钨和碳化钨纳米线的研究进展

新型纳米材料———钨和碳化钨纳米线,以其特殊的一维纳米结构、优异的物理和化学性能而具有重要的学术研究价值和实用意义。该文首先综述了钨和碳化钨纳米线的最新研究进展,介绍了其几种典型的制备方法,即化学气相沉积法、物理气相沉积法、诱导气相沉积法、化学蚀刻法、自催化法、介孔层状结构卷曲法,进而分析了其生长机理,探讨了其存在的问题,并展望了未来的研究趋势。指出:现有各种制备钨和碳化钨纳米线的方法仅限于基础研究和小批量生产应用,而寻找某种简便、经济、能规模生产的新型制备方法,包括现已初获成功的锥形钨及碳化钨纳米线制备法,仍将是今后很长一段时间内的研究重点。     

多孔阳极氧化铝模板法制备金属钌纳米线阵列

为了制备金属钌纳米线阵列结构,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积的方法组装贵金属Ru纳米线阵列,并利用SEM,TEM对其微观形貌和结构进行了表征.结果表明:通过此法可以制得排列规整的Ru纳米线阵列,纳米线直径约为250 m,与AAO模板实测孔径一致;并通过控制电沉积的时间,制备出不同长度的Ru纳米线,分析了电沉积时间对纳米线长度的影响.     

金属镍催化钨纳米线的制备及其生长机理

以WO3为原料,金属镍为催化剂,在850℃下于石英基底上成功地合成出大量钨纳米线.采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和能谱分析仪(EDS)对产物的形貌、物相、结构及元素组成等进行测定与分析,并探讨纳米线的生长机理.研究表明:合成的钨纳米线直径介于40～120 nm之间,长度为1～15 tm,沿〈110〉方向生长,具有单晶体心立方(BCC)结构;在其生长过程中,金属镍起到顶端催化作用.     

硅纳米线制备方法研究进展

硅纳米线是重要的半导体一维纳米材料,伴随着硅作为下一代锂离子电池理想负极以及作为半导体材料在光电化学领域的研究热潮,实现硅纳米线高效、低成本、可控制备成为研究的重点。本文介绍了现阶段硅纳米线制备的主流技术及相关研究进展。     

一维纳米材料的研究进展

对一维纳米结构的研究进展进行了综述。阐述了一维纳米结构如纳米管、纳米棒、纳米线和纳米带的制备方法，其中包括气相化学合成法、热分解前驱体法、模板法、电弧等离子体等方法，总结了一维纳米材料的表征和各种生长机理以及在物理、化学、机械、材料等领域的应用。简单介绍了采用热分解法制备二硫化钨纳米纤维。     

腐蚀条件对氧化铝纳米线制备的影响

采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝(AAO)模板,研究磷酸溶液中氧化铝纳米线的化学刻蚀合成.分析磷酸溶液的浓度和反应温度对氧化铝陶瓷纳米线生长的影响,探讨化学腐蚀法制备氧化铝陶瓷纳米线的反应温度区间和溶液的浓度范围.实验结果表明,腐蚀溶液的反应温度愈高或腐蚀溶液浓度愈高,纳米线出现时间愈早,生长速率愈快,最终纳米线长度愈长.氧化铝纳米线的制备与腐蚀溶液的浓度和反应温度密切相关.在浓度为4%-10%的磷酸溶液和35-60℃的温度范围内都形成氧化铝陶瓷纳米线.     

原料对钨粉形貌、性能及压坯强度的影响

采用分步还原工艺,以黄钨、蓝钨、紫钨为原料分别制备了钨粉,系统研究了原料类型对钨粉性能及压坯强度的影响。结果表明：相同工艺条件下,紫钨制备的钨粉粒度最细,蓝钨制备的钨粉粒度最粗,黄钨制备的钨粉粒度介于两者之间,分别为2.92、3.60、3.06μm;紫钨制备的钨粉呈多面体等轴状,蓝钨制备的钨粉形貌复杂多样,二者粒度分布宽(径距均为2.19),而黄钨制备的钨粉多呈不规则形状且其粒度分布窄(径距为1.65);蓝钨制备的钨粉压坯强度最高(5.4 MPa),紫钨制备的钨粉压坯强度居中(4.8 MPa),黄钨制备的钨粉压坯强度最低(4.4 MPa)。复杂的钨粉形貌及宽的粒度分布有利于钨粉压坯强度的提高。     

溶胶-凝胶法制备金银合金纳米线阵列

金银纳米材料因其纳米尺度而在光电等方面有许多优良的性质和用途, 若将两者混合可大大改善其性能. 为此, 利用阳极氧化法制备出氧化铝模板, 并用自制的模板结合溶胶凝胶法成功地制备了金银合金纳米线. 扫描电镜照片显示氧化铝模板具有比较直的孔道和高的孔洞率, 金银合金纳米线由于模板的限制作用而呈现出高度的有序性. 透射电镜照片显示单根纳米线长而光滑, 选区电子衍射显示纳米线具有多晶结构, 能谱分析表明纳米线是由金和银两种元素组成. 文中对合金纳米线的形成原因和影响因素都做了简单的分析.     

钨坩埚的制备技术

钨坩埚是一类重要的钨深加工产品。文章针对钨坩埚的制备技术进行了整理研究,比较分析了等静压-烧结法、锻造加工法、化学气相沉积法、旋压成形法、等离子喷涂成形法、铆焊成形法等6种钨坩埚制备技术,详细阐述了各制备技术的特点,发现不同制备方法生产的钨坩埚产品性能差异较大。通过国内外钨坩埚参数比较,得出我国等静压-烧结法制备的钨坩埚技术已经达到国际领先水平;同时还对钨坩埚发展前景进行了展望,在保证质量和产能的前提下,在相关产业的带动下,中国有望成为全球钨坩埚生产和研究中心。     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法:旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

喷涂钼丝制备中的质量问题及对策

主要对喷涂钼丝生产制造中易发生的若干质量问题进行了分析，并结合生产实践提出了应采取的对策，以期满足用户需要。     

TiC/Fe复合材料的研究进展

介绍了陶瓷基TiC／Fe复合材料的研究进展，在概述TiC／Fe复合材料的几种制备方法的基础上，对材料的性能改进途径，材料的实际应用等进行了展望。     

焦绿石型氧化钨的研究现状和应用前景

综述了焦绿石型氧化钨的结构特点、制备方法及应用前景,重点介绍了水热合成法的研究进展及其反应机理,提出了该领域中的几个重要问题,并展望了未来的发展趋势。     

金属基复合材料的原位反应合成技术

综述几种主要的原位反应合成技术，包括ＶＬＳ法、ＸＤ法、ＳＨＳ法、反应喷雾成形、自氧化／氮化法，以及这些技术在金属基复合材料制备中的应用，比较了各种技术的优缺点，并指出了今后的发展趋势。     

TiN硬质薄膜制备技术的研究进展

TiN硬质薄膜因其优良性能而得到广泛应用。介绍了几种制备TiN硬质薄膜的新方法,分析了制备机理及其工艺特点,并展望了硬质薄膜制备技术的发展方向。     

纳米金属复合材料制备的研究进展

纳米复合材料的制备方法主要包括机械合金化法、熔体速凝法、溶胶凝胶法、蒸发沉积法、等离子喷涂法、真空原位加压固结法、激光复合加热蒸发法及溅射法等.文章综述了纳米金属复合材料的制备技术研究情况.对纳米复合金属材料制备方法的发展趋势进行了展望,同时指出了纳米复合金属材料制备方法研究中存在的问题.     

纳米CeO2粉体制备方法的研究进展

综述了近年来国内外纳米CeO2粉体的几种主要制备方法及它们的研究进展,其中重点介绍了液相法及其特点,对纳米CeO2的制备技术和发展趋势进行了展望,并指出了今后应重点研究和解决的主要问题.     

MoSi_2材料的制备及其应用

MoSi2是一种重要的用于制造高温发热元件的材料和航空航天用高温结构材料。比较了MoSi2的几种制备方法:机械合金化、自蔓延高温合成、热等静压法、固态置换反应和原位反应自生复合技术等。结果表明:为实现MoSi2材料的产业化,应采用原位反应热压制备工艺。评述了MoSi2及其复合材料的工业应用情况,提出了其未来研究发展的方向。     

钼硅金属间化合物复合材料的制备及其应用

二硅化钼（MoSi2)既是一种极其重要的边缘化合物，也是一种性能优异的高温材料。本文对MoSi2及其复合材料的应用及发展现状作了简要概括，并简单介绍了几种制备MoSi2及其复合材料的工艺技术。     

Prediction of outcome and early vs. late improvement in OCD patients treated with cognitive behaviour therapy and pharmacotherapy

Several factors must be taken into account when deciding which specimen preparation technique(s) to use. These factors include the amount of material available, ease of preparing this material due to its properties and familiarity, location and size of the region of interest, amount of information sought, facilities accessible, and time available by the researcher to devote to the preparation of the specimen. The more popular specimen preparations for thin films, namely, electropolishing, cleaving, crushing, mechanical thinning followed by ion milling, and ultramicrotomy are discussed and the more unusual techniques such as extraction/replication, photochemical etching, lithography and reactive ion etching (RIE), chemically assisted ion beam etching (CAIBE), and precision polishing-based techniques are described. Their advantages and disadvantages in the context of the above factors are discussed. Suggestions for increasing one's success rate in preparing specimens are given. The role of transmission electron microscopy (TEM) analysis is considered since it rarely stands in isolation from other physical analytical techniques, nor is it often used as a quick diagnostic tool. Conservation of material by the minimization of the amount of material used (or destroyed) by TEM specimen preparation, and conservation of one's time by performing TEM analysis only on "worthy" samples should be given maximum consideration.