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文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。 相似文献
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概述了铁氧体的特性,并重点论述了铁氧体抑制元件的应用场合,以及在电磁兼容设计中如何正确地选择及使用铁氧体抑制元件。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料。研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性。结果表明:CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w(SiO2)为0.005%,w(CaCO3)为0.04%时,有最大电阻率10246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和NiZn铁氧体材料的高频高阻抗特性;Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗。 相似文献
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假设薄膜伯氧体结环行器中是TEM波传输,我国采用一种新的等效场理论,得出其中的S参量和损耗。当Y结环行器中的铁氧体片厚度小于200μm时,其导体损耗大于介电损耗和磁损耗。 相似文献
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基于厚度为10 μm的钡铁氧体薄膜设计,制备了共面波导结构的毫米波薄膜环行器.这种薄膜环行器不需要外加磁体,在34 GHz和37.6 GHz显示出环行特性,其非互易效应大于15 dB.结果表明,采用共面波导结构可以实现薄膜环行器.这种薄膜环行器具有和单片微波集成电路集成的潜在应用. 相似文献
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展示了一种新型的基于硅IC工艺的叠层型螺旋薄膜变压器,通过分析铁氧体的特性和磁谱,设计了薄膜变压器结构和制造工艺。采用光刻技术制备形状相同且完全叠合的初级与次级线圈,提高线圈耦合效率。空心变压器两层线圈之间采用SiO2作为绝缘层;磁芯变压器的两层线圈之间采用射频磁控溅射NiZn铁氧体薄膜作为绝缘层。在10MHz~20GHz的频率范围内分别对空心和磁芯叠层型螺旋薄膜变压器进行了测试,测试结果表明:磁芯薄膜变压器的带宽和传输效率都大于空心薄膜变压器;铁氧体薄膜能大幅度提高薄膜变压器的传输效率;匝数比为10∶10的磁芯薄膜变压器传输效率在频率9.85GHz时达到78.0%的最大传输效率。 相似文献
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采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。 相似文献
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采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能.结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长.在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311). 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了钴铁氧体薄膜。在不同温度下对样品进行了退火处理,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等分析了样品的物相组成、晶粒大小、表面形貌、样品厚度及不同温度下的磁性能。结果表明:制备出的CoFe2O4薄膜为尖晶石结构,表面比较致密,平均晶粒尺寸20~50 nm。在173~400 K范围内,随着温度的升高,钴铁氧体薄膜的矫顽磁场逐步减小,而磁矩是先增加后减少,并对产生的原因进行了分析。 相似文献
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退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si(100)基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜结构和磁性能的影响.XRD研究表明,薄膜具有立方尖晶石结构,但当退火温度为900 ℃时,有SiO2相出现,发生了明显的Si扩散.原子力显微镜(AFM)究表明,退火温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐变大,粗糙度相应增加.随着退火温度的升高,薄膜的饱和磁化强度(Ms)呈先增加后降低的趋势,而矫顽力(Hc)与Ms变化相反.当退火温度为700 ℃时,薄膜具有最优磁性能,Ms=360×103 A/m,Hc=6 764 A/m. 相似文献
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溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 总被引:6,自引:1,他引:5
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于pZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 相似文献
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根据xDSL调制解调变压器用高μi铁氧体材料的宽频、低THD等特性要求,分别讨论了原材料、配方和添加物、粉料和成型压力以及烧结工艺等关键技术对该类材料制备的影响. 相似文献
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对钛置换锂铁氧体进行了理论计算,在此基础上通过控制 Fe 含量,添加 Ca、 V 离子及高压氧气退火等工艺,制备出了性能优良的微波铁氧体材料。 相似文献
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介绍球磨机、砂磨机的原理,并详细研究了球磨机、砂磨机制备氧体粉料过程,通过实验对比表明两种粉碎设备在制粉过程中的优缺点. 相似文献
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