多线切割中切割线振动作用研究

在多线切割中砂浆有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。讨论了切割线在运动中的振动效果以及对切割产生的影响,通过试验及对高速摄像机拍摄照片的分析,得出不同砂浆携带方式极其在工作中的振动会直接影响到切割出晶片几何参数的结论。     

多线切割工艺中切割线直径对翘曲度影响的研究

目前,在硅单晶锭切割领域多线切割机已得到广泛的应用。切割砂浆及切割线在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。主要讨论切割线直径的不同对切割出晶片几何参数的影响。     

多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响

目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。     

多线切割工艺中晶片翘曲度的控制

翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原因,并得出了翘曲度的分布规律.针对影响翘曲度的主要因素,根据其分布规律调整相应的切割工艺条件,可较好地控制晶片的翘曲度.虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析,但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中.     

太阳电池用Si片切割过程中浆料作用研究

Si片生产技术及工艺的进步使得太阳电池用Si片的切片厚度不断降低,而超薄的太阳电池用Si片必须通过多线切割机进行切割.基于Si片切割过程中砂浆性能对Si片表面质量、Si片成片率和切割线寿命的影响,分析了多线切割机中切削液的性能,并采用不同工艺参数多次进行试验,总结出了砂浆对太阳电池用Si片切割状态的影响因素.通过分析,得出了改善砂浆性能来提高多线切割机切片性能并获得更高的Si晶片表面质量的方法.     

锗单晶切割工艺研究

多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒（主要为SiC）与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数（主轴平均转速,砂浆流量,砂浆供给方式等）与硅材料成熟切割工艺进行对比实验,进而稳定锗材料的切割工艺。     

Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了Si片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响Si C片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比

通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。     

金刚石多线切割设备在SiC晶片加工中的应用

介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV(整体厚度偏差)的影响,给出了实验比较结果,通过改变工艺参数可以使各切割片的TTV控制在25μm之内。     

切割速度对硅片翘曲的影响

根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数。根据单位时间内钢线的切割面积相等的理论设计了对称变化的切割速度曲线,又根据砂浆磨削能力的影响设计了非对称变化的切割速度曲线。用两种切割速度变化曲线进行了对比实验,根据实验结果确定在实际切割中必须考虑砂浆磨削能力的影响从而必须采用非对称的切割速度变化曲线。分析了影响线切割机加工质量的因素,并且给出了提高线切割机加工质量的改善方向。     

多线切割中温度对悬浮液的影响

多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮液有着非常重要的作用,性能优良的悬浮液兼有切削、粘滞、冷却三大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率。研究其特性主要是温度对其的影响,说明在科研生产中,悬浮液要控制在适宜的温度范围内,才能有效控制晶片质量。     

多线切割机的切割运动分析

半导体晶圆不断向大直径方向发展,内圆刀具的单片切割方式已经不能满足大直径晶圆的切片要求,随着多线锯切割技术的完善,多线切割机已经是半导体材料切片的主流设备。对砂粒在切割过程中的运动进行了分析,同时对钢线张力、切削进给运动进行了理论分析。     

Si单晶片切削液挂线性能的研究

Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率.为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比.