SEZ盛邀世界级行业专家GLENN GALE出任FEOL清洗项目部副总裁

奥地利VILLACH(维拉赫)和瑞士苏黎世，2005年6月27日讯-半导体业界中单晶圆湿式清洗技术市场领先者和首要的技术创新者SEZ(瑟思)集团宣布，诚邀Glenn Gale博士出任新创立部门一前段工艺过程(FEOL)清洗项目部副总裁职位，负责管理SEZ集团全球FEOL清洗制程工艺。在全球客户的范围内，指导公司FEOL清洗解决方案的引进和实施，集中关注围绕65nm和45nm技术标准的直接需求。     

单晶圆湿式处理市场取得长足进步

随着半导体向65nm和45nm工艺发展，前段（FEOL）和后段（BEOL）晶片清洗技术都面临着新挑战。SEZ亚太区技术行销副总裁陈溪新认为，半导体结构和材料变得越来越脆弱，而清洗效果和材料损失的要求却变得越来越严格。特别对于关键层而言，更需要革新技术加以应对，而这正是SEZ的优势所在。     

单晶圆FEOL光阻去除创新解决方案问世，可缩短工艺流程

单晶湿式处理解决方案提供商SEZ（瑟思）集团日前宣布，已开发出新型化学工艺，将极大地改善前段工艺（FEOL）中的光阻去除工艺。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid（ESA）去除工艺能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂，缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除工艺的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除工艺之后的残留物去除等。     

单晶圆清洗技术

由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小,以及新材料的引入,使得前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)中表面处理显得更为重要,从而对晶圆的传统表面清洗技术提出了新的挑战。介绍了单晶圆清洗技术的发展现状和几家设备公司的市场应用动向。     

FSI国际收到一家全球性领先的晶圆厂对其ANTARES清洗系统的多套继续订单

FSI国际有限公司近日宣布，一家全球性领先的亚洲晶圆厂再次定购多套ANTARES超凝态过冷动力学清洗系统，大幅提高了该平台的安装数量。该系统具有通过使用在线直流参数测试去除生产残留物的能力，而这些残留物曾被报告会导致良率的损失。这家晶圆代工厂目前使用ANTARES系统完成各种前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）中的微粒去除工艺，该项订单实现了在65nm和90nm技术节点更高的在线参数测试清洗的能力。     

利用兆频超声波实现无损伤清洗

我们在实施晶片的前段工艺处理（front-end-of-line简称FEOL）和后段工艺处理（back—end—of-1ine简称BEOL）的时候，往往需要采取无数次的清洗操作步骤。清洗的次数多少取决于晶片的设计和所需要的互连层数。实施清洗工艺的目的不仅是要剥离晶片表面的光刻胶，还要考虑去除各种复杂的蚀刻残余物质、金属颗粒物，以及其它的污染物，为此需要不断探索新的、更加精细的化学试剂。在考虑这些工艺操作的时候，     

DA VINCI^TM系统平台推动SEZ的单晶圆商业模式

业界领先服务于半导体行业的单晶圆清洗解决方案首要创新者SEZ(瑟思)集团近日在德国慕尼黑的SEMICON EUROPE宣布，于2003年中期引入市场，应用于后段工艺过程(BEOL)的Da Vinci^TM平台销售己超过公司整体收入的50％。该系列平台是SEZ有史以来最快被市场接受，同时也是业界最快被引进产品之一。预计将来的销售速度会更快，到2005年底，Da Vinci系统的销售将占SEZ公司全部收入近60％的份额。     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORLON单晶圆清洗技术平台。该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。这一追加定购乃缘于已安装的ORION机台杰出表现所带来的鼓舞。ORION系统将被应用于后段（BEOL）铜／低K导线制作。     

RF系统

SSEC3308是一种单晶圆湿法处理设备，小型机的产能为每小时180片晶圆。它有八个工艺模块，可以任意配置成各种特定的应用，比如两面清洗，湿刻，以及去胶工艺。晶圆可以通过晶圆盒（cassette），或者以300毫米FOUP、200毫米SMIF pods的形式进行处理。所有的工艺参数都是PC控制的。     

其他

SEZ集团最新的DV-38F系统SEZ集团宣布公司的DV-38F系统已经开始供货。DV-38F 的单晶湿式清洗旋转处理工具,是第一款有机结合了SEZ创新的Da Vinci平台的产品,该平台采用了模块化的多重清洗舱(multi-chamber)结构,实现了卓越的工艺性能和更高的产能,满足了生产90纳米器件和更小拓扑结构器件的需求。作为Da Vinci 系列的第一款产品,DV-38F 是能够实现BEOL聚合物清除的多重清洗舱系统,最多能同时清洗8只300-mm晶圆表面的BEOL聚合物-BEOL聚合物清洗是IC芯片制造过程中关键的工艺。除了能够在单晶清洗条件下实现高产能以外,系统的…     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

2009年1月,全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORION单晶圆清洗技术平台。该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。这一追加定购乃缘于已安装的ORION机台杰出表现所带来的鼓舞。ORION系统将被应用于后段（BEOL）铜／低k导线制作。     

FSI收到国际客户对其ZETA的继续订货

FSI近期已经收到对其300-mm ZETA喷雾式清洗系统的继续订货。一家位于台湾地区的先进集成电路制造商将再次采购这套系统用于90nm技术节点的前段(FEOL)表面处理。另外一家主流的微处理器制造商继续定购的ZETA系统将用于后道应用。该系统所展示的性能能够满足客户对工艺性能的急迫要求，它与单晶圆湿法清洗系统相比明显地消耗更少的化学品；而与其它竞争性的浸泡式机台相比，ZETA还具有更少资本投入和更小占地面积的附加优点。     

45nm节点清洗／光刻胶去除的挑战

在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议（SurfacePreparationandClean—ingConference．SPCC）上，来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括：在微粒去除和损伤之间取得平衡；尽可能地减小在前段工艺（FEOL）应用中光刻胶去除和清洗所造成的硅损失：金属栅叠层的电化腐蚀问题；     

SEZ携手AIR LIQUIDE合作开发蚀刻解决方案

SEZ（瑟思）集团与Air Liquide（液化空气公司，Euronext Paris证券交易所上市）于7月1113联合宣布，双方将通力合作，携手解决生产线前段（FEOL）的先进金属栅极蚀刻所面临的化学制剂的挑战。45纳米技术标准下的高k值门极绝缘体和高级金属栅极的电极预计会带来许多的制程挑战，包括去除不需要的含有金属电极材料的背面和倒角边沉积膜层。受到与领先的原子层沉积（ALD）公司Aviza Technology彼此独立但又互补的合作开发项目的推动，SEZ和Air Liquide将寻求合作共同开发一种全面、多元的高级蚀刻材料的解决方案，确保芯片制造商们以最低的拥有成本（CoO）获得最好的性能。     

FSI单晶圆清洗技术被半导体制造商用于32nm后段清洗工艺开发

FSI国际有限公司宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段（BEOL）清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认定FSI的技术最符合32nm器件制造所预期各项新要求。FSI已经针对这一开发项目发运评估性ORION单晶圆清洗集群。     

半导体市场

台积电和联电取消补助 芯片制造涨价10％;Danaher以5．5亿美元收购Leic跨入半导体设备市场;SEZ盛邀世界级行业专家GLENN GALE出任FEOL清洗项目部副总裁;电子巨头布局中国市场。AMD在日本再诉英特尔垄断索赔5500万美元;面向超低成本手机的参考设计平台面世;Cadence亚太新拿门人居龙先生面对新闻界。     

SEZ:单晶圆清洗解决方案的创新者--访瑟思半导体设备有限公司亚太区技术和行销副总裁陈溪新博士

在半导体制造过程中,晶圆的清洗是很重要的一个环节。目前器件规格的持续紧缩以及铜和低介电常数绝缘体等新材料的应用使半导体芯片的功能更强大,同时也对制造工艺提出挑战,芯片制造商需要更先进的工艺解决方案。SEZ是一家服务于全球行业领先的单晶圆湿式处理解决方案供应商,业务范围几乎覆盖了包括中国在内的全球主要地区。随着半导体行业继续向更微细的工艺技术发展,单晶圆湿式处理已经成为确保成品率的关键因素。由于晶圆变得越来越薄、越来越昂贵,因此其表面则需要更为特殊的处理,以降低交叉污染的风险。目前,芯片制造商们需要更有效…     

FSI国际ORION单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题,其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层）,这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。     

FSI发布全新的用于无灰化、湿法光刻胶去除ViPR工艺技术 该技术应用在ZETA G3喷雾清洗平台上

FSI国际有限公司面向全球发布全新的ViPR技术。这项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤,包括1×1017离子／mm2等离子掺杂(PLAD)光刻胶。这项ViPR技术适用于FSI全新的ZETA G3喷雾清洗平台。通过省去了大约80％的前段 (FEOL)灰化步骤,FSI为集成电路制造商提供了一套减少表面损害、材料损     

FSI国际ORION单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对2008年5月FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题,其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层）,这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。