电子镇流器中半桥逆变器与谐振电路的频率匹配

荧光灯与高频电子镇流器的非阻抗匹配性质,导致在负载灯管一端要引入电感电容,以便与电子镇流器阻抗匹配。电子镇流器的设计中,电子镇流器的振荡频率与串联谐振电路的振荡频率必须匹配,否则会引起开关管工作波形异常,开关管也会有更大功率损耗,降低能效,甚至损坏半桥电路开关管器件本身。     

电子镇流器驱动器电路BL8305A

<正> 上海贝岭公司最近推出的电子镇流器专用控制/驱动器芯片 BL8305A 是BL8301的升级产品。与 BL8301相比,BL8305A 的功能进一步得到提升。众所周知,目前国外所有电子镇流器控制器IC 都是为驱动功率 MOSFET(或 IGBT)而设计的。BL8305A 成功解决了 MOS-FET 与双极型开关晶体管驱动的兼容性问题,它既可以驱动半桥配置中的两个功率 MOSFET,也可以用作驱动两只高/低端双极型功率晶体管。     

SOS工艺的进度及应用

引言绝缘衬底上外延硅工艺起始于1963年。这种工艺分别简写为SIS、ESFI(绝缘层上外延硅薄膜)、SOS、SOSL(尖晶石上外延硅)等。用硅-兰宝石(SOS)工艺已制作出各种器件和电路,如二极管、二极管开关和二极管带、P沟与n沟MOS场效应晶体管及SIG场效应晶体管,用于动态逻辑和存储器的互补MOS电路,高频双极晶体管,由SOS有源元件制作的甚高频和超高频集成电     

双闭环反馈控制半桥DC-DC变换器设计

桥式拓扑广泛用于直流供电电压高于晶体管的安全耐压值的离线式变换器中,针对双闭环反馈控制半桥DC-DC变换器电路,为了得到稳定的直流电压、电流输出,采用电压闭环回路和电流闭环回路的反馈放大最终实现对半桥开关PWM波信号的控制,进而影响半桥变换器的轮流导通MOS开关管的导通占空比的方法,通过闭环网络仿真实验和硬件电路功率实验,验证了双闭环反馈控制可以满足半桥电路3.6 kW功率输出的要求.     

电子镇流器用新型功率开关器件

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体     

用于反激式变换器的BJT功率管驱动电路的设计

为反激式变换器BJT功率管设计了一种驱动电路。针对电流镜复制的精确度,设计了运放、MOS管组成的深度负反馈环路和共源共栅结构对电路进行钳位,使电流精确复制到功率管基极;针对BJT管较慢的开关速度,配合数字控制,缩短功率管状态转换所需时间,降低了功率管损耗。在CSMC 18μm 18 V工艺下,利用Hspice软件进行仿真,结果表明,BJT功率管工作在饱和区,开关转换速度增强,满足了反激式变换器对BJT功率管开关速度的要求。     

安森美推出500V和600V的高压MOSFET

安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500V和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列。这些新方案的设计适合功率因数校正和脉宽调制段等高压、节能应用的强固要求,在这些应用中,加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言,这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器,及应用于ATX电源、液晶显示器面板电源和工业照明镇流器。     

高功率因数电子镇流器

<正> 本文介绍的双U型9W、11W、13W和双D型16W节能灯电子镇流器,采用功率因数校正(PFC)电路,并用双极静电感应晶体管(BSIT)作为半桥逆变电路中的功率开关,从而具有高达0.97的功率因数和低于25％的总谐波失真。 工作原理 图1是采用无源功率因数校正电路的13W双U型电子节能灯电原理图。其中,二极管D1～D4组成全波整流器。电容C1、二极管D5和反馈环路中的二极管D6组成无源PFC电路,用作电流谐波滤波。功率开关晶体管BG1和BG2、电流脉冲变压器BI、电容C3与C4等组成LC耦合的半桥逆变器。扼流圈L1和电容C6等组成LC串联谐振型灯电路。正温度系数热敏元件RT1用作灯阴极预热。     

TL镇流器电子驱动器VK06TL的应用

VK06TL是ST公司生产的带有控制电路和复合功率开关的TL电子镇流器驱动器。用该器件设计电子镇流器时，其灯预热频率、稳态工作频率及灯寿终定时保护等一些参数均可通过外部元件来设定。文中介绍了VK06TL的结构与特点，给出了其工作原理和典型应用电路。     

IC新品专讯

意法半导体新推的栅驱动器 集成监视和错误保护功能 意法半导体(ST)日前推出一款先进的用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率场效应MOS晶体管的栅驱动器。这个驱动电路集成了控制和保护功能,简化了高可靠性系统的设     

一种性能优良的电子镇流器

<正> 笔者通过对多种市售成品电子镇流器电路的剖析和反复实验对比,设计出一种性能稳定、工作可靠、性价比高的电子镇流器电路,它不仅适合电子爱好者自制,也可供生产厂家借鉴参考。 工作原理 图1示出了电子镇流器的电原理图,为便于说明原理,图1中绘出虚线框内的日光灯管接线。二极管D1～D7和电容C2、C3等构成交流电整流滤波电路,向镇流器电路提供直流用电。开关功率三极管BG1、BG2和双向触发二极管ST、单孔磁环变压器T等构成高频振荡开关波(方波)产生电路,其中R1、C4和ST组成锯齿波发生器,用于启动振荡电路。方波振荡电路将直流电变为高频交流电,用于点燃日光灯管。由于BG1、BG2工作在开关状态,故可获得极高效率。电感L2和C8、C9等构成串联谐振电路,其作用是起辉日光灯管和限制灯管工作电流。     

MOSFET模型及其参数提取(上)

一、引言晶体管模型及其模型参数的精度对电子电路计算机辅助设计和分析(CAD和CAA)的结果影响很大.对双极结型晶体管(BJT),已有了分级EM模型和GP模型,模型参数的测定方法也较完善.对MOS场效应晶体管(MOSFET),迄今用于CAD和CAA的模型还很不完整,还不能模拟全部工作区(亚阈、线性、饱和、击穿)的特性.用户较多的SPICE电路分析程序用的MOSFET模型是具有一定精度的较实用的模     

智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。     

自振荡半桥驱动器IR215X的可变频率驱动技术

在功率电路应用中,常常要求开关频率能连续变化。本文介绍了一种采用自振荡半桥驱动器ＩＲ２１５Ｘ实现的频率可变的驱动电路,并在高压钠灯电子镇流器上得到了应用。     

设计高频高压场效应晶体管的一些考虑

高频高压场效应晶体管(LDMOS)是功率MOS器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集成)电路的器件之一。本文从结构上描述了器件的高频、高压特性,并提出了一些可提高这些性能的措施和设计思想。     

一种抗干扰能力极强的计算机通信接口电路

设计了一种结构简单，抗干扰能力极强的计算机通信接口电路。该电路利用模拟开关实现了全数字二态电平（1，0）与三态电平(1，0，-1)之间的相互转换；利用模拟开关导通电阻的动态效应以及MOS晶体管开启电压Vτ的衬偏效应，提高了接收电路的抗干扰能力，提出了一种与共模干扰无关的模拟数字混合接收电路。     

IR215×在荧光灯电子镇流器中的应用

<正> 目前国内生产的荧光灯电子镇流器绝大多数采用驱动变压器式的半桥拓扑结构来驱动功率MOSFET,两只功率MOS-FET管在驱动变压器的作用下交替导通给灯管提供电流,开关频率由LC共振频率决定。这种电路存在着以下缺点:(1)电路本身不能自启动,通常要在低侧功率MOSFET管栅极加上双向触发二极管才能在电路接通瞬间触发低侧功率MOSFET管;(2)驱动变压器限制了电子镇流器的小型化;(3)驱动变压器的生产成本高。 采用IR215×系列控制集成电路取代传统的变压器驱动方式可克服上述缺点。IR215×系列芯片为高压、高速功率MOSFET或IGBT驱动集成电路,可驱动高侧和低侧MOSFET或IGBT,能够提供高达600V的直流偏置电压,具有自振荡或     

用低功率IGBT作为开关器件的电子镇流器

目前国外荧光灯交流电子镇流器主要是向大功率和低功率两极方面发展。迄今为止,国产电子镇流器仍以配接16W、2D型节能灯为主流,SW到11W的一体化电子节能灯也具有较大的潜在市场。对于20W以下荧光灯交流电子镇流器,大多采用MJE13003-类双极型晶体管作为开关器件,只有少数厂家采用了MOSFET。事实上,适用于低功率荧光灯电子镇流器的IGBT已经应运而生,并开始崭露头角。图1示出的是采用ZCN0545A型低功率IGBT作为开关器件的16W节能灯电子镇流器电路。     

NS开发增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成     

元器件与组件

面向各种无线通信应用的超小封装场效应晶体管；超小型SOT-963封装双小信号MOSFET；30V TrenchFET功率MOSFET；高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块。