第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4Ω提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

无滤波器D类音频放大器

无滤波器的D类音频放大器NCP2820能通过5V电源为一个4Q桥式连接负载（BTL）提供2．65W的连续平均功率，或为8Q桥式连接负载提供1．4W功率，而总谐波失真加噪声（THD＋N）小过1％。输入电压为2．5～5．5V，效率为90％，关断电流为0．42μA。可消除启动或关断时的噪声，使用A加权滤波器能确保获得净化的音频输出。     

ChiP BCM：功率器件模块

Vicor公司推出ChiP（conVerterhousedinpackage）平台功率器件模块。这款新的ChiP总线转换器模块（BCM）,可在48V输出提供功率高达1．2kW,峰值效率98％,功率密度达1880W／in^3。     

新一代IGBT驱动产品—SEMiX^TM模块

新型SEMiXTM模块提供的功率容积密度几乎相当于62-mm模块的2倍。SEMiXTM首先推出了3种模块尺寸 :SEMiXTM2,SEMiXTM3和6单元SEMiXTM33。SEMiXTM系列是一种平台式设计 ,可提供适用于各种功率档的不同尺寸模块。SEMiXTM 产品采用600V,1200V和1700VIGBT3trench技术;其中1200V模块同     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4（2提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

TBY—600A型车载移动通信电源故障检修

故障现象加电烧熔断器（6A）机内冒烟,直流过欠压保护灯亮,声音报警。分析检修TBY—600A型车载移动通信开关电源采用40kHz脉宽调制,主要由主控制板A1、辅助电源板A4、输入滤波及检流电路A8、功率模块组件、保护电路A2等组成。由于加电烧熔断器,所以故障主要集中在高压（310V）负载即功率变换部分以前,而功率变换部分输出即主变压器负载出现故障不可能加电烧熔断器,即使功率模块的驱动部分异常,也很少引起加电烧熔断器的现象。此部分有关电路组成如图1所示。从图中可以看出,～220V变换成310V左右的脉动直流电压,再经晶闸管VS2…     

N888U手持对讲机故障检修

一、性能简介N888U是日本研制生产的优质无线手持对讲机。该机具有体积小、重量轻、造型美观、功能强、耗流小、灵敏度高、操作简单、适用范围广泛等优点，其技术指标符合中国国家无线电管理委员会规定。1．一般指标（1）频率范围：450～469995MHZ：心）频率结构：锁相环方式；（3）频率稳定度（－10～＋60C时5X10s）。2．发射机指标（1）射频输出功率：低功率0．5W，高功率2．2W（电源电压为7．2V时）；低功率0．5W，高功率5．0W（电源电压为13．8V时）。（2）杂波发射：－60dB以下。（3）最大颗偏：±5kHZ。（4）音频失真：2％。（…     

一种通过1200伏高压集成电路（1200V HVIC）驱动的1200伏传递模塑的整流-逆变-闸流模块（CIB）

传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIP IPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200V CIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIP CIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。     

SEMITOP替代分立功率器件的良好选择

1引言 SEMITOP家族包含有SEMITOP 1,SEMITOP 2,SEMITOP3和最新的SEMITOP4。每类产品均有2个耐压等级：600V和1200V,使用的是NPT或Trench IGBT芯片。新推出的SEMITOP 4驱动电机时功率可达22kW,将最新的IGBT芯片封装在一个紧凑的包装里。它是目前的SEMITOP1、2、3模块的延续产品。     

电源

高功率密度的1/4砖模块Apollo 4系列1/4砖DC/DC转换器的功率密度为97.5W/in.3,输入电压为36～75VDC,稳压输出为1.2～5V,电流为50A。设定精度为2%,隔离电压为1500V。Cherokee Internationalhttp://www.cherokeellc.com5个输出的模块系统HP6电源系统中每个600W的模块都有5个输出,电压为0.8～12V,电流为50A,包括一个5V的独立备用输出。可热插拔的PFC单元,在所有输出端口上进行电流分配,并可以达到n+1冗余以增加功率。高度为1U,通过I2C接口进行管理和监控,并具有中断功能。MagneTek Powerhttp://www.magnetekpeg.com用于医疗设备的…     

用于无绳电话的硅MMIC功率放大器

最近，德国西门子公司和慕尼黑微电子技术协会，成功研制出完全集成的1．3W硅MMIC。该芯片是用25GHZ的fT，0．8μm三层相互连接的硅双极生产工艺完成的，该功率放大器适用于3．4V至5V的无绳电话手机，其工作频率1．9GHz，输出功率0．4W（26dBm）至1．3W（1．1dBm），功率附加效率达到33％。     

新型结构IGBT功率模块——flowPHASE 0

现在绝大多数变频器电路的设计，都是基于印制电路板（PCB）进行的。对于小功率变频器，这样的设计可以使得变频器结构更加紧凑，实现小型化设计；对于中大功率变频器，由于现有功率模块的结构特点，通用的方法是通过铜排走线，存在的问题是成本高，寄生电感大，EMI问题严重。泰科电子（Tyco）针对这些问题，推出了基于完全PCB布线的600V，1200V IGBT功率模块，功率范围覆盖了15kW到30kW。     

恩智浦GreenChiP为上网本适配器带来更高能效

IR推出采用焊前金属（SFM）的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）AUIRG7CH80K6B—M，适用于电动汽车（EV）、混合电动汽车（HEV）和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。     

英飞凌最新EconoPACKTM+D系列

全在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会上,英飞凌科技展出了最新EconoPACKTM+D家族——额定电流最高为450 A的最新一代1200 V和1700 V系列功率半导体模块。以业界享有盛誉的EconoPACKTM+平台为蓝本,英飞凌开发了新     

模拟与混合信号

采样率达3GSps的ADC；14BIT和12BIT ADC；内含复杂模拟区块的高集成度模拟电路；采用SOT23封装的功率晶体管；具有关断功能的超低噪声放大器模块；安森美推出低VCE（sat）双极晶体管；电平移动式差动放大器；采用微型电源封装的轨至轨2A运算放大器；提供1A电流和真彩PWM调光功能的LED驱动器；电磁加热用1200V NPT沟道IGBT；低导电损耗的60V MOSFET；超小型高频MEMS继电器     

2．65W无滤波器D类音频放大器

安森美半导体（ON Semiconductor）推出NCP2820高性价比、无滤波器的D类音频放大器，NCP2820能通过5V电源为一个4Q桥式连接负载（BTL）提供2．65W的连续平均功率。在相同条件下，输出功率段可以为8Q桥式连接负载提供1．4W功率，而总谐波失真加噪声（THD＋N）小于1％。     

产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.     

iW1679：PWM控制器

Dialog半导体有限公司推出业内首个可轻松、高效驱动低成本、10W功率双极品体管（BJT）的数字脉宽调制（PWM）控制器，从而降低5V／2A智能手机适配器和充电器的BOM成本。