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相似文献
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1.
采用高温固相法制备了SrIn2-xO4∶xSm3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光特性.在410nm近紫外光激发下,SrIn2O4∶Sm3+荧光粉呈红色光发射,发射光谱主峰位于607 nm,对应sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁发射.研究了Sm3+掺杂量对荧光粉发射强度的影响,发现随Sm3+掺杂量的增大,荧光粉的发射强度先增大、后减小;Sm3+摩尔掺杂量为0.1时,发光强度最大;能量传递对应的临界距离Rc为1.2 nm,其浓度猝灭机理为电多极相互作用.此外,添加碱金属离子A+ (A=Li,Na,K)提高了荧光粉的发射强度,且以添加Na+时效果最好.将该荧光粉与405 nm n-UV芯片组合,获得了红光发射.  相似文献   

2.
采用化学共沉淀法合成了Ca0.75Mg0.2Tb0.02Eu0.03(WO4)1-x(Mo O4)x(x=0~1.0)系列荧光粉,并对荧光粉的晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明:不同Mo O42–掺杂量的样品均为四方相Ca0.75Mg0.2Tb0.02Eu0.03(WO4)1-x(Mo O4)x固溶体。在273 nm波长紫外光激发下,随着x的增大,Eu3+离子的发光强度先增强后减弱,当x=0.6时发光强度最强,为未掺杂Mo O42–样品的6倍。Mo O42–共掺杂改变了稀土离子周围的配位环境和局部晶体场的对称性,促进Eu3+离子4f电子的超敏跃迁,提高Eu3+的O2–→Eu3+电荷迁移跃迁,增加基体、Tb3+离子与Eu3+离子之间的能量传递。  相似文献   

3.
采用高温固相法合成了CaNb2O6∶Bi3+以及K+,Na+,Li+掺杂CaNb2O6∶Bi3+荧光粉,并用荧光光谱、XRD、场发射扫描电镜分析了材料的结构以及发光性能和机理。相对于纯CaNb2O6,Bi3+以及K+、Na+的引入极大的提升了荧光粉的发光强度,发光效果最好的材料为CaNb2O6∶1%Bi3+,15%K+。  相似文献   

4.
采用高温固相法合成了系列单相全色Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2∶Dy3+荧光粉.通过X射线粉末衍射、荧光光谱等对合成的荧光粉样品进行了表征,并系统地研究了烧结温度、Dy3+离子掺杂量以及添加不同电荷补偿剂(Li+、Na+、K+)对样品发光强度的影响.结果表明:该荧光粉能被350nm的近紫外光有效激发;当烧结温度为950℃、Dy3+的掺杂量为4%(摩尔分数),Na+作为电荷补偿剂时,样品的荧光强度最强.  相似文献   

5.
采用高温固相法合成了CaNb2O6∶ Bi3+以及K+,Na+,Li+掺杂CaNb2O6∶Bi3+荧光粉,并用荧光光谱、XRD、场发射扫描电镜分析了材料的结构以及发光性能和机理.相对于纯CaNb2O6,Bi3+以及K+、Na+的引入极大的提升了荧光粉的发光强度,发光效果最好的材料为CaNb2O6∶1%Bi3+,15%K+.  相似文献   

6.
利用高温固相法合成了KNaCa2(PO4)2∶Sm3+系列橙红色荧光粉,并对其发光性能进行了研究.样品的激发光谱在402 nm有很强的发射带,与近紫外LED芯片匹配.在402nm近紫外光激发下,KNaCa2(PO4)2∶Sm3+的发射光谱由3个峰组成,发射峰值位于569、601和648nm处,分别归属于Sm3+的4G5/2→ 6HJ/2(J=5,7,9)跃迁.随着Sm3+掺量的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm3+掺量为0.02 mol时发光强度达到最大,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.分析了不同Sm3+掺杂浓度样品的荧光衰减时间,并研究了电荷补偿剂Li+对样品发光强度的影响.样品KNaCa1.96(PO4)2∶0.02Sm3+,0.02Li+发射光谱(402nm激发)的积分强度是商用红色荧光粉Y2O3∶Eu3+发射光谱(253 nm激发)的1.5倍.  相似文献   

7.
分别研究了不同含量Li2CO3/V2O5共掺杂和部分Li取代Mg对Mg4Nb2O9基陶瓷烧结特性、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明:Li2CO3/V2O5共掺杂或部分Li取代Mg,均能使Mg4Nb2O9基陶瓷的烧结温度从1 400℃降至950℃,但其烧结机理不同.Li2CO3/V2O5共掺杂Mg4Nb2O9(MNLV)样品中的低熔点液相,使MNLV陶瓷的致密化烧结温度降低.部分Li取代Mg显著降低了(Mg(4-x)Lix)(Nb1.92V0.08)O(9-δ)(MLNV)样品的致密化烧结温度.950℃烧结,相对于MNLV样品的品质因数(Q=13276)而言,MLNV样品的Q值(1 759)显著恶化,这是由于Li1+占据Mg2+晶格.使晶体中非谐振项损耗增加.  相似文献   

8.
采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca0.71WO4∶Sm3+0.04,Li+0.25和Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm3+的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响.XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构.荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁.发光衰减曲线表明,Sm3+的掺杂对荧光粉Ca0.5WO4∶Eu3+0.25,Li+0.25荧光寿命没有影响.实验结果表明,在系列Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y荧光粉中Sm3+的最佳掺杂量为4%(摩尔分数).  相似文献   

9.
采用提拉法生长了掺0.25%(摩尔分数,下同)Yb2O3,0.25%Er2O3和(0.5%、1.0%、1.5%)In2O3的3种同成分In∶Yb∶Er∶LiNbO3晶体。通过晶体的红外光谱,解释了In3+,Yb3+和Er3+在晶体中的占位,由于Yb3+和Er3+离子的掺入,在In∶Yb∶Er∶LiNbO3晶体中In3+既占据Li位又部分占据Nb位,使2%In∶Yb∶Er∶LiNbO3晶体达到阈值浓度。采用980nm二极管激光器测试了In∶Yb∶Er∶LiNbO3晶体上转换发射光谱。结果表明:晶体的绿光上转换发射中心波段位于525、550nm处,分别相应于Er3+的2 H11/2→4 I15/2跃迁和4 S3/2→4 I15/2跃迁;上转换红光发射中心波段在660nm处,对应Er3+的4 F9/2→4 I15/2辐射跃迁。In3+能提高Yb∶Er∶LiNbO3晶体的抗光损伤能力,改变Er3+和Yb3+的局部环境及Yb3+对Er3+的敏化作用,使得In∶Yb∶Er∶LiNbO3晶体发光性能改变。  相似文献   

10.
关丽  魏伟  刘超  尚雅轩  杨志平 《硅酸盐学报》2012,40(12):1744-1748
采用高温固相法在800℃制备了LiY(MoO4)2:Dy3+荧光粉。研究了Dy3+掺杂量、合成温度以及Li+的过量加入对LiY(MoO4)2:Dy3+荧光粉发光强度的影响。结果表明:在紫外光(386nm)激发下,该荧光粉的发射光谱为1个峰值位于488nm和575nm的双峰谱线,其中位于575nm处的黄光发射最强;监测575 nm发射峰得到的激发光谱为主峰位于351、366、386 nm和426 nm的线状谱线。煅烧温度为800℃时合成的荧光粉样品的发光强度达到最大,加入过量的Li+会降低发光强度。随Dy3+掺杂量的增大,荧光粉的发光强度逐渐增强,当Dy3+掺杂量为6%时发射的谱线强度最大。荧光粉的色参数表明,该荧光粉是一种较好的用于白光LED的黄色发光材料。  相似文献   

11.
采用低温燃烧法合成了SrZnO2:Sm3+,Li+红色荧光体,并用X射线衍射谱、扫描电镜图及荧光光谱对样品结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明,Sm3+离子和Li+离子成功地掺入了SrZnO2基质中,所得样品为正交晶系结构的SrZnO2物相;Sm3+离子在SrZnO2基质中主要占据Sr2+离子不对称性格位,发射来源于5G5/2→6H7/2605nm为主的橙红色光;样品呈比较规则的球形颗粒,分散性好,粒径为100~400nm;Li+离子的掺入能显著提高SrZnO2:Sm3+发光强度,当掺杂比n(Sm3+)∶n(Li+)=1∶3时,发光强度增幅最大。  相似文献   

12.
采用固相法制备了(Bi0.5Na0.5)0.65(Ba0.3Sr0.7)0.35[(Zn1/3/Nb2/3)xTi1-x]O3(BNBST-ZN100x,x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)陶瓷,研究了不同含量(Zn1/3/Nb2/3)4+复合离子对陶瓷相结构,显微形貌,介电及电储能特性的影响.结...  相似文献   

13.
以溶剂热法合成多面体CaWO_4:Dy~(3+),M~+(M=Li,Na,K)荧光粉,考察Dy~(3+)掺杂量、Li~+掺杂量、掺杂碱金属离子种类等对产物发光性能的影响。利用XRD、SEM、DRS、PL等对产物进行表征。XRD结果表明:产物CaWO_4:Dy~(3+),M~+(M=Li,Na,K)为四方晶系结构;在波长为256 nm激发下,CaWO_4:Dy~(3+),M~+(M=Li,Na,K)荧光粉,在574 nm处显现出强发射峰,其发光强度相对未掺杂碱金属离子的CaWO_4:Dy~(3+)发光强度明显提高,其中多面体CaWO_4:Dy~(3+),Li~+是CaWO_4:Dy~(3+)发光强度的3倍。  相似文献   

14.
杨英  陈永杰  黄志  耿秀娟 《辽宁化工》2012,41(3):229-231
采用高温固相法在还原气氛下制备了MxSr1-xTiO3∶Pr3+,Na+荧光粉.用X射线衍射分析测定了MxSr1-xTiO3∶Pr3+,Na+荧光粉的晶体结构,具体研究了碱土金属M(M=Mg、Ca)掺杂对SrTiO3∶Pr3+,Na+体系荧光粉发光性能的影响.结果表明,碱土金属Mg2+,Ca2-的掺杂未改变SrTiO3∶Pr3+,Na+荧光粉的立方晶系结构.随着碱土金属加入量的增加,各体系中激发峰或发射峰均有不同程度的红移或蓝移.  相似文献   

15.
电荷补偿对SrCeO3:Sm3+材料光谱特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
魏乐  杨定明  胡文远  张欢 《硅酸盐学报》2012,40(11):1636-1640
采用溶胶凝胶法合成了SrCeO3:Sm3+,M+(M=Li,Na,K)红色荧光粉,用X射线衍射、荧光光谱表征了样品的物相结构和发光性能。研究了电荷补偿剂对SrCeO3:Sm3+发光性能的影响。结果表明:适量掺入电荷补偿剂没有改变基质的晶型结构。样品的激发光谱由Ce4+→O2–的电荷迁移带和Sm3+的离子特征激发峰组成。样品在波长为408 nm的紫外激发下发射红光,发射主峰为601 nm,对应于Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁。样品的发光强度随电荷补偿剂掺量的增大先增强后减弱;对于不同电荷补偿剂,样品发光强度最大处所对应的电荷补偿剂的掺杂量不同;电荷补偿剂Li+、Na+和K+的最佳掺量分别为5%、2%和0.8%。  相似文献   

16.
本文以磷酸盐荧光材料作为研究对象,采用燃烧法制备了不同基质的红色荧光粉,红色荧光粉可以改善光色、提高显色指数,一直是研究的热点.室温下用X射线衍射仪测定了其晶体结构,用F-4600测定了其光致发光性质.结果表明合成的Lu12P2O23∶ Eu3,YP5O14∶Eu3+与La3 PO7∶Eu3+均属单斜相结构,Eu3+在单斜结构基质中占据非对称性格位.在完全相同实验条件下,对不同基质下掺杂Eu3+离子的发光强度进行比较,同时还研究了不同的Eu3浓度对La3PO7发光性质的影响.  相似文献   

17.
徐磊  邱克辉  权浩 《广州化工》2011,39(21):54-56
采用高温固相法合成了Mg2+、Sr2+离子掺杂新型Ca2Li2BiV3 O12:Eu3+红色荧光粉体材料,研究了保温时间对Ca2 Li2 BiV3 O12:Eu3+荧光粉的影响。使用X射线衍射仪对合成样品进行物相分析,利用荧光分光光度计进行光谱分析,测试了样品的荧光光谱。样品表现为Eu3+离子的特征发射,发光强度随着保温时间的增加而逐渐增强。同时研究了Mg2+、Sr2+离子掺杂对合成荧光粉光谱对合成样品的发光性能的影响,本研究发现Mg2+离子掺杂后样品发光效果明显强于Sr2+离子掺杂后样品的发光效果。  相似文献   

18.
掺入摩尔分数为1%In2O3和0.5%Er2O3,从n(Li)/n(Nb)比为0.94,1.05,1.20,1.38的熔体中用提拉法生长In:Er:LilbO3(In:Er:LN)晶体.测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、荧光光谱和抗光损伤阈值.结果表明:随着n(Li)/n(Nb)增加,晶体吸收边发生紫移,晶体的荧光发光强度和晶体抗光损伤阈值增强.n(Li)/n(Nb)为1.38的近化学计量比晶体的荧光发光强度和抗光损伤阈值最高.对不同n(Li)/n(Nb)的晶体的吸收边移动和抗光损伤阈值和荧光发光强度增强的机理进行讨论.  相似文献   

19.
;在掺Er3 的70TeO2-20ZnO-5La2O3-5Nb2O5(各组成以摩尔比计)玻璃中引入Yb3 和Ce3 ,分析比较了975nm泵浦下Yb3 和Ce3 对于Er3 的1.5μm波段红外荧光和可见上转换发光特性的影响.结果表明:在掺Er3 的碲酸盐玻璃中引入Yb3 ,有效地提高了Er3 的1.5μm波段红外荧光强度、展宽了其荧光谱,也显著增强了可见上转换发光强度.随着玻璃中Ce3 的引入,进一步提高了Er3 的4I11/2→4I13/2能级间无辐射弛豫速率,1.5μm波段红外荧光也得到进一步增强,但可见上转换发光大幅减弱.与Er3 /Yb3 共掺相比,Er3 /yb3 /Ce3 共掺碲酸盐玻璃是一种更为理想的应用于1.5 μm波段宽带放大器的增益介质.  相似文献   

20.
采用高温固相法合成Sr3Y1--x(PO4)3∶xSm3+发光材料。X射线衍射表明,1 400℃高温烧制的Sr3Y(PO4)3荧光粉为纯相晶体结构。荧光粉的主激发峰为343、360、373、400、436和468nm;主发射峰为550~575nm(4 G5/2→6 H5/2)、580~620nm(4 G5/2→6 H7/2)和630~660nm(4 G5/2→6 H9/2)。荧光粉在599nm附近有很强的发射,呈现良好的红橙光,符合广泛应用的UV-LED芯片。研究了不同Sm3+掺杂量对样品发射谱的影响,发光强度随着Sm3+掺杂量的增大而增强。当掺杂量x=0.04时,发光强度最强。继续增大Sm3+掺杂量,样品的发光强度反而减弱,即出现浓度猝灭现象。根据Dexter理论,猝灭机理为离子之间的能量转移作用。  相似文献   

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