关于浅结测量的电解水氧化显微法的探讨

本文在实验的基础上,对电解水氧化显微法测量结深的三种方法进行了分析,为了提高测量精度,在实验方法上作了新的尝试;并将测量结果与阳极氧化法,理论计算值进行比较.分析认为电解水氧化显微法的两种测试结深的方法——干涉条纹法和相似比法是更为精确可靠的.     

瞬态退火过程中离子注入层杂质浓度分布的计算

本文在菲克定律的基础上导出了瞬态退火过程中注入杂质浓度分布与退火时间的关系,并对此理论结果进行了实验验证,两者符合良好。本文还讨论了瞬态退火过程中的增强扩散效应。     

离子注入和退火技术

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工艺。氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）ＴＦＴ已作为有源矩阵用于大面积显示（ＬＣＤ）...     

离子注入白光退火特性

本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩余缺陷。同热退火比较表明白光退火技术更适于超大规模集成电路的微细加工工艺的要求。     

离子注入多晶硅的电子束退火

本文介绍利用扫描电子束对离子注入掺杂磷的多晶硅进行退火、研究退火条件对多晶硅载流子激活率,迁移率和结构的影响,并与热退火进行了对比。实验结果表明电子束退火的多晶硅载流子激活率比热退火有明显提高,薄层电阻率也有所降低。     

硅中硼离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退火条件。对于采用920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)的~(11)B离子注入样品,经不同时间卤钨灯辐照退火后,测量了注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规炉退火作了比较。结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小以及快速、实用等优点。     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

离子注入硅的非相干光退火

本文综合概述了非相干光退火的历史,国内外现状,以及在电子工业中的应用前景。将非相干光退火与热退火、射束退火作了比较,表明非相干光退火在很多方面兼有二者的优点,弥补了二者不足之处。     

离子注入片的激光背面退火

本文给出了离子注入片背面激光照射退火的实验结果。用CWCO_2激光器和脉冲钕玻璃激光器从背面照射离子注入片进行退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质电激活,还可以得到注入图形不发生变化的退火效果。激光背面照射退火可在反刻铝后进行,就能避免激光退火后因再经高温热处理而引起的杂质析出;还可以省掉合金工序。背面照射产生的辐射损伤,也有助于萃取正面的微缺陷。     

离子注入硅的碘钨灯快速退火

本文描述作者研制的碘钨灯快速退火装置及其工艺实验。该装置具有结构非常简单、成本非常低廉以及操作十分方便等优点。使用该装置对注入硼和磷离子的硅单晶进行了灯退火实验。电学特性测量和SIMS测量结果表明:该装置退火的样品,电激活率与常规热退火相同,而注入杂质的再分布比热退火小得多。采用电子通道图技术检测样品注入层的晶格完整性。结果表明:经过该装置退火后,样品注入层由非晶恢复为单晶。文中对退火样品的薄层电阻和退火过程中杂质的扩散长度,进行了简单的计算,结果与实验基本相符。     

氧化后退火对超薄SiO_2栅氧化层的影响

作者在双壁石英管氧化炉中生成了5～6nm厚的超薄SiO_2膜,并在850～1100℃的变化温度下进行N_2和Ar退火,对于850℃下生成的氧化膜,所得到的击穿场分布很紧凑,集中在11MV/cm以上,氧化后在1000℃下退火所得的氧化膜与在较低温度下退火的氧化膜相比,击穿场的分布与击穿电荷密度有一致的改善,并且在高场电流应力下,采用了1000℃下氧化后退火(POA)工艺的氧化物出现了正电压平带V_(fb)的移动,而采用温度T<1000℃的POA工艺的氧化物则表现了负的V_(fb)移动。这些结果表明:5～6nm氧化膜的高温POA工艺对击穿强度和某些缺陷减少的影响是造成正电荷俘获的原因。     

硅中离子注入层的红外瞬态退火及其浅结的制备

本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.对于注入剂量为1×10~(15)As~+cm~(-2)的样品和3.6×10~(14)B~+cm~(-2)的样品,经红外瞬态退火后电激活率分别达到了90%和95%.用红外瞬态退火样品制作的台面管的反向漏电流,在相同的测试条件下,只是常规热退火样品的一半左右.对于通过650(?)SiO_2膜,25keV、5×10~(14)cm~(-2)剂量的硼离子注入样品,经红外瞬态退火后得到了结深分0.20μm的浅结.     

铒离子注入的硫化锌的退火研究

研究了100—700℃退火过程中铒离子注入的ZnS的光谱变化,从而分析了退火过程中发光中心的演变和缺陷的运动.     

硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.为了研究退火后残留深能级缺陷的电特性,对于离子注入MOS结构进行了DLTS测试.对于通过920A SiO_2膜,注入剂量为 1×10~(12)cm~(-2)B~+、能量为60 keV的样品,经常规热退火和红外瞬态退火后分别测到了深能级 E_T-E_v=0.24±0.02eV和E_r-E_v=0.29±0.02eV;并对引入这些深能级的缺陷进行了讨论.     

硅中离子注入层退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文将DLTS测试技术用于低剂量B~+注入MOS结构,并给出了计算方法.对通过920(?)SiO_2膜、注入剂量为5×10~(11)B~+ cm~(-2),经480℃、15分钟热处理的样品测到了E_T-E_V=0.19eV,E_T-E_V=0.26eV和E_T-E_V=0.33eV三个深能级;对于1×10~(12)B~+ cm~(-2)注入,经常规热退火(950℃、30分钟)和红外瞬态退火(辐照源温1150℃,40秒)后分别测到了深能级E_T-E_V=0.24eV和E_T-E_V=0.29eV;对引入这些深能级的残留缺陷进行了讨论.     

离子注入后短时间硼退火模型

离子注入后短时间硼退火模型＝ＡｍｏｄｅｌｆｏｒＢｏｒｏｎｓｈｏｒｔｔｉｍｅａｎｎｅａｌｉｎｇａｆｔｅｒｉｏｎｉｍ－ｐｌａｎｔａｔｉｏｎ［刊．英］／ＨａｎｅＭ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ．－１９９３．４０（７）．１２１５～...     

Si离子注入GaAs的红外快速退火

研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工艺可获得高质量的有源层以及抑制电子陷阱EL2的外扩散。     

GaAs离子注入Si的快速热退火

一、引言 GaAs集成电路的发展与在半绝缘衬底上进行外延的外延层或进行出子注入形成导电沟道的质量和接触区的常规工艺有关。由于在器件和电路制造过程中,存在外延材料成本高以及难以制成浅结等问题,所以,近年来,国际上广泛开展了离子注入高纯半绝缘GaAs来制造砷化镓场效应晶体管和进行GaAs单片集成电路的研究。离子注入具有掺杂浓度可控,均匀性和重复性好的特点,以及与其它工艺组合灵活等优点。但注入样品必须在高温(≥800℃)下退火,以消除注入损伤和电激活掺杂剂。在通常的炉子退火(850℃,30′)条件下,由于GaAs表面的As原子易挥发,使得GaAs的化学计量比失配,造成器件特性变坏。使用包封层,虽然解决了As原子的挥发问题,但由于包封层与样品之间的热膨胀系数不匹配,在高温下存在热应力,进而引起膜皱曲甚至脱落,样品表面层中该热应力引入缺陷杂质对材料特性产生影响。目前,国外研究较多的是快速热退火(RTA)。这种方法由于退火时间短,退火温度高,更有利于复杂缺陷的消除,激活层电特性好,注入杂质和衬底杂质的互扩散小,不需包封层,因此消除了包封层和衬底界面处的应力和组分互扩散,而且退火时不涉及AsH_3这样的有毒气体。     

硅离子注入SI-GaAs的快速热退火

使用高频感应加热的石墨作为红外热辐射源研究了SI-GaAs中Si注入的快速热退火(RTA)。对快速热退火在缺陷消除方面较常规退火具有的优点进行了讨论。在900～1050℃退火温度范围内,RTA的激活率随温度增加而增加,高剂量时RTA的激活率比SiO_2包封常规退火的高一倍多,载流子浓度可达1.5×10~(18)cm~(-3)。采用Si两次注入获得了性能优良的薄层掺杂材料。这种材料用于器件制造取得了很好的使用结果。     

离子注入靶片的补偿自退火

一、引言众所周知,离子注入半导体靶片后,必须进行退火处理。退火的作用有二:其一,消除在离子注入过程中形成的晶格损伤;其二,激活注入离子。迄今为止,常用的退火方法有:热退火、激光退火、电子束退火和闪光灯退火等。这些退火方法的共同点,都是给靶片一定的能量;不同之处,只是提供能量的方式不同。既然如此,我们可以利用注入离子交给靶片的能量,、实现退火,这就是靶片的“自退火”。然而,这种自退火行