X波段双级单片功率放大器

本文利用比较符合实际的MESFET器件物理模型,采用集总元件匹配网络设计了单级和双级的x波段单片功率放大器。单级放大器中心频率为10.0GHz,带宽1.3GHz,线性输出功率126mW时,增益为5.2dB。双级放大器中心频率为9.4GHz,带宽0.8GHz,输出功率P_0≥1 00mW,增益G_p≥7dB,带内增益平坦度⊿G_p≤±0.5dB。较好的样品在9.6GHz下输出功率P_0≥250mW,G_p为9.4dB。     

GaAs微波双栅功率MESFET

本文报导了C和X波段GaAs微波双栅功率MESFET的研制情况和器件设计的主要原则、制作技术、器件性能以及使用情况。CX651型较好器件,f_0=12GHz,P_0=195mW,G_p=13.7dB,第二栅可控增益△G_P=34.4dB;DX591型较好器件,f_0=6GHz,P_0=310nN,G_P=7.1dB,第二栅可控增益△G_P=33dB。代表了目前我国双栅功率器件的最高水平。     

密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET

本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。     

100mW8～12GHz微波FET宽带放大器

本文介绍了一种宽带大动态放大器及其电路设计和实验结果。其主要技术指标为:在8～12GHz频带范围内,G_p≥20dB,△G_p≤±1.5dB,P_0≥100mW。该场放具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。     

18GHz 600mW GaAs MESFET

本文介绍了DX621型GaAsMESFET的设计与制作。该器件成功地采用了密集型源区正面通孔电镀热沉结构,同时采用了N~+N~-N特殊杂质浓度分布的汽相GaAs外延材料。该器件在18GHz下,1dB压缩输出功率大于600mW,1dB压缩功率增益为7dB,漏极效率大于30％。     

2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40％。     

2GHz输出500MW硅微波线性功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于内部存在着非线性效应,使得输出波形产生了畸变。为了改进线性性能可采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层提高器件大电流性能,已研制出在2GHz下,1dB压缩点输出功率P_(-1)=500mW、增益G_p=8dB、动态线性范围大于20dB、1dB压缩点时集电极效率大于30％。     

Ku波段功率GaAs FET

<正> 最近,电子部第十三研究所研制了Ku波段功率GaAsFET,对于K波段雷达通讯、卫星通讯以及电子对抗等方面的应用具有较重要的意义, 获得GaAs功率器件在Ku波段方面的进展,是由于采取了一系列的先进的工艺和结构设计,其中包括亚微米微细加工技术,源区正面通孔电镀热沉结构等等。器件的性能由两种装配形式测量获得。芯片载体装配器件:在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益7dB。其水平相当于美国微波半导体公司的MSC88199,载体装器件(18GHz,G(?):5dB,P_o:25mW,1984年)。管壳密封器件在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益5dB。其水平相当于美国Gould微波公司DXL-3501A-P70,管壳密     

12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管

报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。     

8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器

本文主要介绍一种8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器,该放大器采用计算机微波辅助设计,利用微带工艺技术,在聚四氟乙烯双面敷铜版制作微带电路。文章介绍了放大器的调试结果,该放大器在8.4～9.5GHz的频带内,噪声系数NF≤2.0dB、增益G_p≥20dB、增益平坦度△G_P≤±0.5dB、饱和输出功率P_(-1)≥+8dBm,目前国外在该频率范围最好水平的低噪声放大器的NF≤2.2dB,由此可见,本低噪声放大器已达到目前国外水平。放大器已提供用户使用,用户反映很好。     

DX33型硅微波功率静电感应晶体管

<正> DX33型硅微波功率静电感应晶体管是一种1GHz下输出功率≥10W、增益5～19dB的微波功率器件。具有非饱和型的三极管特性如图1所示。器件在1GHz下其线性输出功率可达9W、线性增益可达8～12dB,最大输出功率12W。在0.8GHz下最大输出功率可达13～15W,功率增益5～11dB。器件漏极效率≥30％。 DX33型是由电子工业部第十三研究所在1982年新研制的产品,并于1982年12月通过了     

2.3GHz、线性输出1.5W硅微波功率晶体管的研究

本文介绍了2.3GHz线性输出1.5W的硅微波线性功率晶体管的主要设计思想和采用的关键技术。给出了器件的主要研究结果:f_0=2.3GHz、P_(1dB)≥1.5W、G_P≥7dB、η_c≥40％、工作电压V_(CE)=12V。该器件已于1989年12月通过部级(专家级)产品设计定型。     

低电压低功耗宽带CMOS低噪声放大器的设计

设计了一种应用于宽带(0.8～3.0GHz)接收机的低电压低功耗低噪声放大器。该放大器以折叠的共源共栅结构为基础,采用噪声抵消结构,通过两条并联的等增益支路来抵消匹配器件在输出端所产生的噪声,实现输入阻抗匹配和噪声优化。电路采用0.18μm CMOS工艺,利用Cadence软件进行设计和仿真。结果表明,该低噪声放大器在0.8～3.0GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于3.2dB,电压增益(S21)在17.6～18.5dB之间,S11小于-12dB,S22小于-20dB,在0.8V电源电压下,功耗为9.7mW,版图面积为0.18mm2。     

C-X波段中功率GaAs MESFET

本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW.     

18GHz 100mW GaAs MESFET和Ku波段100mW FET放大器

<正> 南京电子器件研究所已于1987年研制定型了一种WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管。器件采用C-403型管壳封装,在16～18GHz下,1分贝增益压缩点的输出功率P_(1dB)大于100mW,增益G_(1dB)为4～5dB,可通用于S,C,X和Ku波段作线性功率放大。 由于采用所内自制的砷化镓材料,引入了先进的中紫外光刻技术进行亚微米的精细加工,并融合了台面隔离、空气桥互连等结构和工艺方法,器件制作比较简便,易于实现批量生产。 WC67型砷化镓场效应管在14.5GHz下测量,可得到P_(1dB)>200mW,G_(1dB)>7.5dB,已和日本电气公司的Ku波段产品NE900175相当。     

用于砷化镓功率MES FET器件的优质多层汽相外延材料的制备

本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n~+层的外延材料用于功率GaAs MESFET器件的研究。所生长的优质多层GaAs VPE材料,用于MESFET功率器件获得良好的结果,在15GHz下输出功率≥1W,相关增益≥5dB;18GHz下,输出功率≥600mW,相关增益≥5dB。     

4GHz低噪声GaAsFET放大器

讨论了4GHz GaAsFET低噪声集成放大器的直流及微波电路设计,介绍了不同的直流偏压电路和微波电路结构。最后给出了用国产CX51型GaAsFET制作的4GHz(4.1～4.4GHz)低噪声放大器的测试结果。这种两级放大器的噪声系数NF≤2.5dB(包括内部微带隔离器),功率增益Ga≥20dB。     

器件结构和材料质量对GaAs MESFET噪声系数的影响

本文从栅源串联电阻R_s和有效栅长L_f两方面论述了深槽自对准斜蒸栅结构可明显减小R_s与缩短L_f,有利于降低器件的噪声系数。 本文还用相关栅长L_a和器件在低温下的性能说明GaAs材料的质量对器件噪声系数的影响。提高GaAs半绝缘衬底和缓冲层质量以及与有源层交界面附近的迁移率,可较明显地缩短相关栅长L_a,降低器件噪声。 采用这一器件结构,并选用质量较高的GaAs材料,制得的MESFET,在12GHz下相关增益G_a为7.5dB,噪声系数NF_(min)为1.4dB,与理论预计值相符。     

60GHz三端功率器件

<正>美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了60GHz三端器件的最新结果.为满足卫星间通讯的需要,目前发展了一种60GHz三端功率器件.该器件采用离子注入In_xGa_(1-x)As/GaAs MESFET结构.获得了在60GHz下100mW的输出功率,4.2dB的相关增益和15%的附加功率效率.在3dB相关增益时,饱和输出功率为121mW.材料的制造是用     

3 mm 波段低噪声放大器

基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能。测试1~40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75~110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92~96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB。芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW。