4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

4位非易失性状态保存器

4位状态保存器FM111x以4位FRAM技术为基础，无须耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为FRAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。     

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦电子公司今天宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。飞利浦表示，这两项最新的发展是飞利浦产品发展规划中的重要里程碑，表明其低功耗闪存／EEPROM技术已扩展到90纳米CMOS及更先进的水平。     

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM器件的千分之一,并具有快速读／写特性和几乎无限次的耐用性。（来自Ramtron公司）     

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM,具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

Ramtron发布高速8051内核MCUVRS51L2070

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron International向全球发布其高速的8051内核MCU—VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。     

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器

Ramtron International Corporation日前推出业界首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20,它采用130nmCMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。     

Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。     

FM23MLD16：F-RAM存储器

Ramtron推出8MbF-RAM存储器,采用改进型FBGA封装。FM23MLD16是采用48引脚细间距球栅阵列（FBGA）封装的8Mb、3V并行非易失性RAM,具有访问速度快,几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM（SRAM）兼容,主要针对工业控制系统,如：机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统以及各种基于SRAM的系统设计。     

4DS和SEMATECH合作开发下一代非易失性存储器

硅谷的电阻随机访问存储器（RRAMJ技术公司4DS与美国半导体制造技术战略联盟（SEMATECH）的前端处理（FEP）部门合作,共同开发非易失性存储器技术。     

用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

这些用于180纳米工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置,     

Synopsys推出可用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

Synopsys,Inc.宣布:即日起推出面向多种180 nm工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程     

RAMTRON宣布与IBM达成代工协议

世界顶尖的非易失性铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布已与IBM达成代工服务协议,两家企业计划在IBM位于美国佛蒙特州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设Ramtron的F—RAM半导体工艺技术,一旦安装完毕,这一新代工服务将成为Ramtron推出高成本效益的新型高性能F—RAM半导体产品的基础。