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本文介绍使用Ba_2NaNb_5O_(15)(BNN)的几个问题。 BNN是属于点群mm~2、具有钨青铜结构的双轴非线性晶体。在波长0.4~5.0微米范围内是透明的,非线性系数d_(32)大约为LiNbO_3(d_(31))的三倍。由于不产生用LiNbO_3 相似文献
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一、KTP晶体KTP(KTiOPO_4)是Nd:YAG激光(1.06μm)倍频的理想材料。KTP属于K_xRb(1-x)TiOPO_4族,斜方结构(点群mm2 )的双轴晶体。晶体常数:a=12800(?),b=6400(?),C=10580(?)。表1列出了KD~*P,LiNbO_3及KTP晶体特性的最重要数据。令人注意的首先是与KDP族(KD~*P或KDP)相比,KTP的透过范围大,非线性系数大,因此可用于有效倍频。表1 KD~*P、LiNbO_3及KTP晶体的特性 相似文献
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非线性LiIO_3晶体对于Nd激光器辐射的谐波发生是一种良好的介质。这种晶体在可见和近红外区是透明的,非线性极化大,而且很容易承受激光辐射。LiIO_3晶体特性几乎不受温度影响。这种材料缺点是吸湿性和角色散大。LiIO_3二次谐波发生相位匹配角要比LiNbO_3小(分别为θ_(pm)~(ooc)=30°,84°),这是产生几种不希望有的现象的根源。首先,在这样小的角度下,双折射的影响及有关的 相似文献
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用 AsCl_3—Ga—H_2开管流动系统外延生长 GaAs 晶体获得了以下各种电性能:(i)当 AsCl_3温度从20℃变到0℃时,在掺 Cr 半绝缘衬底上所生长的外延层中载流子浓度从2.5×10~(14)厘米~(-3)变到2×10~(15)厘米~(-3)(ii)如果在外延沉积前降低 Ascl_3的温度,在外延层——(掺Sn 低阻)衬底交界面处能观察到高阻区,若在生长过程中降低 Ascl_3温度,反而会出现低阻区。在较高的 AsCl_3温度下生长时,外延层表面会出现棱锥,使用偏离(100)面5度切割的衬底可以消除这些棱锥。 相似文献
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《光机电信息》1998,(11)
康内尔(Ithaca.NY)大学的研究者们已研制出由多聚物材料构成的晶体薄膜波导,这一研究成果增强了生长具有独特尺寸或几何形状和宽调谐性的光学材料的潜力。为了研制这种光学增益介质.即把铬掺杂镁激榄石或铬掺杂透辉石纳米微细晶体嵌入多聚物基质内。要注意的是.这种材料试验时要用吸温材料封装起来,否则对周围环境敏感。非结晶态铬掺杂镁橄榄石颗粒是用分散聚合处理万法制成的,然后在750℃温度下退火形成晶体。这个退火温度生产的铬掺杂密度(2.7×10~(20)cm~(-3))比1910℃温度要大些.1910℃温度是Czochralski方法生长铬掺杂镁橄榄石(典型 相似文献
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用提拉法生长出Er3 ∶Y0.5Gd0.5VO4单晶,用电感耦合等离子体(ICP)光谱法测定晶体中Er3 原子数分数为0.83%,有效分凝系数为1.03。在30~1300℃测量了晶体a轴和c轴的热膨胀系数分别为2.08×10-6/℃,8.87×10-6/℃;测得晶体在25℃时的比热值为0.48J/(g.K)。采用激光脉冲法测量了晶体的热扩散系数,并通过计算得出晶体的热导率,在25~200℃温度范围,晶体在〈100〉方向上的热导率为6.1~4.9W/(m.K),在〈001〉方向上的热导率为7.7~6.2W/(m.K)。 相似文献
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一、前言晶体的频率温度系数虽然较小,但只是对较窄的温度范围而言,当温度变化范围较宽时,晶体的频率都随温度的变化而变化。例如AT切型的晶体由-40℃~ 100℃时频率的相对变化达10~(-5)数量级。为了减小温度变化时对晶体频率的影响,以前我们曾研制过双金属控制的恒温器,温度在-40℃~ 55℃变化时,能使晶体的频率稳定度达10~(-6)数量级(环境温度在-40℃~ 55℃变化时,恒温 相似文献
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利用掺杂铌酸锂作相位共轭镜的全光学联想记忆系统 总被引:1,自引:0,他引:1
最近,一种用光学方法模拟神经网络的最新研究成果将全息和相位共轭技术结合起来,完成了一种所谓全光学联想记忆系统。光源是氩离子激光器,记忆元件——全息图的记录材料是热塑片,具有反馈、取域和增益功能的非线性元件——相位共轭镜(PCM)由BaTiO_3晶体构成。 本工作是在[2]装置的基础上,选用掺杂LiNbO_3晶体作为相位共轭镜而实现了全光学联想记忆系统。在我们的系统中,利用He-Ne激光器作为照明光源,使用掺杂LiNbO_3晶体来做PCM实现联想记忆。图1是全光学联想记忆系统的示意图。 相似文献
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Er3+: Y0.5Gd0.5VO4激光晶体的生长和热学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
用提拉法生长出Er3 : Y0.5Gd0.5VO4单晶,用电感耦合等离子体(ICP)光谱法测定晶体中Er3 原子数分数为0.83%,有效分凝系数为1.03.在30~1300℃测量了晶体a轴和c轴的热膨胀系数分别为2.08×10-6/℃,8.87×10-6/℃;测得晶体在25℃时的比热值为0.48J/(g·K).采用激光脉冲法测量了晶体的热扩散系数,并通过计算得出晶体的热导率,在25~200℃温度范围,晶体在<100方向上的热导率为6.1~4.9W/(m·K),在<001方向上的热导率为7.7~6.2W/(m·K). 相似文献
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一、晶体特性与激光器件 Nd:MgO:LiNbO_3(NMLN)晶体采用熔体提拉法沿(?)轴生长,Nd的浓度为3.45×10~(19)/cm~3。实验测得对σ-偏振光,在809nm处有一吸收峰,除去表面反射后,吸收系数为1.03cm~(-1);π-偏振光的吸收峰位于815nm,吸收系数为1.14cm~(-1)。使用19.5mm长的样品,测得在激光波长处的损耗系数为0.6%cm~(-1)(1.085μm),0.5%cm~(-1)(1.093μm),与较好质量的Nd:YAG相当。 相似文献