碱金属Cs和InP(100)界面电子结构的研究

用光电子能谱技术（XPS和UPS）研究了碱金属Cs和InP（100）的界面形成和退火效应。实验结果表明，在覆盖低于0．5ML时，Cs和InP（100）形成突变界面。当覆盖度增加后，Cs－In产生置换反应，界面形成混合相，退火后，Cs一部分脱附，一部分与In产生置换反应而留在InP体内。     

Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构

利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd的增加 ,Gd 4 f演变为双峰结构。根据对实验数据的分析 ,认为Gd在反应层上以团簇的形式吸附     

Fe／GaAs（100）界面构成和电子态的同步辐射研究

利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构，在界面处，Fe与As形成稳定的化学键，而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金，但反庆只能在界面处发生，形成窄的反应层，Fe沉积后改变了GaAs表面的电存在As和Ga的扩散现象，同步辐射价带变也证实了这一点。     

Fe/GaAs(100)界面构成和电子态的同步辐射研究

利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构。在界面处,Fe与As形成稳定的化学键,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金,但反应只能在界面处发生,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构,重新钉扎了费米能级位置,引起费米能级向价带顶移动0.27eV。另外,Fe的生长模式在沉积过程中发生改变,而且存在As和Ga的扩散现象,同步辐射价带谱也证实了这一点。     

Gd／GaAs（100）的界面形成和电子结构

利用同步辐射光电子能谱技术研究了Ｇｄ在ＧａＡｓ（１００）表面的吸附。当吸附厚度小于０．４７ｎｍ时,界面反应弱;在０．４７￣０．９ｎｍ范围内,界面反应变得强烈;大于０．９ｎｍ时,界面反应停止。在吸附过程中Ｇｄ４ｆ首先是一单蜂结构,随着Ｇｄ的增加,Ｇｄ４ｆ演变为双蜂结构。根据对实验数据的分析,认为Ｇｄ在反应层上以团簇的形式吸附。     

K_xC_(60)电子态的光电子能谱的初步研究

早在1983年就从含碳的烟雾中发现C_(60)的存在,但是在1990年5月份之前,人们对这种固体的状态了解甚少。近来用自制的真空充氦放电装置制备得到C_(60_和C_(70),并且用核磁共振、红外谱等方法在室温下测得了C_(60)的有关信息(另文发表)。本文主要报道用自制的C_(60)在超高真空环境蒸发到GaP(111)表面上.并原位做紫外光电子谱(UPS)研究的初步结果。     

n-GaAs(100)表面及Na/n-GaAs(100)界面的光电子谱研究

采用X射线光电子谱(XPS)及紫外光电子谱(UPS),对经5keV Ar~+离子轰击后的n-GaAs(100)表面及其Na/GaAs(100)界面作了详细的研究。并且和Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面进行比较,以揭示Ar~+离子轰击对金属/n-GaAs(100)界面的影响。结果表明,经5keV氩离子轰击后的n-GaAs(100)表面,其功函数较n-GaAs(100)-(4×1)表面大0.3eV。而且,Na在低覆盖度时(θ≤0.02ML)。轰击后的GaAs(100)表面,Na/n-GaAs(100)界面费米能级移动量为0.7eV,而Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面,其费米能级移动量仅为0.3eV。     

粘土/橡胶的复合效应研究

本文着重研究以疏水性的橡胶为连续相、以经偶联改性的粘土矿物为分散相的多相体系的复合效应及其偶联反应条件,并利用红外吸收光谱对亲水性粘土矿物的表面偶联方式进行初步的探讨。     

Cu／SiO2/Si（100）体系中Cu和Si的扩散和界面反应

室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜.采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiO3/Si(100)体系的扩散和界面反应.RBS分析得出对于Cu/SiO2/Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成.这比已有文献报道的温度低.     

高分子鞣剂与皮胶原相互作用的研究进展

从高分子相互作用的角度综述了高分子鞣剂与皮胶原相互作用的研究现状，分析了根据聚电质理论提出的相互作用模型，进而指出了该研究的发展方向。     

FTIR研究PVC热塑性弹性体分子间相互作用及结晶行为

用FTIR研完了PVC/DOP/NBR热塑性弹性体中分子间的相互作用及PVC的结晶行为。结果表明,PVC分子的结晶振动谱带受加入的增塑剂(DOP)和橡胶(NBR)的影响而减弱,PVC中—C—CI基团与DOP分子中的—C=0基团存在相互作用,而PVC中α-H原子与NBR的C=N基的相互作用是PVC与NBR相容的分子基础。     

钢渗铬层上金刚石薄膜的表面、界面结构及附着性

在钢渗铬层表面用化学气相沉积(CVD))法制备了金刚石薄膜.使用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和压痕法研究了金刚石膜的表面、界面结构及附着力.用拉曼光谱分析了金刚石膜的纯度及非金刚石碳相.甲烷含量超过0.6%(体积分数)后,金刚石膜为球形纳米晶,形核密度＞107cm-2.用甲烷含量为0.6%(体积分数)沉积的金刚石膜表面的残余压应力为1.22 Gpa,而膜背面的残余压应力更高,达2.61 Gpa.压痕显示在19.6 N载荷下膜发生开裂.TEM观察发现,膜/基界面为微观非平面,有利于提高金刚石膜的附着力.     

电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究

研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。     

表面贴装技术的工艺参数对共晶SnPb焊料与铜焊接界面的影响

采用扫描电镜与能谱分析方法,研究了表面贴装技术的工艺参数（包括恒温区保温时间、传送带速度、锡膏粘度和锡膏模板厚度等）对共晶SnPb焊料与铜焊接界面的影响.结果显示,表面贴装技术工艺参数并不明显影响焊接界面金属间化合物（IMCs）层的组成（IMCs层的主要成分为Cu6Sn5相）,但影响IMCs层的形貌,其中传送带速度会影响Cu6Sn5相的平均直径,而锡膏模板厚度与恒温区保温时间则对IMCs层的形态与厚度影响较大.