微孔α-Al2O3陶瓷膜管的制备与性能

本文研究了粉体粒径、添加剂种类、含量对膜孔性能的影响，用自制的装置测定膜的平均孔径、孔径分布、孔隙率、气通量和水通量．用固态烧结技术制得了平均孔径为0．45μm、孔分布狭窄、孔隙率为50％的陶瓷膜管．     

钛合金微等离子体氧化表面陶瓷膜耐腐蚀性研究

为提高钛金合的耐腐蚀性能，在其表面用微等离子体氧化法生长一层陶瓷膜，经扫描电镜（SEM）测试，发现在钛基体上生长了一层厚为15μm的均匀膜层，通过循环伏安和电偶电流法对有无膜层的钛合金进行测试，发现有陶瓷膜层的钛合金的耐腐蚀能力明显增强，而且对与之接触的铜的腐蚀能力降低。     

不锈钢表面Al2O3膜的微弧氧化制备

报道了在奥氏体不锈钢表面制备氧化物陶瓷膜的新方法．首先用热浸镀工艺在不锈钢表面镀铝，然后利用铝的微弧氧化形成了Al2O3陶瓷膜．对所获得的样品进行了断面形貌观察、成分和相组成分析发现，在金属间化合物上形成的陶瓷膜主要由Q．A1203和γ-Al2O3构成，γ-Al2O3的含量高于α-Al2O3．对其硬度测试发现，从基底到表面硬度呈梯度分布，氧化物陶瓷表面的硬度约为800HV．     

α-Al2O3稳定浆料的研究

本文研究了分散剂种类数量、ｐＨ值等对大颗粒α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷浆料稳定性的影响，得到了具有一定的粘度和流动性适于制备α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷膜管的稳定浆料。     

微波酸消解α-Al2O3研究

使用MARS-5微波高压消解系统采用HCl或HNO3成功地溶解了α-Al2O3样品，指出当溶剂温度上升至240℃时，HCl或HNO3对α-Al2O3样品具有较强的溶解能力。当溶剂量固定时，样品量的大小与溶样时间大致成正比关系。Al2O3样品中α相比率越高，消解时间越长。     

TiO2和α-Al2O3晶体的生长习性

通过水热法制备粉体的实验观察到金红石、锐钛矿和α－Ａｌ２Ｏ３晶体的生长习性,采用配位多面体生长习性法则合理地解释了ＴｉＯ２和α－Ａｌ２Ｏ３的生长习性,其主要结果为α－Ａｌ２Ｏ３晶体的生长飞快生为平板｛０００１｝,其各晶面的生长速度为：Ｖ｛０００１｝〈Ｖ｛１１２３｝〈Ｖ｛０１１２｝＝Ｖ｛１１２０｝〈Ｖ｛０１１０｝;金红石的生长习性为柱状,其各晶面的生长速度为;Ｖ〈１１０〉〈Ｖ〈１００〉〈Ｖ〈１０１〉     

低温制备纳米α-Al2O3粉体

研究了以Al(NO3)3.9H2O和NH3．H2O溶液为原料,采用高纯氧化铝球磨原位引入晶种和添加ZnF2、AlF3的制备工艺,通过提高凝胶中晶种的均匀性和加速相转变时物质的扩散和传输,可降低过渡型氧化铝向α型氧化铝相转变温度,所制铝凝胶经900－920℃煅烧可获得平均粒径＜50nm的α型纳米氧化铝。     

导模法生长α-Al2O3∶C晶体

以高纯Al₂O₃为原料,利用石墨发热体和石墨保温桶为碳源,采用导模法生长了α-Al₂O₃∶C 晶体,研究了氢气退火后得到的α-Al₂O₃∶C晶体的热致发光和光致受激发光特性.α-Al₂O3∶C晶体在460K具有单一一级动力学热致发光峰,热致发光发射波长位于415nm.α-Al₂O₃∶C晶体的光致受激发光曲线呈指数衰减,衰减曲线由快衰减和慢衰减两部分组成.α-Al₂O₃∶C晶体的热致发光和光致受激发光剂量响应曲线具有线性亚线性饱和的特点,其中热致发光剂量响应在5×10^-6~0.2Gy范围内呈现良好的线性关系,饱和剂量为10Gy;光致受激发光剂量响应在5×10^-6~10Gy范围内呈现良好的线性关系,饱和剂量为30Gy.     

在氧气中焙烧C/γ-Al2O3复合物快速制备α-Al2O3微粉

提出了一种快速制备α-Al₂O₃微粉的方法, 以淀粉为碳源、γ-Al2O₃为前体制备了C/γ-Al₂O₃复合物, 然后在800℃、氧气氛中焙烧制备α-Al₂O₃微粉. N₂物理吸附及SEM分析结果表明, 所制得的α-氧化铝颗粒细小, 约为2μm. 该方法具有焙烧温度低、焙烧时间短的优点, 同时, 淀粉及γ-Al₂O₃均为廉价的工业原料, 且该方法所需淀粉量较少, 最少仅需0.3g/g γ-Al₂O₃, 对应的C/γ-Al₂O₃复合物碳含量约为6wt%, 因而极具工业化应用前景.     

室温固相合成In2O3及其气敏性能研究

以无机物ＩｎＣｌ３·４Ｈ２Ｏ和ＮａＯＨ为原料，在遵守热力学限制的前提下，用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物Ｉｎ２Ｏ３的纳米粉体，用Ｘ射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察，并用静态配气法测定了材料的气敏性能．     

铝合金微弧氧化陶瓷膜的相分布及其形成

用Ｘ射线衍射法研究了ＬＹ１２铝合金微弧氧化陶瓷膜中的相分布，并提出了其形成。结果表明：铝合金微弧经陶瓷膜主要由α－Ａｌ２Ｏ３，γ－Ａｌ２Ｏ３组成，从表层到里层，α相逐渐增加；表层主要由γ相组成，其含量基本上不随氧时间变化。     

纳米 TiO2涂层对 Al2O3微滤膜的改性研究

以硫酸钛、尿素为主要原料，采用均相沉淀法对α-Al2O3微滤复合膜进行了纳米TiO2的涂覆改性，着重考察了反应温度、反应物浓度与涂覆次数对改性作用的影响．实验结果表明，制备的TiO2改性涂层光滑致密，晶粒尺寸为10-15nm，使改性后的Al2O3微滤复合膜水通量提高了19％以上．用TEM、Zeta电位分析手段对改性涂层进行了测试分析，探讨了改性的机理．     

固相法制备α-Fe2O3纳米粒子

用固相反应法合成了纳米α－Fe2O3粒子,采用XRD、TEM、Moessbauer对合成样品进行表征,结果表明此方法合成的粒子为α－Fe2O3。其粒子呈花生型,粒子直径为20－40nm左右。     

纳米α-Al2O3/W复合粉体的制备

论述了非均相沉淀法制备纳米α—Al2O3/W复合粉体的实验过程,以及纳米钨粉对α—Al2O3相转变温度的影响.结果表明:纳米钨粉的存在降低了α—Al2O3的相转变温度.本实验所制凝胶在1000℃真空中煅烧1h可获得平均粒径<50nm的α—Al2O3/W粉体.     

碳酸铝铵热分解制备α-Al2O3超细粉

研究了以硫酸铝铵和碳酸氢铵为原料合成碳酸铝铵的工艺条件．在实验条件范围内，将硫酸铝铵溶液以低于1．2L．h－1的速度加入到碳酸氢铵溶液中，可合成碳酸铝铵；在其它操作条件下，获得的产物为γ－AlOOHγ－AlOOH升温过程中的物相变化次序为：γ－AlOOH→γ－Al2O3→δ－Al2O3→θ－Al2O3→α－Al2O3;而碳酸铝铵的相变次序为：碳酸铝铵→无定型Al2O3→θ－Al2O3→α－Al2O3碳酸铝铵转变为θ－Al2O3和α－Al2O3的温度均比γ－AlOOH低约100℃γ－AlOOH在1200℃煅烧1h方可完全转变为α－Al2O3，其颗粒尺寸为150um；粉体经1450℃、2h烧结相对密度为84.46％；而碳酸铝铵在1100℃煅烧1h就可完全转变为α-Al2O3，其颗粒尺寸为70um，粉体在相同的烧结条件下相对密度可达97.80％     

α-Al2O3籽晶对Al2O3晶型转变及形貌的影响

在湿化学法合成的纳米Al2O3前驱体NH4Al(0H)2CO3中添加α-Al2O3籽晶(150nm左右)，研究了α-Al2O3籽晶对Al2O3晶型转变及形貌的影响．结果表明，少量Q—A1203籽晶的添加能降低形核温度，有效的提高相转变速率，在较低的温度下完成θ→α-Al2O3的相转变，同时对聚合生长也产生一定的影响．     

固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料

采用传统的电子陶瓷生产工艺,制备出一种B2O3-P2O5-SiO2系瓷料.该体系材料加入少量助烧剂可在900℃,空气气氛中烧结,获得低介电常数陶瓷.得到烧结体的介电常数ε≤5、介电损耗tanδ≤3×10-3(1MHz),有望用于超高频叠层片式电感领域.     

二步煅烧法制备超细α-Al2O3粉

经由二步煅烧法制备了超细α－Ａｌ２Ｏ３粉。ＸＲＤ分析说明所制备的粉是α相,ＴＥＭ观察到其一次粒子尺寸在８０～１００ｎｍ间,形貌较规则。     

Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响

研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性，物相组成和微波介电性能的影响。XRD分析结果表明，没有添加Al2O3是，合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi5相,加入Al2O3，MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外，还出现了MgAl2O4相，这是上由于Al2O3和MgO发生固相反应，MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降，但是可能降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗。     

燃烧法合成的纳米α-Al2O3晶格热膨胀系数研究

采用动态高温粉晶X射线衍射技术,对燃烧法合成的纳米α-Al2O3从室温到1100℃之间的晶格热膨胀系数进行了测定.实验结果表明在测试温度范围内,纳米α-Al2O3的晶胞参数与温度呈线性关系.燃烧法合成的纳米α-Al2O3的晶胞参数随温度的变化符合关系式△a/(a0△T)=7.27×10-6/℃、△c/(c0△T)=7.50×10-6/℃和△V/(V0△T)=21.92×10-6/℃.