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分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献
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电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计 总被引:1,自引:1,他引:0
模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0~2.5μA时饱和电压只有1.5~2.5V。 相似文献
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分析了a—Si:H—TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a—Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—Si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献
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为改善LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压变动性补偿效果,本文分析了相关电压型像素电路的工作过程,确认了影响阈值电压补偿效果的关键因素,包括显示信号刷新扫描行周期对阈值电压获取充电时间的制约、驱动信号形成过程中相关TFT电容增量造成的阈值电压精度损失等。针对这些关键因素,本文提出了像素电路改进对策。通过分离阈值电压获取和数据电压信号刷新过程实现阈值电压获取充电时间的延长,通过反向增量电容补偿相关电容增量误差。在像素OLED驱动电流受阈值电压变动影响突出的低灰阶状态下,模拟结果表明阈值电压获取和数据电压信号刷新过程分离像素电路的OLED驱动电流变动性是参考电路的1/7;反向增量电容补偿像素电路OLED驱动电流变动性大约为无补偿参考电路的1/2。补偿效果样品视觉评价结果与模拟结果趋势相符。 相似文献
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OLED像素电路存在驱动晶体管阈值电压漂移的问题,引起显示效果的下降.在专利数据库中进行检索和分析,对韩国三星近年来提出的多种用于抑制驱动晶体管阈值电压漂移的OLED像素电路的原理进行了分析,并提出了一些设计方面的考虑因素. 相似文献
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为了提高硅基OLED微显示器的电流稳定性,提出了一种6T1C型像素电路,该电路既可以减小驱动管阈值电压Vth的偏移,又补偿了OLED发光层电流衰减,利用HSPICE进行仿真,仿真结果表明:在阈值电压偏移量为-7.25mV~ 7.12mV和OLED内部电阻偏移量为0~ 8MΩ时,该像素电路的发光电流偏差分别为-0.144LSB~ 0.416LSB和-0.48LSB~0.6LSB电流稳定性得到大幅提高。同时,为了保证像素电路能精确反映OLED的电流-电压特性,提出了基于TCLC理论的OLED等效电路模型,该OLED等效电路的仿真数据和实验数据具有良好的一致性。 相似文献
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