国际要闻

三星成立子公司跨入芯片代工行业韩国三星电子公司资深官员日前表示,公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍,将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是:将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟,获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁AnaHunter说:“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺,其中包括65nm制造工艺。目前我们采用130nm和130nm以下的制造工艺生产产品。”在纽约Fishkill的IBM公司的…     

半导体产业的未来—一个可编程的世界？

芯片技术在经历几十年的发展之后，正在面临一系列技术、商业层面的挑战。在制造工艺进入到90nm、65nm甚至45nm之后，原有的设计方法学需要重新考虑；技术和功能融合趋势迫使芯片供应商把更多的功能和模块集成到体积更小的芯片上，而通过进一步改进制造工艺和提升时钟频率似乎难以达到性能和功耗的最佳折衷；“摩尔”定律在引领半导体产业发展的辉煌之后，似乎也在受到越来越大程度的置疑。面对一系列由于硅片技术发展带来的挑战，一些业内人士也在从另一角度探求产业发展的方向——软件。     

Altera凭全新合作模式推动45nm芯片成功

在半导体发展过程中,每两年更新一次的工艺技术总是能带来密度更高、速度更快、功耗更低的芯片产品。Altera公司技术开发副总裁Mojy Chian表示,更新的45nm工艺相对于65nm工艺的优势要大于65nm相对于90nm的优势。然而,他同时指出,45nm芯片设计和制造的进入门槛也会大     

2006半导体市场3大热点65nm工艺、低功耗、亚太崛起

摩尔定律在2006年仍将持续领导半导体业界向65nm推进,然而日趋复杂的芯片设计与高昂的工艺技术研发与光罩成本,势必将让半导体业界走向两极化──大厂持续靠着工艺技术优势在效能与功耗上领先竞争对手,而小厂仅能依靠独到的市场嗅觉在市场上找到利基。纳米工艺成本高昂在第一届ASSCC大会中担任开幕演说者的台积电资深研发副总裁蒋尚义在演说中开门见山即表示,2006年即将出现的65nm工艺芯片,背后所需投入的研发与制造成本将成为天文数字。站在芯片设计公司的观点,为了设计出一颗采用65nm工艺的芯片,视芯片本身的复杂程度可能必须投入3倍于9…     

评测千兆以太网性能的线缆性能测试仪

瑞萨科技公司开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。采用65nm工艺的存储单元测试芯片包含一个8MB6晶体管型SRAM，利用该芯片对稳定运行能力进行了验证。测试数据显示，利用这种设计方法可以在大批量生产时实现宽泛的整体Vth的可变性——与不采用该方法的情况相比产量可提高两倍以上。其应用包括用于微处理器和系统级芯片（SoC）器件的嵌入式SRAM。     

40nm工艺在军事应用中的风险和机遇

随着芯片制造技术向尺寸更小的新工艺技术节点迈进,芯片制造商和数字设计人员都需要做出有一定风险的决定。而设计人员需要的是功能和性能的提高能够抵消复杂的设计工艺和芯片交付进度所带来的风险。这些要求促使厂商加速开发40nm芯片,为军事用户提供密度更高、速度更快的收发器技术。     

光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。     

对于SoC，尺寸决定一切

采用90nm和65nm工艺的决定因素是什么？ 伴随90nm和65nm工艺成为市场的主流,每个晶圆上芯片数量的增加所获得的容量和成本优势成为采用这些工艺的主要推动力.该趋势已日渐明显.事实上,来自Synopsys客户调查结果、行业分析数据和技术媒体报道显示:向90nm和65nm工艺的转移已经进入高潮阶段.     

用2.5D TSV实现多处理器SiP功能

本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。     

低k电介质及其设备

低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。     

电子专用设备的人性化设计

电子专用设备的品质的完整概念是顾客的满意度。在科技进步日新月异,国际化竞争日趋激烈的今天,我们的设备要提高市场竞争力,就要更全面地理解可用、实用、耐用,更需要注重的是好用、宜人。在设计上遵循人性化才可以拉近人与设备的距离,才可以最大限度地满足操作者的需要,使人操作方便、反应准确、减少差错、提高工作效率,为操作者创造最舒适、方便、安全的工作环境。人性化的设计是一种人文精神的体现,能够达到人与设备的完美和谐,真正体现出对人的尊重和关心。从设计原则和标识等方面着重讨论了电子专用设备的人性化设计。     

65 nm工艺及其设备

介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。     

45nm工艺及材料的最新动态

介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层。     

红光固体激光实验设备的设计

目前市场上的激光倍频技术相关教学实验设备均以倍频输出绿光为主。本文介绍了一种腔内倍频红光固体激光实验装置的设计方法。采用平凹腔,通过808nm红外光端面泵浦掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)激光晶体输出1342nm的红外激光,再通过腔内倍频表面镀1342nm和671nm增透膜的磷酸氧钛钾(KTP)倍频晶体,得到671nm的红光激光。     

现代军用通信设备结构设计新理念

科学技术在不断发展，军用通信设备结构设计的内涵也在不断丰富，时代在不断进步，人们对设备的审美要求越来越高，设计人员应顺应时代发展的潮流，积极吸收、采用新的设计理念。本文详细讨论了有关军用通信设备结构设计新理念的主要内容-创新设计、模块化设计、小型化设计、工业设计和超前设计。     

柱面光学微结构用于红外激光防护研究

激光防护是一种可广泛应用的技术,论文针对目前红外激光防护技术中存在的可见光波段吸收强、镜面反射造成设备或人员损伤等问题,提出一种形成于光学窗口表面的红外激光非镜面反射光学微结构,具有对可见光透过率影响小,同时对1 064 nm红外激光大角度散射的功能,从而实现激光防护。文中采用光线追迹方法设计具有移位结构的双面微柱透镜阵列,阵列周期T与透镜单元曲率半径R之间需满足0 T R/27的关系。应用Virtual-Lab光学建模软件对设计的柱面微结构进行模拟,模拟结果为:可见光平均透过率下降7%,对实用结果影响很小,并可以通过可见波段镀制增透膜进行弥补;1 064 nm红外激光反射率约为75%,发散角大于30。采用数字掩模光刻技术完成微柱透镜阵列实验,实验结果与模拟结果趋势相同,最终得出结论:微柱透镜阵列能实现大角度散射,能够极大降低激光单一方向反射回波能量,从而达到了激光防护的目的。     

BIT检测在雷达设备实际工程中的实现

雷达技术的迅速发展对设备测试性提出了越来越高的要求，机内检测（BIT）技术作为雷达测试的重要手段，其发展和设计需要贴近实际工程研制的过程，结合某雷达设备BIT设计开发过程，总结BIT设计经验和原则，对雷达设备BIT检测的方案设计和工程实现有较好的借鉴意义。     

高功率因数软开关车载充电机设计

车载充电机作为未来可能广泛使用的电动汽车配套设备,对其谐波、功率因数和效率具有严格要求。本文基于有源功率因数校正技术(APFC)和软开关技术,设计了一款车载充电机。根据实验测试波形,证明设计正确,满足车载充电机技术要求。     

数字电视播出系统的可靠性研究综述

数字电视播出系统的可靠性直接反映整个系统的质量优劣，是确保能否进行安全、可靠的电视播出的关键。为了保障电视播出的安全与可靠性，必须对硬盘化播控系统进行双机熬备扮和使用有RAID技术的硬盘播出系统的数据备份设计；同时还介绍了数字电视播出播出系统软件的设计要求和数字电视设备的寿命分析。     

一种主被动联合声纳性能测试方案设计

对研制和使用的声纳系统和设备都应进行性能的检验和测试,以保证满足实际工作的需要。本文针对主被动联合声纳的设计要求和技术指标,结合项目实际情况,设计了一种检验主被动声纳性能的湖上测试方案。通过湖上试验验证,设计完成的测试方案有效的检验了主被动声纳系统的性能和技术指标,达到了项目提出的考核指标。