电镀工艺主要参数对氨基磺酸镍镀层的影响

氨基磺酸镍由于沉积速度快,内应力低的特点,在电镀中得到广泛应用,为了解不同工艺参数对氨基磺酸镍镀层的影响,对电镀过程中的各个工艺参数进行了分析实验,得出了电导率、搅拌、电流密度、温度、pH和溶液中Ni＋2浓度、氯化物含量对电镀镍镀层质量的影响。     

化学镀Ni-P镀层状态对引线键合的影响(2)

(接上期)3.3化学镀Ni-P析出状态时对Ni局部腐蚀的影响析出状态为层状和柱状析出的化学镀Ni-P镀层之间确认了镀Au层表面上扩散的Ni浓度的差异。这是由于与还原镀Au置换镀Au时进行的Ni局部腐蚀现象有关,观察了还原镀Au层/置换镀Au层/Ni-P镀层的截面和剥离镀Au层以后的Ni镀层状态。如     

电沉积Zn预处理对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响

恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。     

CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100 nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响。XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由CdTe相和单质Cd相组成,经300℃N2气氛保护条件下退火4 h后得到的薄膜仅含CdTe相,并有效提高结晶度。SEM结果显示薄膜的微观形貌为纳米线结构,TEM结果进一步证明CdTe纳米线内部为中空结构,形成纳米线/纳米管结构。另外,电沉积实验结果表明,沉积电位对于CdTe纳米线/纳米管结构的形成具有决定作用,表现为阴极电位越正越有利于纳米线结构的形成。     

高析氢活性Ni-Mo-Zn合金电极的制备与表征

采用两步电沉积方法在碱性柠檬酸盐-氨水络合体系中制备了含有Ni-Mo中间层的Ni-Mo-Zn电极,通过在热碱溶液中浸泡除去部分Zn后得到高析氢活性电极.SEM测试发现,该电极的合金镀层表面有多层结构和二级颗粒,它们经热碱溶液浸泡后会形成大颗粒包裹小颗粒(粒径小于1μm)的类似"藤壶"状表面形貌.通过稳态阴极极化曲线考察了不同电极的催化析氢性能,发现含有Ni-Mo中间镀层的Ni-Mo-Zn电极在碱洗后较Ni电极和没有中间层的Ni-Mo-Zn电极具有更高的析氢活性.在0.1 A·cm-2电流密度下,析氢反应极化电位分别比Ni电极和没有中间层的Ni-Mo-Zn电极正移502 mV和93 mV,交换电流密度分别是Ni电极和Ni-Mo-zn电极的91倍和4倍.该电极的高活性主要归因于镀层的特殊表面结构和Ni-Mo中间镀层的存在.     

电沉积工艺制备纳米ZnO及其生长机理

本文以Zn（NO3）2·6H2O和KCl的水溶液为电解液,采用三电极恒电位体系在ITO上电沉积制备了形貌可控的纳米ZnO。通过旋转涂布（CH3COO）2Zn·2H2O溶液,煅烧后可在ITO表面生长一层ZnO种子层。该种子层可以增加ZnO的密度,使c轴取向更加明显。通过场发射扫描电子显微镜（ FESEM）、X射线衍射（ XRD）、光致发光光谱（PL）等测试手段,系统地分析了电沉积参数（Zn（NO3）2·6H2O浓度、电沉积电压、电沉积温度）对电沉积制备纳米ZnO形貌、结构、光催化性能、发光性能的影响,并研究了其生长机理。     

阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素北大核心

在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H_2O_2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H_2O_2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H_2O_2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

CNT阵列选择性生长在金属／绝缘体／半导体基底上的高效方法在FED的应用

通过使用氩气作为传输气体在金属／绝缘体／半导体（MDS）基底上，利用热量分解存在挥发性催化剂的不固定碳氢化合物的气压CVD工艺，生长多壁碳纳米管（CNT）阵列，特别是Si／SiO2，Ti／SiO2／Si，AL2O3矩阵／Ni催化剂已经在FED应用中已被研究。结果表明，CNT生长的选择性和CNT的包装密度可以在一定的条件下控制。在所研究的表面类型中，已经获得了高密度的垂直生长和更适于定向生长的低密度CNT阵列，还有在Ni晶体上的Al2O3纳米微孔中的单个CNT。     

AZ91D化学镀Ni-P结构耐蚀性研究

利用金相、SEM、TEM、XRD、盐雾、电化学测量系统研究了镁合金AZ91D的化学镀Ni-P镀层组织结构及耐蚀性能,结果表明,化学镀镍层为胞状致密结构,镀层厚度均匀,与基体结合良好.P的质量分数为6.68%,为中P镀层,镀层阻抗为0.6 Ω,镀层组织为非晶加少量微晶;镀层耐腐蚀性能良好,连续盐雾8 h未出现腐蚀斑点.盐雾腐蚀速率明显低于基体的腐蚀速率.化学镀镍磷层的最小腐蚀电流密度为4.52μA/cm2,腐蚀电位为-250 mV.低于200℃退火,镀层的耐腐蚀性能有所提高,而高于200℃退火,其耐腐蚀性能随温度提高而降低.     

铝上化学镀镍层耐蚀性研究

采用中性盐雾腐蚀试验方法对铝上化学镀镍层的耐蚀性进行了研究，重点比较和讨论了镀层厚度和镀层含磷量以及镀覆工艺对化学镀Ni—P合金层耐蚀性的影响。     

硫酸对铝箔交流腐蚀影响机理的研究

采用静电容量测试、腐蚀皮膜厚度测试、密度泛函理论计算和计时电位法分析了盐酸/硝酸(HCl/HNO3)电解液中硫酸(H2SO4)对铝箔交流腐蚀行为的影响.结果表明,H2SO4对低压箔比容的影响取决于化成电压,低电压时比容随H2SO4浓度增加而降低,高电压时则存在最适H2SO4浓度(约0.004 mol·L-1).由于SO...     

碱性抛光液中氧化剂的钝化作用对碟形坑的影响

摘要：本文研究了碱性精抛液的电化学行为。主要研究内容为不同H2O2浓度电解液中腐蚀电位（Ecorr）和腐蚀电流（Icorr）的变化规律,对比了不同精抛电解液的极化曲线,分析了H2O2的钝化作用对控制碟形坑的影响。结果表明：在电化学实验过程中,随着H2O2浓度的增加,腐蚀电位逐渐增加然后趋于平缓,相反腐蚀电流逐渐减小。同时,精抛后的碟形坑随着H2O2浓度的增加而减小,平坦化效果得到了优化。     

电镀镍及阴极腐蚀法提高CNTs阴极场发射性能

通过电镀镍及阴极腐蚀相结合的方法,对电泳沉积所制备的CNT薄膜进行处理。采用扫描电子显微镜对样品的表面形貌进行表征,并对样品的场发射性能进行测试。结果表明,处理后CNT阴极的场发射性能得到提高,如开启场强、阈值电场、发光均匀性和稳定性。当电流密度为1 mA/cm2时,开启场强由0.95 V/?m降低为0.45 V/?m;当电流密度为3 mA/cm2时,阈值电场由0.99 V/?m降低为0.46 V/?m。并且,电流密度在电场为0.48 V/?m时高达7 mA/cm2。在电流密度为0.75 mA/cm2时进行20h的场发射稳定性测试,结果表明,处理后CNT阴极的电流密度在0.70 mA/cm2左右波动。该场发射性能的提高归因于三个方面：（a）更多CNT尖端直立于表面（b）CNT之间的间隙变宽（c）镍颗粒渗入降低CNT与基底的势垒。     

0Cr18Ni10Ti不锈钢表面激光熔化沉积420不锈钢的组织及性能

采用同轴送粉激光熔化沉积方法在0Cr18Ni10Ti不锈钢表面制备出420不锈钢的多层涂层及薄壁样,着重分析了沉积涂层的微观组织、硬度、界面结合情况及抗腐蚀性能.结果表明,激光熔化沉积的420不锈钢为单相α马氏体,沉积材料内部组织致密均匀,沉积材料的硬度在47-51HRC;沉积涂层与基体为完全冶金结合,沿沉积高度方向沉积材料的拉伸强度及界面的结合强度均大于基体材料的强度,界面结合强度达790MPa;与基体材料相比,所沉积420不锈钢的自腐蚀电位低、极化电阻小,抗腐蚀性稍差,该涂层可用于低腐蚀环境下0Cr18Ni10Ti不锈钢表面的强化及420不锈钢零件的修复.     

集成电路Cu互连线的XRD研究

对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能.     

平行缝焊盖板镀层结构的热分析

平行缝焊是陶瓷封装中应用最为广泛的高可靠性气密性封装方式之一。由于焊接过程中,盖板表面镀层会发生熔化、破坏等过程,可伐基底会被暴露在环境中,导致盐雾腐蚀失效。利用Abaqus有限元分析软件,选择2种代表性的可伐盖板镀层结构,分析不同加载温度条件下可伐盖板及其表面镀层的温度分布。仿真结果表明,当可伐盖板采用Ni/Au的镀层结构时,控制焊接温度范围为1200~1400℃,有希望保证平行缝焊耐盐雾腐蚀可靠性,并给出其耐盐雾腐蚀机理。     

塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对Ni Pd Ag Au预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。     

二氧化硅/硅界面附近的金属杂质

我们用有意地进行了金属沾污的硅片,采用缺陷腐蚀和二次离子质谱测定法,研究了干O_2和O_2/HCl氧化过程中,二氧化硅/硅界面附近的金属杂质(Cu、Fe、Cr和Ni)的特性。各种金属在热氧化过程中的再分布情况是不相同的,Cu扩散到硅中并且倾向于被二氧化硅排斥,给出的浓度峰离界面0.3～1.2微米。Fe累积在二氧化硅/硅界面附近处,而Cr倾于累积在氧化物里,硅里面的浓度较低。O_2/HCl氧化对Cu杂质的吸收能力是极好的,而对Fe和Cr杂质的吸除能力则很差。Cu和Fe杂质沉积在二氧化硅/硅界面附近的硅里面,而Cr和Ni杂质沉积在二氧化硅/硅界面附近处的二氧化硅里面。     

用镀层孔隙表征外壳耐腐蚀性的方法探讨

介绍了电子器件外壳表面镀层孔隙显色的原理、方法及工艺条件,通过研究电镀层孔隙变色面积与实际盐雾腐蚀面积的关系,建立了用孔隙显色来评价电子器件外壳表面镀层的抗腐蚀性的方法。