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本文介绍了一种宽带大动态放大器及其电路设计和实验结果。其主要技术指标为:在8~12GHz频带范围内,G_p≥20dB,△G_p≤±1.5dB,P_0≥100mW。该场放具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。 相似文献
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<正> 最近,电子部第十三研究所研制了Ku波段功率GaAsFET,对于K波段雷达通讯、卫星通讯以及电子对抗等方面的应用具有较重要的意义, 获得GaAs功率器件在Ku波段方面的进展,是由于采取了一系列的先进的工艺和结构设计,其中包括亚微米微细加工技术,源区正面通孔电镀热沉结构等等。器件的性能由两种装配形式测量获得。芯片载体装配器件:在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益7dB。其水平相当于美国微波半导体公司的MSC88199,载体装器件(18GHz,G(?):5dB,P_o:25mW,1984年)。管壳密封器件在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益5dB。其水平相当于美国Gould微波公司DXL-3501A-P70,管壳密 相似文献
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报道了GaAs/InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些关键工艺,给出了器件性能。在12GHz下,最大输出功率≥130mW,增益≥12dB,功率附加效率≥30%。 相似文献
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本文主要介绍一种8.4~9.5GHz微波FET低噪声放大器,该放大器采用计算机微波辅助设计,利用微带工艺技术,在聚四氟乙烯双面敷铜版制作微带电路。文章介绍了放大器的调试结果,该放大器在8.4~9.5GHz的频带内,噪声系数NF≤2.0dB、增益G_p≥20dB、增益平坦度△G_P≤±0.5dB、饱和输出功率P_(-1)≥+8dBm,目前国外在该频率范围最好水平的低噪声放大器的NF≤2.2dB,由此可见,本低噪声放大器已达到目前国外水平。放大器已提供用户使用,用户反映很好。 相似文献
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设计了一种应用于宽带(0.8~3.0GHz)接收机的低电压低功耗低噪声放大器。该放大器以折叠的共源共栅结构为基础,采用噪声抵消结构,通过两条并联的等增益支路来抵消匹配器件在输出端所产生的噪声,实现输入阻抗匹配和噪声优化。电路采用0.18μm CMOS工艺,利用Cadence软件进行设计和仿真。结果表明,该低噪声放大器在0.8~3.0GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于3.2dB,电压增益(S21)在17.6~18.5dB之间,S11小于-12dB,S22小于-20dB,在0.8V电源电压下,功耗为9.7mW,版图面积为0.18mm2。 相似文献
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本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW. 相似文献
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<正> 南京电子器件研究所已于1987年研制定型了一种WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管。器件采用C-403型管壳封装,在16~18GHz下,1分贝增益压缩点的输出功率P_(1dB)大于100mW,增益G_(1dB)为4~5dB,可通用于S,C,X和Ku波段作线性功率放大。 由于采用所内自制的砷化镓材料,引入了先进的中紫外光刻技术进行亚微米的精细加工,并融合了台面隔离、空气桥互连等结构和工艺方法,器件制作比较简便,易于实现批量生产。 WC67型砷化镓场效应管在14.5GHz下测量,可得到P_(1dB)>200mW,G_(1dB)>7.5dB,已和日本电气公司的Ku波段产品NE900175相当。 相似文献
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讨论了4GHz GaAsFET低噪声集成放大器的直流及微波电路设计,介绍了不同的直流偏压电路和微波电路结构。最后给出了用国产CX51型GaAsFET制作的4GHz(4.1~4.4GHz)低噪声放大器的测试结果。这种两级放大器的噪声系数NF≤2.5dB(包括内部微带隔离器),功率增益Ga≥20dB。 相似文献
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俞土法 《固体电子学研究与进展》1984,(4)
本文从栅源串联电阻R_s和有效栅长L_f两方面论述了深槽自对准斜蒸栅结构可明显减小R_s与缩短L_f,有利于降低器件的噪声系数。 本文还用相关栅长L_a和器件在低温下的性能说明GaAs材料的质量对器件噪声系数的影响。提高GaAs半绝缘衬底和缓冲层质量以及与有源层交界面附近的迁移率,可较明显地缩短相关栅长L_a,降低器件噪声。 采用这一器件结构,并选用质量较高的GaAs材料,制得的MESFET,在12GHz下相关增益G_a为7.5dB,噪声系数NF_(min)为1.4dB,与理论预计值相符。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1991,(3)
<正>美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了60GHz三端器件的最新结果.为满足卫星间通讯的需要,目前发展了一种60GHz三端功率器件.该器件采用离子注入In_xGa_(1-x)As/GaAs MESFET结构.获得了在60GHz下100mW的输出功率,4.2dB的相关增益和15%的附加功率效率.在3dB相关增益时,饱和输出功率为121mW.材料的制造是用 相似文献
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基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能。测试1~40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75~110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92~96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB。芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW。 相似文献