双空穴注入层对有机电致蓝光器件性能的改善

CuI/CuPc被采用作为有机电致蓝光CBP:BCzVBi器件 的双空穴注入层。采用双空穴注入层后使得CBP:BCzVBi蓝光器件的启亮电压降低至 3.4 V,较采用CuPc单空穴注入层的CBP:BCzVBi蓝光器件低0.4 V。在驱动电流20 mA/cm²的情况下,与单空穴注入层器件 相比,采用该双空穴注入层结构使得器件电流效率提升约19%,亮度 增加约17%,驱动电压降低0.9 V。采用Fowler -Nordheim (F-N)隧穿注入理论对器件空穴注入电流的影响因素进行了分析,发现双空穴 注入层形成的能级台阶可以有效地改善发光器件的空穴注入效率,进而起到改善器件发光电 流效率和降低驱动电压的目的。     

一种新型双空穴注入层微腔OLED

一种新型有机电致发光二极管的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的Al膜为出光面,通过在空穴注入层(HAT-CN)和空穴传输层(NPB)中间插入三氧化钼(MoO3)层,制备了底发射微腔OLEDs。所制备的器件结构为Glass/Al(15nm)/HAT-CN(10nm)/MoO3(x nm)/NPB(30nm)/Alq3(70nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。通过电流密度-电压-亮度性能说明该结构有利于降低驱动电压和增强器件亮度。器件的最高亮度可以达到14 390cd/m2,起亮电压为3.4V左右。设计的空穴型器件证明了该器件结构具有很好的空穴注入和传输特性。研究了光谱窄化和峰值偏移的微腔效应。     

不同空穴注入层对有机电致发光器件的影响

研究了不同空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响,结果表明,由于m-MTDATA具有良好的成膜性,以及空穴注入能力,可以改善空穴向发光层的注入,有助于提高器件的效率。     

VOx作空穴注入层的低启亮电压有机发光二极管

W增加到2.63 lm/W.此外,对VOx厚度分别为10,20和30 nm的三组器件进行了对比,结果显示器件性能基本一致.     

微腔有机发光二极管

设计了由分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）和金属反射镜面形成的微腔结构。利用８－羟基喹啉铝（Ａ１ｑ３）作为电子传输层兼作发光层,ＴＰＤ作为空穴传导层,了有机发光二极管（ＯＬＥＤ）和微腔有机发光二极管（ＭＯＬＥＤ）。发现ＭＯＬＥＤ的光谱工比ＯＬＥＤ的窄得多,而光密度则得到了增强,对腔长进行调节,ＭＯＬＥＤ光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。     

新型双空穴注入型高效有机电致发光二极管

采用一种新型有机电致发光二极管（OLED）的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的A1膜为出光面,通过在空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）中间插入MoOa层,制备了底发射OLED。制备的器件结构为Glass／Al（15nm）／HAT—CN（IOnm）／M003（30nm）／NPB（30nm）／Alq3（60nm）／B...     

PBD空穴缓冲层对有机电致发光器件的改善作用

实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件。通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0．2nm，缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响。当缓冲层PBD厚度为0．2nm，相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高。当电压为16V时，PBD修饰的器件的亮度为1984cd／A，而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd／A，器件的亮度得到了提高。在电流密度为120mA／cm。的情况下，PBD修饰的器件的效率为3cd／A，要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2．6cd／A)高。最主要的原因是由于PBD是电子传输层，因此它对于空穴的注入起阻挡作用。所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入，提高了电子和空穴形成激子的比例，从而提高了器件的效率。     

微腔结构顶发射有机白光器件

结合微腔效应,通过调节不同发光层的厚度制作了顶发射有机白光器件.器件结构为Si/Ag/Ag2O/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCJTB:Alq3/Alq3/LiF/Al/Ag,其中DPVBi,DCJTB与Alq3的掺杂层分别作为蓝光和红光发光层,在选定490 nm的谐振波长时,通过调节DPVBi和掺杂层的厚度来实现对器件发光色度的调节.当DPVBi厚度为1 nm,电压为9 V时,器件的色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点.此项工作为利用微腔效应制作高效率高亮度顶发射白光器件奠定了基础.     

紫外光改性银阳极对绿光OLED器件性能的影响

为提升OLED器件(结构为Ag/NPB/Alq3/LiF/Al)的性能,采用紫外光(UV)对银(Ag)阳极进行改性,探究阳极改性对器件性能的影响.研究结果表明:UV改性Ag阳极的时长为50 s时,器件性能最佳,启亮电压从20 V降低到6V,最大亮度从101.6 cd/m2提高到5 609.2 cd/m2,电流效率得到很大提升,且改性前后其发光峰的位置没有改变.UV改性使Ag阳极表面氧化生成氧化物,该氧化物薄层可作为空穴注入层,能够有效提高界面功函数,大大降低空穴注入势垒,提高了载流子注入能力,使绿光OLED器件的发光性能得到改善.这种利用UV改性Ag阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,对提高该类柔性OLED器件的性能具有一定应用价值.     

倒置有机发光二极管ITO阴极电子注入研究进展

在有机发光二极管(OLEDs) 30多年的发展过程中,器件结构设计和功能材料开发是实现器件高效率发光的关键.倒置结构器件被认为是实现OLEDs器件高效率、长寿命的一种可行方案.但倒置器件以ITO为阴极造成了器件电子注入势垒过大,限制了倒置器件的进一步发展.本文以实现倒置器件电子注入原理的不同,分别介绍了n型掺杂、偶极层...     

具有缓变结的蓝色有机电致发光器件

针对通常的突变异质结(HJ)结构的蓝色有机发光器件(OLED)稳定性差这一难题,制备了一种具有缓变结(GJ)的蓝色OLED,在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间构成GJ.与常规的HJ OLED相比,具有GJ器件的稳定性明显提高.在初始亮度为100 cd/m2时半寿命达到6998 h,是一般HJ器件的6倍.这主要是因为削弱了突变HJ产生的局部高电场,减少了产生的焦耳热,从而提高了器件的稳定性.但是,GJ器件效率相比HJ没有提高.因为GJ增大了空穴注入,空穴是多数载流子,这样不利于载流子的平衡.为了补偿效率损失,在TBADN/Alq界面上插入Gaq薄膜.由于Gaq的LUMO能级在Alq和TBADN的LUMO能级间,形成了从Alq经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率.这种GJ Gaq器件的效率比一般GJ器件提高20%,寿命是HJ器件的7倍.     

Highly Efficient Hole Injection Using Polymeric Anode Materials for Small‐Molecule Organic Light‐Emitting Diodes

A novel, highly efficient hole injection material based on a conducting polymer polythienothiophene (PTT) doped with poly(perfluoroethylene‐perfluoroethersulfonic acid) (PFFSA) in organic light‐emitting diodes (OLEDs) is demonstrated. Both current–voltage and dark‐injection‐current transient data of hole‐only devices demonstrate high hole‐injection efficiency employing PTT:PFFSA polymers with different organic charge‐transporting materials used in fluorescent and phosphorescent organic light‐emitting diodes. It is further demonstrated that PTT:PFFSA polymer formulations applied as the hole injection layer (HIL) in OLEDs reduce operating voltages and increase brightness significantly. Hole injection from PTT:PFFSA is found to be much more efficient than from typical small molecule HILs such as copper phthalocyanine (CuPc) or polymer HILs such as polyethylene dioxythiophene: polystyrene sulfonate (PEDOT‐PSS). OLED devices employing PTT:PFFSA polymer also demonstrate significantly longer lifetime and more stable operating voltages compared to devices using CuPc.     

浅析有机电致发光器件电输运特性的数值模拟

有机电致发光器件因为其独特的优点,得到了广泛的重视,本文用数值模拟的方法研究有机电致发光器件的载流子输运性质,分别研究单层结构的有机电致发光器件,肖特基接触下的电流注入的特性,在以上基础上研究多层复杂结构的有机电致发光器件的载流子的注入传输等性质,并研究其发光特性。最后在加入热力学方程,研究其热学性质。     

利用有机覆盖层提高OLED出光效率

将Alq作为覆盖层真空蒸镀到玻璃基板后制作底发射有机电致发光器件(OLED),所制备的器件结构为:Glass/Alq(xnm)/Al(15nm)/MoO3(30nm)/NPB(60nm)/Alq(65nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。通过研究器件光辐射特性曲线,可以看出覆盖层厚度的变化引起光的干涉效应的变化是导致电致发光变化的原因,广角干涉和多光束干涉之间的相互作用可以通过覆盖层的厚度来调节,并且半透明的Al膜做阳极,将覆盖层蒸镀到阳极之外玻璃基板上,半透明的铝膜和覆盖层与阴极组成微腔器件,通过改变覆盖层的厚度调节微腔的腔长,使OLED电致发光光谱的中心波长发生红移。     

ZnO Nanorod Arrays as Electron Injection Layers for Efficient Organic Light Emitting Diodes

Nanostructured oxide arrays have received significant attention as charge injection and collection electrodes in numerous optoelectronic devices. Zinc oxide (ZnO) nanorods have received particular interest owing to the ease of fabrication using scalable, solution processes with a high degree of control of rod dimension and density. Here, vertical ZnO nanorods as electron injection layers in organic light emitting diodes are implemented for display and lighting purposes. Implementing nanorods into devices with an emissive polymer, poly(9,9‐dioctyluorene‐alt‐benzothiadiazole) (F8BT) and poly(9,9‐di‐n‐octylfluorene‐alt‐N‐(4‐butylphenyl)dipheny‐lamine) (TFB) as an electron blocking layer, brightness and efficiencies up to 8602 cd m^?2 and 1.66 cd A^?1 are achieved. Simple solution processing methodologies combined with postdeposition thermal processing are highlighted to achieve complete wetting of the nanorod arrays with the emissive polymer. The introduction of TFB to minimize charge leakage and nonradiative exciton decay results in dramatic increases to device yields and provides an insight into the operating mechanism of these devices. It is demonstrated that the detected emission originates from within the polymer layers with no evidence of ZnO band edge or defect emission. The work represents a significant development for the ongoing implementation of ZnO nanorod arrays into efficient light emitting devices.     

有机发光器件中缺陷态行为表现

对有机发光二极管（OLED）的I-V特性曲线,用有内建电场Ei的修正F-N模型,或陷阱电荷限制电流（TCL）模型进行了模拟分析,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F-N模型拟合,Ei不是常数而是随电场变化的,对满足TCL模型的OLED器件,其I-V特性呈现类似于无机半导本器件中的“迟滞回线”状,而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OLED中存在着缺陷态,用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。     

有机小分子掺杂的聚合物共混发光二极管

报道了用可溶性发光材料聚（２,５－二丁氧基苯）做发光材料,分别与母体聚合物聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）和聚甲基丙烯酸甲脂（ＰＭＭＡ）共混,并掺杂电子传输材料叔丁基联苯基苯基口恶二唑和空穴传输材料二胺衍生物作发光层,用铟锡氧化物和铝分别作正负电极,制作了两种蓝紫光有机／聚合物单层发光器件。通过比较两种器件的器件特性,发现以ＰＭＭＡ做母体的器件比用ＰＶＫ做母体的器件有更好的稳定性,器件开启电压为１０Ｖ左右,发光峰值波长均位于４２４ｎｍ,电致发光效率可达２．９％,比用ＰＶＫ做母体的器件效率高一倍多。     

2,5,8,11-Tetra-Tertbutylperylene作为辅助掺杂剂的红色有机电致发光二极管(英文)

制备了采用9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(ADN)作为主体,4-(dicya-nomethylene)-2-t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色发光中心,2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)作为辅助掺杂剂的红光有机电致发光器件。4,4′,4″-tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine(2TNATA)用作空穴注入材料,4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl(NPB),tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)用于空穴和电子传输。实验结果表明,掺有DCJTB的ADN也可实现红色发光,掺入TBPe作为辅助掺杂,可以提高该红光器件的效率,但几乎不改变器件色坐标。此外,2%TBPe(质量分数)作为辅助掺杂的器件表现出最佳的流明效率和最大升温速率。     

有机电致发光显示技术的发展与展望

有机电致发光显示技术是近年内出现的新型显示技术,本文在对有机发光显示发展的历史、工作机理、结构类型简要介绍的基础上,着重论述它的材料与结构方面的发展及现状,并展望其器件的发展方向及市场占有.