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INFORMATION FOR AUTHORS 总被引:1,自引:0,他引:1
《半导体光子学与技术》1996,(1)
INFORMATIONFORAUTHORS¥//SEMICONDUCTORPHOTONICSANDTECHNOLOGY(SPAT)ispublishedquarterlywiththepurposeofprovidingthepublicationo... 相似文献
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DynamicCurrentSharinginParalelingPowerMOSFET①WANGBaocheng,WUWeiyang,ZHANGChunjiang(YanshanUniversity,Qinhuangdao066004,CHN)Ab... 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAs MESFET的非线性CAD模型对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAsMESFET的非线性CAD模型(Statz模型)对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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数字音频编码技术的回顾与发展 总被引:3,自引:2,他引:1
介绍了早期的OCF,PXFE,CNET和MUSICAM等编码器,分析了MPEG-4中的两个音频编码器TwinVQ和MPEG-2AAC,对小波在音频编码上的引用也作了阐述。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):32-32
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET傅炜(南京电子器件研究所,210016)1993年12月2日收到AC-Band16WInternallyMatchedPowerGaAsMESFET¥FuWei(NanjingElectronicDevice... 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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MPEGMOVIEmakerTM2 0 0的ComposerDVD创作工具是在WindowsNT平台下运行的压缩管理应用程序 ,是Optibase家族中可实现实时MPEG数字音视频压缩的出版系列 ,是专为出版级的DVD制作而设计的 ,该程序拥有强大的编辑管理功能 ,应用程序界面直观。MPEGMOVIEmakerTM2 0 0具有如下功能特点 :(1)MPEG压缩卡MPEG压缩卡可压缩MPEG - 2FULLD - 1,MPEG- 2HalfD - 1和MPEG - 1等格式的数据流 ,它支持NTSC和PAL制式、音频格式 ,具有复合、S端子… 相似文献
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介绍了X波段1.5W GaAs MMIC的设计,制作和性能测试,包括MESFET大信号模型的建立,电路CAD优化,DOE灵敏度分析及T型栅工艺研究等。微波测试结果为:在频率9.4 ̄10.2GHz下,输出功率大于32dBm,增益大于10dB。 相似文献