美科学家成功将化合物半导体纳米线整合在硅晶圆上

据美国物理学家组织网报道,美国科学家开发出一种新技术,     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）将于近日召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。 在经过几轮争议之后,芯片制造协会Semotech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0.9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）于11月10召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。芯片制造协会Sematech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0．9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。下个月,半导体业界将争取指定450mm晶圆的“测试晶圆厚度”标准。     

全球2011年4-6月硅晶圆供货量环比增加

国际半导体制造装置材料协会SEMI公布了全球2011年第二季度半导体用硅晶圆的供货业绩。从环比结果来看,虽然2010年第三季度达到峰值后连续2个季度出现减少,但在2011年第二季度转为增加。SEMI公布的内容如下：2011年第二季度的硅晶圆供货面积同比增长了1．1％,环比增长了4．6％,为2115万片／季度（按300mm晶圆换算）。     

2011年硅晶圆出货量持平未来两年将稳健增长

根据SEMI最新公布的年度半导体硅晶圆出货预测报告,2011年硅晶圆总出货量预计将相当于2010年,而2012及2013年则将持续稳健增长。2011年全球抛光硅晶圆（polished silicon wafers）和磊晶圆（epitaxial silicon wafers）出货将维持在9,131百万平方英寸的水平,2012年上升至9．929百万平方英寸．2013年更将增长N9．995百万平方英寸。（见表1）     

电子表格模型在半导体晶圆制造产能规划中的应用

半导体晶圆厂的设备非常昂贵,对设备利用率的要求较高,设计一套简单实用的办法进行产能规划是十分必要的.本文提出了产能规划的三大模块,在前两个模块中将建立半导体晶圆制造产能规划的电子表格模型(Spreadsheet),在第三个模块中利用产能规划模型的数据结果进行分析,总结出一些改进方法.通过在某半导体晶圆厂的实际应用,该产能规划模型有效地解决了投料不均,设备负荷率波动过大等问题.     

2009年硅晶圆需求将减35％下半年或反弹

市场研究公司Gartner指出,2009年硅晶圆需求预计将较2008年减少35．3％。受金融危机造成的电子产品与半导体产品需求下降,2008年第四季度硅晶圆需求环比减少36．3％。Ga~ner目前预计2009年全球半导体收入将减少24％至33％。     

石墨在半导体行业中将取代硅

碳在元素周期表中的独特位置，为CNT带来许多令人难以置信的特性。它们比钢硬，但比铝轻。它们显示出了在RAM，MEMS（微电子机械系统）、传感器和显示器方面应用的潜力。它们有望首先提高存储器然后是逻辑电路的密度、功率和可靠性。     

半导体上生长出石墨烯用于太阳能电池和发光二极管制造

正挪威科技大学的研究人员开发出一种低成本的方法,能够在砷化镓纳米线上生长出石墨烯。研究人员称,这种石墨烯半导体混合材料具有优良的光电性能和透明、可弯曲等特性,有望加速石墨烯的商业化进程,为半导体产业带来变革。相关论文发表在《纳米快报》杂志上。负责此项研究的挪威科技大学电子与电信系教授黑尔格·韦曼教授说:     

用于应变硅和化合物半导体的锗前驱物

随着Ge重要性的提高,需要寻找比GeH4更适用的前驱物。本文对用于应变Si和化合物半导体集成电路的两种新型Ge前驱物的品质特性进行了探讨。     

美提出改进塑料半导体性能新理论

据每日科学网日前报道,消费者一直希望拥有能弯曲的智能手机和平板电脑,但现在的芯片、显示器等电子元件一般由金属和无机半导体组成,因此,科学家们尝试着用塑料（聚合物）研制出柔性电子设备,但塑料的导电性不强。美国科学家最近提出改进塑料半导体电学性能的理论和公式,     

355 nm紫外激光在硅晶圆上标识二维码的工艺研究

利用紫外纳秒标识系统对硅晶圆表面进行二维码直接标识试验研究。采用控制变量法,分别研究不同的脉冲占空比、重复频率、光斑重叠率对标识材料的热损伤、表面形貌以及二维码识读效果的影响规律。研究结果表明,脉冲占空比和重复频率对标识区域的环宽和热损伤影响效果明显,二维码的读取率和识读时间同时受占空比、重复频率、光斑重叠率影响。单脉冲能量在10.7～20μJ范围内可以标识出符合SEMI标准的均匀、细腻、稳定、高识读率的无尘标识。     

日本科学家利用化合物半导体制作高性能光开关

日本早稻田大学的宇高胜之教授等人,在日立制作所的协助下,开发出可以超高速分配光通信信号的化合物半导体制作的高性能光开关（Switch）。该小组下功夫研究组件的构造，防止偏光造成的性能劣化。2010年中可望实用为大容量光网络的关键零组件。     

技术动态

美科学家成功将化合物半导体纳米线整合在硅晶圆上美国科学家首次成功地将化合物半导体纳米线整合在硅晶圆上,攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到晶     

科学家成功制成“纸电池”成本低寿命长

美国加州斯坦福大学的一个研究小组研究发现,科研人员将由银和碳纳米材料制成的特殊墨水,涂在纸张上,成功制成“纸电池”,为轻型、高效的新型能源存储带来希望之光。先前研究发现,用硅纳米线做成的电池是锂离子电池功效的10倍。本次研究结果发表在美国《国家科学院院刊》上。     

科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗

<正>据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,     

台湾联华将在厦门投资高技术半导体企业

正台湾的大型半导体代工生产企业联华电子(UMC)10月9日宣布,将出资13.5亿美元,于2016年第4季度在福建省厦门市启动半导体合资生产。将携手福建省电子信息集团和厦门市政府组建合资公司,建立总投资额62亿美元的新工厂。将向合资公司提供生产技术,以满足中国大陆急剧扩大的智慧手机和汽车用半导体市场需求。     

科学家首次成功地在硅上集成50μm的厚锗——构造单片半导体结构技术取得突破

瑞士和意大利的科学家在2012年3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大的突破,成功地在硅上集成了50μm的厚锗;新结构几乎完美无缺,最新的研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。     

2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术

即将于今年12月5～7日举行的本届IEEE IEDM(国际电子器件大会)中,将有来自三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录。英特尔的团队将揭示带30 nm栅极的三栅极(tri-gate)FinFET型量子阱