PolyZen 48V过电压抑制器件上市

泰科电子日前在美国加州Menlo Park市宣布其受大众青睐的PolyZen聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉添新成员。高性能的ZEN 132V器件现有ZEN132V075A48LS配置。它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。     

泰科电子推出2．3A POLYZEN新器件

泰科电子为增强型齐纳二极管微型模块PolyZen系列增加了两种新产品。新产品具有更高的保持电流（2．3A）。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。PolyZen器件能够削平和平滑电感性电压尖脉冲,防止过电压和反相偏压传到下游电子电路而造成损坏。     

PolyZen的工作原理

PolyZen是一种新型过流、过压保护器件,是泰科电子（Tyco）公司开发的器件。PolyZen是PolySwitch和Zener两个字组合成的,PolySwitch是一种非线性聚合物正温度系数热敏电阻（PPTC）,Zener是齐纳二极管（稳压二极管）。PolySwitch作过流保护器用,而Zener作过压保护器用。     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

一种采用齐纳管作为开关器件的Dickson电荷泵电路

文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路,采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题,并且可以利用齐纳管来稳定输出电压。Spice仿真结果显示,五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单,与标准CMOS工艺兼容,具有较高的应用价值和经济价值。     

齐纳二极管调整器设计

IC电压参考很受电路设计者的欢迎，因为它们不仅精确而且飘移很小。在今后的一些专栏文章中，将陆续讨论三种IC电压参考：埋人式齐纳二极管、带隙及XFET。当您用齐纳二极管进行参考设计时，由于齐纳二极管相对较简单，因此可用它来演示设计过程，而使用中的问题会让您庆幸有IC电压参考。电路指标为：VCC=30V±10％、8．445V≤VRFF≤9．555V、ΔVREF≤200mV、100kΩ≤RLOAD≤200kΩ及0℃≤TA≤80℃。     

精密基准电压电路

文章介绍了在精密测量系统中，当前广泛采用的离子注入淹埋齐纳二极管基准电压及带隙基准电压电路原理；带隙基准电压器件ＡＤ５８０；淹埋技术齐纳二极管基准电压器件ＡＤ５８８；Ｋｅｌｖｉｎ连接及４线欧姆测量应用。     

新型2．3APolyZen电路保护器件

精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZen系列增加了两种新产品，具有更高的保持电流（2、3A），可对GPS、智能电话、游戏机、PMP和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。     

万能齐纳二极管测试仪

齐纳二极管的精确度在于击穿电压及其公差。公差可以在5—20％之间变化。这里介绍的万能齐纳二极管测试仪电路，能够检验精确的击穿电压和公差值，还能够检测齐纳二极管的动态阻抗(齐纳二极管的动态阻抗特性决定了该齐纳二极管稳定电压性能的好坏)。如果齐纳二极管用于要求较高的地方(比如数字电压表的电压参数、控制系统和精确的电源电路)，还必须检测其温度系数。但对于业余爱好者，则没有这个必要。     

泰科电子推出新的2．3APOLYZE器件

日前,泰科电子宣布该公司的聚合物保护的精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZenTM系列增加了两种新产品。这些新产品具有更高的保持电流（23A）,可对汽车全球定位系统（GPS）、智能电话、游戏机、便携式媒体播放器（PMP）和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。齐纳二极管能精确将电压箝位,     

双高压肖特基整流器

日前，Vishay Intertechology，Inc．(VSH)宣布推出三款新型双高压肖特基整流器，这些整流器具有最高可达200V的反向电压、20A正向额定电流，最高可在175℃的温度下工作。出色的200V正向电压肖特基整流器足采用碳化硅技术以低成本工艺制造的，这些基于硅的新型器件旨在实现输出电压高达48V的交流／直流及直流／直流转换器的次级整流，以及续流和极性保护应用。     

Diodes静电及电涌保护器提供最佳保护及简易检测

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出汽车级静电及电涌保护器D24V0L1B2LPSQ。相比齐纳二极管和压敏电阻器件,新产品在制作流程当中可提供更完善的保护及更简易的检测,并能提高可靠性。 要抑制瞬态电压,保护CAN与LIN车用两线总线通信网络对维持可靠性及安全性实在至关重要。而D24V0L1B2LPSQ的电容仅为15 p F,加上0.2Ω的动态电阻,比起齐纳二极管和压敏电阻器更能加强触发能力,从而提供超卓的保护解决方案。     

一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究

提出了一种实用的高压BiCMOS工艺.该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件.NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压为37 V;齐纳二极管在25 μA时其反向击穿电压为5.5 V.使用该工艺,研制了一款低压差线性稳压器(LDO),基准源静态电流小于1.5 μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制.     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

基于双极载流子导电的新型恒流器件

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。     

凌力尔特公司推出LT3014B的军用MP级版本

正凌力尔特公司推出LT3014B的军用MP级版本,该高电压、微功率、低压差稳压器能够提供20m A输出电流。LT3014B可在3~80V的连续输入电压范围内工作,并产生1.22~60V的输出电压和一个350m V的低压差,非常适用于汽车、48V电信备份电源和工业控制等应用。该器件具有非     

电压反转器TC962

<正> 在电子线路中,有不少器件是需要正负电源供电的,如运算放大器、A/D变换器等。对用电池供电的便携式电子产品来说,这会增加电池数量,进而增加产品的体积及重量。本文介绍的一种大电流电压反转器TC962,不仅能将正电压转换成负电压,而且内部还具有一个齐纳二极管,可用以提供基准电压:TC962不仅适用于便携式电子产品,也适用于用市电供电的设备,它可以简化电源设计及降低成本。 内部结构与工作原理 TC962是美国Telcom公司的产品,是TC7662的改进型,它的特点是:最大输出电流为80mA;工作电压范围宽(3～18V);输出电阻低,其典型值为28Ω;电压转换效     

分立半导体

高电压肖特基整流管。MBR60100CT肖特基整流管最适合100至300W供电应用，具有100V反向电压和60A正向电流，封装形式是TO-220AB。该器件典型正向电压是0．64V，最大反向漏电流20mA，典型漏电流仅8．5mA。     

MSP430微控制器讲座（五）—系统电平转换的逻辑接口电路

TI公司的MSP430系列微控制器中大多数MCU的工作电源电压为1．8-3．6V，相对于其它半导体公公司的5V电源电压供电的微控制器来说，MSP430系列具有低电流、低功耗的优势，但在系统设计中也存在着与不同电源电压逻辑器件或数字器件的电平接口转换问题。本文着重介绍MSP430系列MCU与常用的5V逻辑器件或数字器件之间的电压转换接口电路。     

产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.