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正2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。 相似文献
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《电子产品世界》2006,(9X):34-35
德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极,从而实现了高效率和低电磁卜扰(EMl),在7V至8V电压范围内时,器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平,以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。 相似文献
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基于非穿通NPT/沟槽工艺的Light MOS,是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点,栅极电容较MOSFET小10倍.具有低功耗损耗特征.最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用.并与3A/600V/1.5—3欧姆的MOSFET等效。 相似文献
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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优 相似文献
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采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力. 相似文献
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Marián Stofka 《电子设计技术》2009,16(4):70-70,72
许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而.对于大功率MOSFET.特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT).工程师更希望栅极到源极电压为12V-15V.因为这些电源开关的导通电阻在高栅极到源极电压情况下会进一步降低。 相似文献