1.55微米分布反馈的GaInAsP/InP激光器

叙述了制做程序和介绍了有分布反馈的 GaInAsP/InP激光器特性的初步研究结果，这种激光器是用在波纹基底上一次外延法制成的。     

用液相外延生长的1.3微米InGaAsP/InP多量子阱激光器

我们用低温(T_g=589℃)液相外延生长技术二成功地制成了具有多量子阱有源层的1.3μm InGaAsP/InP双异质结构激光器.薄外延层的厚度小于De Brogile(德布罗意)波长.激光器的阈值电流为19mA,外微分量子效率为～40%,在—5℃～20℃范围内的T_0值为～145K;在20～70℃范围内的T_0值为～60K.     

光纤传输用GaInAsP/InP注入式半导体激光器

作为光纤传输系统用的光源，在比GaAs/AlGaAs半导体激光振荡波长（0.8~0.9)长的波段范围里振荡的半导体激光器的研制，最近非常活跃。对此，可以认为有下列背景。     

液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究

本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。     

GaInAsP/InP DH激光器的温敏性

一、前言半导体激光器的阈值温度关系一般可表示为I_(th)(T)=I_(th)(T′)exp[(T-T′)/T_0] (1) 其中T_0为特征温度,表示激光器的阀值电流对温度的敏感性。GaAlAs/GaAs DH激光器在室温附近T_0≥120°K,而GaIn AsP/InP DH激光器在室温附近为50—70°K,当温度高于340°K时,T_0≈30°K。小     

光纤传输用的GaInAsP/InP注入式半导体激光器

一、前言作为光纤传输系统用的光源,最近长波长(与0.8～0.9μm 的 Ga As 半导体激光器振荡波长相比)半导体激光器方面的研究工作迅速活跃起来。对此,可认为有如下的背景。(1)由于 Horiguchi,Osanai等人的努力,使导致光纤传输损耗大的主要原因的OH 根含量得到降低,从而使传输损耗最小的波段向长波长方向移动,并使光纤的传输损耗得到进一步降低。最近,在1.2～1.4和1.5～1.6μn 波长区域获得了0.5db/km 的超     

GaInAsP/InP异质结液相外延层晶格匹配的研究

正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很宽的组分变化范围内     

液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结

<正> 一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于低损耗、低色散的光纤传输.(2)能够用异质结阻挡位错的延伸,而本身又可以晶格匹配地生长,不引进失配位错.(3)在有源层达到高效率的发射复合,然后通过透明的InP层,保证有效地取出发射光.(4)InP的热导性较好.(5)该异质结材料不易氧化,生长工艺容易稳定.     

1.55μm GaInAsP/InP DFB-DC-PBH激光器

在n-InP衬底或GaInAsP波导层上,使用氩离子激光器全息曝光方法刻制二级光栅,进行低温液相外延生长.再利用已有的DC-PBH激光器的制作工艺技术,构成了分布反馈双沟道平面掩埋异质结激光器(DFB-DC-PBH LD).15℃连续工作最低阈值电流为63mA,典型值70-120mA,线性输出光功率大于4mW,外微分量子效率为5～8.3％,主模波长λ温度漂移系数△λ/△T为0.8～1.0A/℃,静态单纵模较好,在400Mbit/s,700Mbit/s和1.4Gbit/s,20mA脉冲电流随机码调制下,单纵模工作稳定.相同条件下,DC-PBH LD单纵模明显变为多模或跳模.     

气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器.有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010 cm-2左右,势垒层为InGaAsP.室温下量子点的光致发光中心波长在1.55 μm,发光峰半高宽为108 imeV.通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55 μm.由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽.器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A.     

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。     

1.5~1.7微米汽相外延InGaAsP/InP连续激光器

用汽相外延和分子束外延法制作的1.67微米脉冲运转激光器已有报导。用液相外延制作的、能在室温连续运转的1.5~1.7微米激光器也已经实现。但是，当波长大于1.5微米时,In和Ρ的溶液有回融InGaAsP层的倾向。为避免回融，一般须采用非常的生长技术，如使用“抗回融层”,或采用很低的生长温度。本文的目的是报导用通常的金属氯化物-氢化物汽相外延制备的1.5~1.7微米InGaAsP/InP激光器在室温下的连续运转。除了稍微改变一下气流之外，在器件制造过程中没有釆用任何其他的特殊技术。     

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。     

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.     

InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长

用液相外廷获得了与InP晶格匹配的Ga_(0.47),In_(0.53)As单晶外延层.本文叙述在(100)和(111)InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长方法.用常规滑动舟工艺生长的这种外延层,其表面光亮,Ga的组分x=0.46～0.48,晶格失配率小于2.77×10~(-4),禁带宽度E_g=0.74～0.75eV.使用这种Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP/InP(衬底)材料研制的长波长光电探测器,在波长为0.9～1.7μm范围内测出了光谱响应曲线,在1.55μm处呈现峰值.     

InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长

<正>我所自81年4月份开展InP-GalnAs液相外延生长以来,已于8月中旬在InP衬底上生长出与衬底晶格相匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)AS/InP的液相外延层.三元层表面光亮平整的双层外延材料,其禁带宽度为0.74～0.75eV,晶格失配率为2.77×10~(-4)左右.为进一步检验材料的特性,今年11月初用这种材料进行了长波长光电探测器试验.该器件采用Zn扩散结     

低阈值电流高效率的面发射GaInAsP/InP激光器

通过单片集成45°(抛物)镜面,将激光器的光输出偏转到与衬底表面垂直的方向,研制成一种掩埋的异质结构激光器。利用质量输运现象,用化学腐蚀修平多台阶结构制作了该镜面。这些器件的阈值电流低至12mA,微分量子效率高达47％;具有一个波瓣的面发射远场图形展角窄至12°。     

在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究

在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。     

波长为1.6μm的GaInAsP/InP BH激光器

用生长一防回熔层的LPE方法制作了波长为1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结(以下简称BH)激光器。为了防止腐蚀过的晶片在第二次生长时的热损伤并有助于平坦生长,采用了一种新的制作工艺。对于腔长约为300μm、条宽为3～5μm的激光器,获得了23mA的低阈值电流。直到大于2倍多阈值时仍能单横模工作。也可在阈值电流为28mA下实现室温CW工作,其微分量子效率约为30％。测量了阈值电流和微分量子效率与温度的关系,并根据由能带劈裂造成的价带内的吸收损耗进行了解释。     

用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器

单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器，其电流阈值为300亳安(室温，脉冲工作)，比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时，接近单模运转，这巳用~180微米的腔长获得。