方面以大规模集成     

新型TGS气体敏感半导体元件

日本费加罗工程公司发展了一种新型半导体元件,应用这种半导体元件可以指示气体情况,并进行测量。这种半导体元件对气体非常敏感,甚至连香烟的烟及乙醇的气味都能分辨出来。元件的型号标记为TGS,它由氧化锌、氧化锡和氧化铁,亦即由含氧的物质所构成。元件在和气体,诸如氢、二氧化碳、甲烷、丙烷、乙醇、乙炔等等接触时,其电导率就会改变,亦即电阻值降低。电阻率变化越大,元件越敏感。这一电阻的变化在大部份情况下,足     

磁二极管

磁二极管是一种新型半导体元件,其电阻取决于一个外部的磁场。通过磁场变化可以使非电气值转换成为电气值。这种新型半导体元件可用于:直流电机整流,转数测量和电子控制及数据处理装置的指令输入及数据输入。     

先进实用电弧焊机的特点分析

当今世界上电子技术的迅速发展,对各行各业起到了巨大的促进作用.由于电焊机采用了先进的电子技术及其器件,新一代的先进实用电弧焊机脱颖而出,给焊接行业带来了福音.一种新型的有发展前途的产品——应用逆变原理采用晶体管作为逆变元件的晶体管式逆变电弧焊机应运而生.逆变电弧焊机是芬兰人在七十年代末发明的,早期是采用可控硅作为逆变元件(称为可控硅式),随着电子技术的发展,今天已普遍采用晶体管式了.晶体管式     

基于边缘和颜色特征的贴装晶体管类元件检测算法

为了检测贴装后的晶体管类元件,提出了一种基于元件边缘与颜色特征的检测算法.首先建立了元件在三色(红、绿、蓝)结构光下的模型,分析其特征;然后提取图像的边缘,在利用线滤波器和矩形滤波器过滤掉干扰边缘后,连接候选电极边缘,并引入HSI空间的颜色特征定位电极区域,再分析电极特征并确定元件贴装类型;最后基于投影的方法对元件主体进行匹配检测.实验结果表明:本文算法可有效地检测缺件、偏移、歪斜、错件等晶体管类元件常见的元件缺陷.     

PUT管在转换电路中应用

PUT系Programmable unijuntion transistor之缩写,它是近年来新出现的一种负阻器件。目前国内已有生产与应用,但是名称繁多,尚未统一,现在的名称有:参数可调单结晶体管,特性可调单结晶体管,可论程序单结晶俸管,变程式单结晶体管等。 PUT管和可控硅(SCR)的结构相似,也是由P型半导体材料和N型半导体材料构成的一种四层三端器件。但是,这种PUT管和可控硅相比又有所不同,其区别是:1.结构相     

可控硅三相桥式反并联无环流供电系统及其在电梯上的应用

一、概述高速电梯,特别是高速无齿轮电梯,国内外都采用直流发电机电动机传动系统。近十年来,半导体器件的新品种不断出现,在各种机械的电气传动中,愈来愈多的采用可控硅,晶体管半导体元件代替继电接触器、电机放大机、磁放大器等电气元件。可控硅在直流电气传动的应用方面,已经从励磁发展到直接供电。国内在电梯的可控硅控制方面,用来控制直流发电机的励磁较为成熟,而对于直流电动机直接供电的传动系统,目前则还处于试验阶段。     

碳化硅功率场效应功率晶体管仿真模型及其驱动研究

研究碳化硅结型场效应功率晶体管的静、动态性能及仿真模型,针对高速开关时的碳化硅器件开关震荡,提出有效抑制震荡与减小容性电流影响的碳化硅功率晶体管驱动电路.在分析器件半导体物理结构、测量碳化硅器件特性参数的基础上建立器件仿真模型,通过器件开关特性的仿真,分析了电路的驱动电压、开关速度、dv/dt及不同的驱动情况下对驱动电路压降的影响.结果表明,碳化硅结型场效应功率晶体管具有通态电阻低、损耗小、开关速度高的特点,驱动电路能有效地工作于高频状态下,开关震荡小,有利于器件应用在高性能的电力电子装置中.     

GD系列光电耦合器件的特性及应用介绍

光电耦合器件,是一种将电信号转变为光信号,又将光信号转换成电信号的传感元件。一般是将发光元件和光敏元件密封在同一管壳内,通常用砷化镓发光二极管和硅光敏晶体管组合,以光作为信号传递的媒介物。由于采用了电隔离,输入输出间有一个10~(12)Ω的高绝缘电阻,大大增强了抗干扰的能力。光电藕合器件,作为半导体元件,具备灵敏度高、响应速度快、可靠性高,以及小型化等等的优点。能广泛地应用于国民经济的各个