ITO膜的制备方法和TD—360型立式ITO透明导电膜生产线

本文介绍了用铟锡（ＩＴ）合金靶和氧化铟锡（ＩＴＯ）烧结靶制备ＩＴＯ膜的特点；采用ＩＴＯ靶时溅射工艺参数对ＩＴＯ膜性能的影响；以及我们自行设计制造的ＴＤ－３６０型立式ＩＴＯ生产线的特点。试验运行表明：国产ＩＴＯ导电玻璃生产线生产的产品完全能够达到国外同类产品水平。     

反应溅射掺锡氧化铟薄膜成份与结构的研究

本文介绍了采用直流磁控反应溅射技术，在氩氧混合气体条件下制备掺锡氧化铟薄 膜（简称 ＩＴＯ膜）的工艺。给出的 ＤＰＳ、ＡＥＳ、ＸＰＣ的分析结果表明： ＩＴＯ薄膜 的成份为 Ｉｎ＿２Ｏ＿３和 ＳｎＯ＿２组成；其 ＩＴＯ薄膜为立方结构。     

光谱法控制ITO膜沉积速率

用磁控反应溅射方法制备ＩＴＯ膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光，报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法，并且以控制ＩＴＯ膜的沉积过程。     

用幕墙玻璃镀膜生产线大面积制备ITO膜

通过对幕墙镀膜生产线的改造，用矩形平面磁控溅射靶大面积生产氧化铟锡（ＩＴＯ）膜，并对其主要工艺参数介绍了一些浅显的看法。     

制备ITO薄膜的磁控反应溅射镀膜设备的研制

提出了制备氧化铟锡薄膜（ＩＴＯ）的磁控反应溅射镀膜设备的关键部件的设计原则。给出了该设备的调试结果。     

磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨

本文主要介绍磁控反应溅射制备大面积 ＩＴＯ薄膜（掺锡氧化铟透明导电薄膜）的导电原理、成膜过程、工艺参数的选择以及不同工艺参数对产品性能的影响。实验结果表明：选择各种合理的工艺参数能够获得不同产品需要的ＩＴＯ薄膜。     

多层气敏薄膜表面吸附及界面扩散的研究

制备了ＳｎＯ３／ＺｎＯ及ＺｎＯ／ＳｎＯ３多层结构的气敏薄膜，用能谱结合氩离子刻蚀的方法及Ｘ射线衍射法，对薄膜的表面吸附。膜间的相互与组成等进行了研究，结果表明：薄膜表面存在少量的吸附多层膜中锌的扩散远比锡一个模型，对吸附现象作了初步的解释，讨论了造成锌锡扩散的原因。     

在低基片温度下制备的ITO透明导电膜的性能

发展了使用直流辉光放电等离子体辅助反应蒸发法在低温玻璃基片上制备ＩＴＯ膜的工艺，研究了主要的工艺参数，如Ｓｎ／Ｉｎ配比，氧分压，基片温度等对于膜的透光率和电阻的效应。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ＩＴＯ导电玻璃的需求也日益增，由于ＬＣＤ正向大型化和高精细化发展，因而对ＩＴＯ膜的特性提出了许多新的更为严格的要求，本文综述性介绍透明导电膜制造中最常的ＩＴＯ膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状主。     

光谱法控制溅射速率的研究

在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法ＩＴＯ膜中的应用为例，说明该在实际应用中的具体过程。     

ITO膜的化学稳定性与刻蚀特性

本文讨论了ＩＴＯ膜的稳定性和刻蚀特性。比较了多种ＩＴＯ膜的刻蚀液，得出加热至１００℃的４５％ＨＩ溶液和加热至５０℃的ＨＣＩ和ＨＮＯ３的混合溶液人的刻蚀特性较为理想。     

ITO的热辐射性质与等离子波长关系的实验研究

热镜膜具有广泛的应用背景;特别是将其沉积在柔性的黑色底衬上,就能获得不同于通常的、必须用发射率很低的金属做衬底的太阳能选择性吸收表面．采用衬底不加温的普通ＲＦ溅射技术制备单层ＩＴＯ热镜膜,并对它们的热辐射性质与等离子波长之间的关系进行了实验研究．研究表明,对于单层ＩＴＯ热镜膜,同时具有最小的发射率和最小的对太阳辐射的反射率是困难的．但是,等离子波长可以作为预测太阳能热利用领域使用的单层ＩＴＯ热镜膜热辐射性质的一个判据．     

ITO透明导电玻璃的隔热实验研究

本文介绍了氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的隔热和试验结果，给出了具体的温差数据和比例。     

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。     

在未加热基底上反应共溅ITO薄膜的光电特性

采用金属铟和锡作靶材，在Ａｒ－Ｏ２气氛中、未加热基底上反应共溅ＩＴＯ薄膜，在本文中系统地研究了各种工艺参数，如气氛压强、Ｏ２的浓度、退火时间和退火温度对ＩＴＯ薄膜的光电特性的影响。结果表明沉积在未加热基底上的ＩＴＯ薄膜面电阻可达３０Ω／□，在可见光区域透射率达８５％，Ｘ射线衍射结果表明多晶结构Ｉｎ２Ｏ３（２２２）；Ｉｎ２Ｏ３（４００）；Ｉｎ２Ｏ３（４４０）薄膜具有良好的导电性，而非晶结构的薄膜则有较弱的导电性能。     

可用于a—Si：H太阳电池的钛硅化物的研究

用直流溅射法在ＩＴＯ玻璃衬底上溅射金属Ｔｉ膜后用辉光放电法沉积ａ－Ｓｉ，研究了钛硅化物的形成，利用ＸＰＳ，ＲＢＳ分析，确定了反应生成物为ＴｉＳｉ２，且生成物十分有效地阻挡了ＩＴＯ中的Ｉｎ的扩散；用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测量了生成物的透射率发现其透过率在紫外部分较ＩＴＯ膜提高；测试了Ｔｉ／ａ－Ｓｉ界面的Ｉ－Ｖ特性，发现界面无势垒；测量了生成物的电阻率，数量级为几十μΩ．ｃｍ数量级。该钛的硅化物膜要用     

衬底偏压和退火对ITO膜结构和成分的影响

ＩＴＯ膜的结构直接决定其光电性质，因而对其结构的研究就显得极其重要。本文报 道了不同衬底偏压和不同退火温度对ＩＴＯ膜结构的影响。结果表明，一定负偏压有助 于（２２２）晶面择优生长，一定退火温度有助于（６２２）晶面择优生长。退火与否，对膜中 Ｉｎ、Ｓｎ含量影响不大。     

ITO膜发展现状及工艺技术分析

重点阐述氧化铟锡（ＩＴＯ）导电玻璃的发展状况，分析介绍了研制的自动连续镀膜生产线的各种工艺、技术、设备，并总结整套设备所达到的水平。     

TFT／PDP用真空成膜技术和设备

本文介绍了ＴＦＴ／ＰＤＰ用真空成膜技术和设备，主要介绍了ＴＦＴ用ＩＴＯ膜和ＰＤＰ用ＭｇＯ／Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ膜的成膜技术和设备。     

可用于 a-Si∶H 太阳电池的钛硅化物的研究

用直流溅射法在ＩＴＯ玻璃衬底上溅射金属Ｔｉ膜后再用辉光放电法沉积ａ－Ｓｉ，研究了钛的硅化物的形成，利用ＸＰＳ、ＲＢＳ分析，确定了反应生成物为ＴｉＳｉ２，且生成物十分有效地阻挡了ＩＴＯ中的Ｉｎ的扩散；用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测量了生成物的透过率发现其透过率在紫外部分较ＩＴＯ膜提高；测试了Ｔｉ／ａ－Ｓｉ界面的Ｉ－Ｖ特性，发现界面无势垒；测量了生成物的电阻率，数量级为几十μΩ·ｃｍ数量级。该钛的硅化物膜可用于非晶硅太阳电池的前电极。