国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．     

国产1N400系列硅整流二极管的设计与制造

1N400系列硅整流二极管是法国汤姆逊公司塑封DO-41的型号.该产品具有小体积、大电流、低正向压降,低反向漏电流等独特优点,深受用户欢迎.被广泛地应用于黑白彩色电视机、无线电通讯以及其它电子设备的电源整流电路中,是其不可缺少同时又是集成电路不能取代的基础整流器件,市场需求量极大.目前我国该类产品大量地依赖进口,国内引进了诸多的硅整流二极管生产流水     

微带整流天线的设计与试验

微带贴片整流天线质量轻,接收面积大,非常适合微波飞机、高空平台等微波输电中对天线质量要求严格的场合.提出了两种微带整流天线的设计,结合高频仿真软件ADS 2003C、IE3D V10.0对天线的设计实现方案进行了研究,给出了一整套的微带贴片整流天线的设计步骤,通过试验对各种实现方案进行了比较和对设计步骤的正确性进行了验证.     

从设计的角度讲授单相整流电路

传统的单相整流电路教学方法是先给出电路结构,再对其进行原理分析和参数配置,思路清晰但缺乏对学生创新能力的培养.本文从设计的角度对单相整流电路的内容精心安排,带领学生进行一次循序渐进的电路设计旅程,同时应用仿真软件加深学生对电路的理解.教学实践表明,从设计的角度讲授单相整流电路,激发了学生的学习兴趣,提高了学生的创新能力.     

高频、高压晶体管设计与制造工艺研究

本文介绍了高频、高压主双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺,用该设计与工艺做出了耐压大于200V、fT大于200MHz的产品。     

新型同步整流电路的设计

随着国防、航空航天科技的发展,广泛用于通信、电子对抗等领域的军用、航空电子产品对供电电源的要求越来越高,它们不仅要求电源技术指标高,还要求体积小、重量轻、效率高、可靠性高。     

用于整流天线的口径耦合圆极化微带天线的设计与实验

提出了一种用于整流天线的新型圆极化微带天线形式，此天线采用单端口径耦合馈电，易与整流电路集成和匹配。利用电磁场仿真软件分析了天线参数对天线性能的影响，设计并加工了一个圆极化天线单元。设计值和实验值较吻合，实验结果表明该天线在10．25GHz具有良好的圆极化特性：在最大方向上圆极化轴比为0．3dB，3dB圆极化带宽达到160MHz，驻波比小于2的带宽达到800MHz。     

整流滤波电容的设计与选用方法研究

整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波电路原理,阐述了纹波电压产生的过程,给出了一种滤波电容设计与选取计算方法,建立了电容选取的计算模型,描绘出了纹波电压、负载电阻与滤波电容之间关系曲线,并通过实验验证其科学性,有利于滤波电容的设计与选用。     

五类电缆的工艺设计与制造

介绍了局域网用五类电缆的性能要求、工艺设计及制造方法,并指出了五类电缆的市场前景。     

ADSS光缆的设计与制造

简要介绍了我公司设计生产的96芯ADSS光缆的一些参数的计算方法及外护套的挤出方式。     

无金属阻燃光缆的设计与制造

电缆的阻燃已被人们所认识，光缆的阻燃化也逐渐得到人们的重视。本文结合江苏中天光缆集团为联通辽宁分公司设计制造的６００ｋｍ无金属阻燃光缆的实践，谈谈无金属阻燃光缆的设计与制造。     

运用无桥式整流电路实现高效率的PFC设计

引言 近来，不使用桥式电路的功率因数校正(PFC)电路成为人们注意的焦点。设计人员去掉了转换器输入端的常规桥式整流电路，可以减少开关损耗，进一步提高效率。在这样的电路中，不存在由于导通损耗而降低效率的问题，且设计比较简单，需要的元件数量较少。     

硅平面高反压大功率晶体管的设计与工艺

本文对高反压平面大功率晶体管制造中集电结终端结构的设计及效果进行了研究,提出了新的设计方法。并探讨了生产工艺中经常出现的芯片成品率低的现象,找到了易于实施的有效方法。     

浅谈碳纤维复合芯导线的设计与制造

碳纤维复合芯导线作为一种新型增容导线,与传统钢芯铝绞线相比无论材料还是生产工艺都有很大区别。通过详细阐述碳纤维复合芯导线的设计制造及相关标准,以期对其生产制造有一定的指导作用。     

百瓦级热电堆激光功率计的设计与实现

为了满足光束合成、激光对抗、材料激光损伤测试等领域的激光功率测试需求,研制了一种基于赛贝克效应的百瓦量级热电堆激光功率测试仪器。该仪器无需偏置电压电路即可正常工作,能够实现连续激光辐射功率测试且探测的激光功率量程宽、稳定性高。对波长为1064 nm的激光功率进行了测试实验。在1.5～250 W的功率范围内,采用本文方案研制的热电堆激光功率计的测试结果与标准激光功率计测试结果之间的误差在±3%范围以内。     

Si基JBS整流二极管的设计与制备

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。     

与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用

采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。