QFN封装芯片切割分离技术及工艺应用

总结当前QFN封装芯片切割分离方式的优缺点,从QFN封装器件材料特性出发,提出一种砂轮切割技术,并通过QFN芯片切割实验,探索能有效抑制铜材料特有毛刺发生的工艺条件。     

电子封装技术发展现状及趋势

现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代,而电子产品和电子系统的微小型化依赖先进电子封装技术的进步,封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一。主要介绍了近年来国内外出现的有市场价值的封装技术,详细描述了一些典型封装的基本结构和组装工艺,并指出了其发展现状及趋势。各种封装方法近年来层出不穷,实现了更高层次的封装集成,因而封装具有更高的密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟、成本不断降低等优势,其技术研究和生产工艺不可忽视,在今后的一段时间内将拥有巨大的市场潜力与发展空间,推动半导体行业进入后摩尔时代。     

电子封装无铅化趋势及瓶颈

欧盟通过法令限制电子用品中铅等有害物质的使用．含铅电子产品不久将退出市场．电子封装的无铅化已成必然趋势。焊料的无铅化是无铅封装的关键．目前无铅焊料的研究集中在Sn基焊料和导电胶粘剂两个方向文中介绍了三种典型无铅焊料体系的不足之处以及银导电胶研究中的三个难题．另外关于无铅焊料还没有一个统一的标准     

汽车用功率MOSFET及其封装

现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上,是最具发展前景的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上,具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进,并给出这一领域的现状及发展趋势。     

热像仪对QFN封装表面发射率环境透射率的标定

使用红外热像仪对未切割分离的QFN封装在40~200℃进行了塑封料面、铜面和缝表面发射率的标定,并分别利用上述三面对实验环境的空气透射率进行了标定。结果表明:直接计算法和直接调节法可以很好地应用于塑封料发射率标定,直接计算法可以应用在缝处、铜面发射率标定。塑封料发射率标定结果在0.97左右;缝处发射率标定值随着温度升高由0.17~0.35呈线性递增趋势变化;铜面发射率标定值随温度升高出现先稳定后增大趋势。塑封料面、铜及缝处对空气透射率标定值在100%左右,上下波动不超过2%。该实验结果可为红外热像仪测定QFN的使用温度及切割分离时的温度提供相应参数。     

汽车电子发展趋势及封装材料研究

在未来的汽车设计中汽车电子技术的发展将会起到越来越重要的作用,而材料技术在保证电子元器件的可靠性方面一直扮演重要角色。本文探讨了汽车电子的发展趋势和封装材料的最新研究,并且详细阐述了几种封装材料技术。     

QFN封装元件组装及质量控制工艺

QFN封装由于具有良好的电和热性能、体积小、质量轻,在电子产品中被越来越广泛的推广和应用,针对QFN封装元件PCB焊盘设计、焊膏印刷网板开孔设计、贴装工艺、焊接工艺及返修工艺进行了阐述。     

电子封装技术的最新进展

现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.     

DRAM封装及模块技术趋势

封装形式对内存芯片的速度、容量、电气性能、散热效能、抗干扰、品质等产生明显影响本文评价了DRAM的产品类型、市场状况、封装趋势、内存模块动态,并展望了其发展前景     

面向汽车应用的功率半导体器件与封装

汽车电子技术不断发展,越来越多的新器件、新封装应用在汽车中,这对汽车用功率半导体器件与封装提出很大挑战。文章介绍了不同种类功率半导体器件的特点,具体分析了当前主要的汽车用功率器件的分类、结构、封装与可靠性,并给出这一领域的发展现状。期望通过本综述能为发展国内汽车用功率半导体器件提供更广阔的视野。     

电子制造与封装

介绍了电子制造、半导体制造、电子封装等的基本概念。广义的电子制造是指电子产品从市场分析、经营决策、工程设计、加工装配、质量控制、销售运输直至售后服务等活动的全过程,而狭义的电子制造则指的是电子产品从原料(如硅片)开始到产品系统的物理实现过程,尤指大规模的工业化运作。电子制造包括半导体制造和电子封装与组装。     

便携式电子产品电路的封装趋势

本文主要描述了便携式电子产品的封装趋势。趋势就是采用芯片级产品电路的MCM封装, 包括SIP和3D封装。这些芯片级产品可以以FC方式或COB方式安装在封装体中。     

电子封装面临无铅化的挑战

随着环境污染影响人类健康的问题已成为全球关注的焦点,电子封装业面临着向“绿色”无铅化转变的挑战,采用无铅封装材料是电子封装业中焊接材料和工艺发展的大势所趋。本文主要介绍了电子封装无铅焊料以及其他辅助材料的研究现况,并对无铅BGA封装存在的可靠性问题进行了讨论,进而指出开发无铅材料及工艺要注意的问题和方向。     

微电子封装业和微电子封装设备

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。     

绿色电子制造及绿色电子封装材料

阐述了绿色电子制造(包括电子封装)概念起源、定义以及基本内涵和范畴,并从电子封装用互连材料、被连接材料和封装后清洗过程这三个方面全面阐述了绿色电子封装的主要内容,重点评述了目前绿色电子封装材料(包括无铅钎料、钎剂、焊膏和导电胶等)的研究现状和面临的问题.最后,展望了绿色电子制造及绿色电子封装材料的未来发展趋势.     

微电子封装与设备

本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

MEMS封装技术的发展及应用

封装技术在微电子机械系统(MEMS)器件中的地位和作用越来越重要。本文归纳与总结了MEMS封装的特点和发展趋势,重点对MEMS封装技术的应用进行了分析,最后给出一些有益的想法和看法。     

逆变器创新设计解决方案——采用免焊接的压接式管脚、双联封装结构和输出电流电阻取样的方式

本文介绍了逆变器创新设计解决方案。新型的免焊接式自动压接技术(PressFIT)不仅缩短了模块装配时间,同时还提高了装配的强度和连接的可靠性。