阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法

功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(C_GS-V_G、C_GD-V_G)的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量C_GS-V_G、C_GD-V_G的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态,影响测量电路拓扑,进而引入其他测量误差。该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_GS-V_G、C_GD-V_G进行详细的误差分析,揭示测量误差产生的原因;建立测量的等效电路,给出测量误差的解析表达式;结合实验和数值分析量化误差分析,验证了等效电路模型的有效性;最后,提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证。结果表明,测量误差发生在器件导通后,此时器件漏源极间由电容态转变为低阻态,屏蔽端的寄生...     

高性能MOS结构高频C-V特性测试仪

MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。     

Crosstalk Simulation for Parallel Microstrip Lines with a Nonlinear Capacitive Load Using the Dynamic C-V Characteristic

Crosstalk analysis is getting more important for avoiding malfunction of circuits. In this paper, crosstalk analysis of parallel microstrip lines with a nonlinear capacitive load is described. A characteristic of the nonlinear capacitive load is changed by a rapidly change of an applied voltage of the load. The change of the characteristic induces a complicated reflected wave that causes complicated crosstalk. To simulate such crosstalk precisely, the dynamic C-V characteristic can be used. However, if the dynamic C-V characteristic is complicated, it takes a long time to simulate the crosstalk by using a conventional method. Thus, a simulation method using a recurrence formula is introduced. The recurrence formula is derived from a function of the dynamic C-V characteristic simply. The calculated results computed by using the introduced method agree with the measured crosstalk and the introduced method is superior in computation time to the conventional method. It is confirmed that the introduced method is effective in crosstalk simulation. Copyright © 2009 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.     

C-V properties of MIS structures with a ferroelectric polymer insulating layer

Abstract

MIS heterostructures have been fabricated with a 56 nm film of ferroelectric polymer as the insulating layer. High frequency C-V measurements have been made at room temperature, for bias voltages from -5 V to +5 V. A shift of the observed C-V curve from the theoretical curve indicates the presence of fixed positive charges, with density of 0·52 mC m^?2, in the polymer layer. Injected and polarisation charges also shift the curves, depending on the direction and sweep rate of the bias voltage. At bias voltages above +1 V dipole movement in the polymer reduces the shielding of inversion layers from depletion region, leading to a widening of the depletion region and a consequent decrease in capacitance.     

基于C-V模型的电晕放电紫外成像分割及特征量研究

高压设备因绝缘缺陷发生电晕放电时,设备表面会辐射出紫外光,利用紫外成像技术可以检测电晕放电位置与放电强度并判断高压设备的绝缘缺陷。紫外成像仪利用"光子数"表征放电强度,由于环境噪声干扰,"光子数"特征量并不准确,有时甚至误差很大。为了更准确地描述电晕放电状态,文中提出基于C-V水平集模型提取图像特征量来表征电晕放电特性的新方法。首先引入C-V水平集模型对紫外图像进行分割处理,然后根据提取出的放电区域和区域边界点坐标,定义了光斑面积、边界周长、长轴、短轴等参数来评估放电状态,给出了干扰因素的修正方法。最后,通过变电站绝缘子外表面放电的紫外图像C-V模型运算实例,说明该计算方法能在不进行图像滤波预处理的情况下,精确分割出放电区域,自动化程度高,且对不同背景的紫外图像适应性较好。     

汞排放控制的基础技术及其应用

介绍美国电科院（EPRI）与美国能源部国家能源技术实验室（DOE-NETL）联合进行的电厂排汞控制技术研究项目。研究涉及所有污染物排放控制基础技术的综合利用，并示出排汞控制效果、成本及潜在的负面影响。该篇为综述性介绍，下期将系列详细报道具体项目的研究情况。     

检索学位论文的基本路径

现代科技信息浩如烟海,学位论文是其中一个重要的组成部分.学位论文专业性强,研究深入,是一批有价值的资源.开发和检索学位论文有助于了解和掌握各学科的最新动态.本文通过介绍目前国内外最具权威的学位论文收集整理机构及其制作出来的各类书刊、数据库,为检索学位论文提供了实用和基本的路径.     

铅酸蓄电池保有容量的检测

铅酸蓄电池的保有容量,是用户在设备运行中最关心的技术参数。分析用负载电压法测定这个参数,可信度较高的原因。如何在日常维护中测量和使用这个参数,提出了保障测量精度的几个原则,介绍了现在这项技术的发展情况。     

动力电池数字化测试系统--DSP在电池检测中的应用

介绍了一种动力电池数字化测试设备的软硬件设计。该系统以TMS320LF2407DSP作为核心处理器,采用主从式结构设计方法,用FPGA配合DSP实现了数字化PWM输出电流调节,可对动力电池恒电流充放电过程中的电池电压、电流、容量、-驻V进行实时监控。实际测试结果表明,系统的可靠性好、检测精度高、响应速度快、使用方便,能很好的满足动力电池测试的各种要求,适合于大规模动力电池的化成与检测。     

微电网结构设计的基本原则

微电网结构设计是微电网建设的基础,设计微电网结构时需遵循一定的设计原则,而微电网的结构设计较之于传统配电网又有不同。本文详细分析了交流微电网和直流微电网的相同点和不同点,并指出交直流混合微电网兼顾了两者的优点,更加有利于分布式电源的接入。本文阐述了微电网结构设计的若干原则,在考虑分区、分层原则的同时,还要考虑资源利用最大化、能源互补、储能和无功补偿等问题,文中还给出了当资源和负荷条件不能自然满足设计原则时的解决措施。最后,以北京某大学为例进行了微电网的设计,验证了上述设计原则的合理性和可行性。