化合物半导体探测器

根据半导体核辐射探测器对材料的要求,在z>30,E_g在1.3—2.6eV间的二元化合物半导体中,HgI_2、CdTe和CdSe可能是三种最好的材料,讨论了用这三种材料制成的探测器性能。介绍了我国核探测器用化合物半导体的研制情况。     

用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率

用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料的迁移率，讨论了正电子有效质量，杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响。     

氮化硼半导体中子探测器制备及测试

<正>基于硼半导体的固体中子探测器结构紧凑、探测效率高,具有较强的吸引力。氮化硼(BN)晶体是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度为6.1～6.4eV,属于间接带隙,通过掺杂可得到P型和N型的半导体材料。氮化硼材料具有立方氮化硼(cBN)、六方氮化硼(hBN)、三方氮化硼(rBN)、纤维锌矿结构氮化硼(wBN)4种晶体结构,其中cBN和hBN因其禁带宽度大、物化性质和半导体     

室温半导体探测器的发展和应用

重点阐述了室温半导体核辐射探测器的发展和现状,详细讨论了常见化合物半导体探测器材料的性能指标、应用范围和进展情况,简单介绍了新型Si半导体探测器的进展情况。旨在为读者选择、使用室温半导体探测器提供参考。     

SOI材料和器件及其应用的新进展

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展，介绍了SOI器件的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用，报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。     

离子束诱导电荷显微术的现状与发展趋势

离子束诱导电荷显微术（IBIC）是核子微探针显微成像技术的又一新发展，它具有低束流（fA量级），高效率的特点，已被广泛应用于半导体材料和微电子材料研究中。本文简述了离子束诱导电荷显微术（IBIC）的原理和实验方法，综述了IBIC 研究的现状和进展。     

X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究

采用MCNP4B仿真了能量为1～100keY的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明，当X射线能量较低时，在探测器的硅半导体上沉积能量较低，随着X射线光子能量升高，沉积能量增大，但是在探测器的整个能量段，沉积能量并非线性增加，而是有一定的涨落，经检验，5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布。     

中国科学院物理研究所的离子束分析及离子注入改性研究

介绍了中国科学院物理研究所离子束研究室的主要设备、分析方法、离子注入材料改性研究以及近年来在半导体材料、高Ｔｃ超导材料、环保等领域中的研究工作。     

中子对Si及GaAs半导体材料位移损伤的数值计算

概述了中子对半导体材料的位移损伤函数及损伤能力的表征,并选用ASTM标准的E722—94给出的Si及GaAs位移损伤函数,用MCNP粒子输运程序计算了Maxwell裂变谱源、Gaussian聚变谱源对Si及GaAs半导体材料的位移损伤以及相对于1MeV单能中子源的损伤等效系数等。     

用于核辐射半导体探测器的新材料

【英国《新电子学》1980年9月2日报道】现在已经能大量供应用锗和硅半导体材料制成的核辐射探测器。这两种材料的优越性很易为人们所了解,因为它们是元素型半导体材料,比较容易得到合适的纯度和理想的结晶形式,而且大部分制造工艺可沿用制造集成电路的工艺。尽管用锗和硅制成的探测器目前仍占多     

质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

一、引言 近年来,由于对半导体材料的需要日益增长,以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展,对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现,锗中含的微量氧,对器件的性能会产生很大影响,从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。     

耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器

在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是SiC晶体,因其禁带宽度大、晶体原子离位能大以及电子空穴迁移率高等特点,最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。     

全新深亚微米X射线T型栅工艺

GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造带来了许多问题。在本个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。     

GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究

考虑放射性同位素源自吸收效应,提出基于半导体材料GaAs和同位素源⁶³Ni的微电池最优化设计方案,并通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的厚度,换能单元PN结结深、耗尽区宽度、掺杂浓度、少子扩散长度,及电子空穴对的产生及收集情况等进行了研究和分析,给出了不同结深下,各物理参量的最佳设计值。在源活度为3.7×10⁷ Bq,PN结表面积为0.01 cm²时,提出的辐射伏特效应微电池最优化设计方案可实现：短路电流密度为379.68 nA/cm²,开路电压为1.375 V,填充因子为84.39%, 最大输出功率为440.4 nW/cm²,能量转化率为4.34%。     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

SiC中子探测器的研究进展

相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环境下的中子探测器需要突破的瓶颈。论文总结和分析了SiC的材料特性,SiC中子探测器的结构、工作原理、国内外发展现状以及存在的问题,并对我国中子探测器的发展趋势进行了探讨。     

高优值的AgPbmSbTe2＋m立方体热电材料

用热电装置将热能直接转换为电能，可能会在未来能源的生产和利用方面产生关键的作用。然而，为了发挥这个作用，需要效率更高的适合高温装置使用的热电材料。我们研制了满足这种要求的体系AgPbmSbTe2＋m。如果m等于10和18并适当掺杂的话，可以得到在温度800K时优值ZTmax。为2．2的n型半导体。在600-900K的温度区间，AgPbmSbTe2m表现出比所有已报道的块体热电材料都好的性质，因此把它看成一种潜在的可以利用热源发电的材料体系。     

离子注入半导体的快速热退火与SOI技术

自1977年以来,为了摸索离子注入半导体的新退火方法,各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究,已派生出若干很有生命力的应用项目,其中,快速热退火、SOI(Semiconductor on Insulator)技术等已显示了重要的应用前景,并正在走向实用化。     

低能聚变反应中的电子屏蔽效应

简要介绍了天体物理感兴趣能区带电粒子核反应中的电子屏蔽效应的实验及理论研究。为深入了解电子屏蔽效应的机制，在鲁尔大学DTL实验室1.0kV加速器上采用一系列氘化金属靶、氘化绝缘体靶和氘化半导体靶进行了D(d，p)T反应的研究。实验结果表明，大多数氘化金属靶中的电子屏蔽效应较大，而氘化绝缘体靶和氘化半导体靶中的电子屏蔽效应相对较小。在对金属中的电子做准自由近似后，应用经典的德拜模型可对氘化金属靶的结果给出一种合理的解释，验证实验正在进行中。从实验数据中还可得到有关各种材料对氘的吸附能力方面的信息。     

室温X(γ)射线半导体探测器的最新发展

在X(γ)射线能谱仪和工业检测仪表中以及剂量仪器中都期待理想的室温X(γ)射线半导体探测器的产生。 1982年11月彭华寿同志在第一次全国核探测器学术会议上作的“低能核辐射探测器进展”一文中谈到,多年来室温化合物半导体探测器的发展一直得到人们的注意,十多年来,国外较集中的对CdTe和HgI_2两种材料进行了研究,并取得了很大的进展,但尚