用激光溅射的方法在离子阱中产生和囚禁碳原子团簇离子

利用激光溅射的方法，已经在离子阱中产生并囚禁了Ｃ＋ｎ（ｎ＝１～１３）原子团簇离子，并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达２０ｓ。     

离子阱中碳原子簇离子的碰撞反应

用激光溅射法产生并在射频离子阱中囚禁了碳原子簇离子，进而利用离子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，研究了经过选择存储的碳原子簇离子在离子阱中的碰撞解离和碰撞缔合。根据碰撞解离的结果以及碰撞前后的焓变，分析了团簇离子发生碰撞解离的条件和吸热范围，以及团簇离子的囚禁工作点与碰撞活化的关系。在此基础上，进一步研究了团簇离子碰撞解离后的各碎片之间发生缔合反应的过程，探讨了计算有效碰撞截面的方法。     

射频阱中基态Sc3+与Ti3+多电荷离子的产生及存储特性

结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在本底气压为 5 6× 10 - 7Pa下 ,测得Sc3 +与Ti3 +离子的衰减速率分别为 1 98s- 1 与 0 5 8s- 1 。     

分布式离子阱量子计算的发展和应用

分布式离子阱量子计算是一种将囚禁离子处理器作为计算节点,通过离子-光子纠缠连接各计算节点而建立的量子计算模型。在金融、化学、密码学等领域需要巨大的计算量,分布式离子阱量子计算有望突破这些领域现有方法的局限,从而获得广泛应用。对分布式离子阱量子计算的原理、现状进行分析和研究,并对未来可能的发展方向与应用场景进行展望。     

囚禁汞（199Hg+）离子Zeeman谱及磁场效应

囚禁汞离子的光微波双共振实验是开展汞离子微波频标的实验基础。二级Zeeman效应是影响频率稳定度和磁场效应的重要因素之一。利用光学微波双共振方法测量了囚禁199Hg+离子基态Zeeman分裂。通过减小微波扫描的频率范围,得到钟跃迁频率和谱线线宽。采用磁屏蔽材料（坡莫合金）对离子阱囚禁区域的磁场进行屏蔽。使得囚禁汞离子的钟跃迁谱线的线宽减小到1.5Hz。相对于无磁场屏蔽时,钟跃迁频率减小13.5Hz,并利用二级Zeeman效应估算出磁屏蔽后离子囚禁区域磁场大小为0.1高斯。     

Paul阱中射频源倍频作用下囚禁离子运动特性

基于以前的研究结果，采用函数级数展开法，研究了Paul阱中在非理想射频囚禁场作用下、考虑二次谐波φ=U-V1cosΩt-Vscos2Ωt时囚禁离子运动特性，得到了单个囚禁离子运动Mathieu方程的解析解和z方向离子运动的特征频率（宏运动，微运动）随倍频参数的变化规律。     

线型离子阱不同缓冲气体对汞离子的冷却效果研究

缓冲气体冷却是将离子阱中的离子云冷却的最有效和实用的办法,但缓冲气体的种类和数量是汞离子微波频标实验的关键技术。通过在马修方程中引入阻力项的方法,研究了线型离子阱中氦气、氖气、氩气对囚禁的汞离子的冷却效果,得到在氩气中汞离子运动的衰减时间是最短的。还研究了为使钟跃迁（40.5 GHz）的频率移动最小,所需氦气的压强为10-5 Torr,氖气的压强为2.4×10-5 Torr。考虑到缓冲气体对汞离子的冷却效率和对气体压强的敏感性,氖气要比氦气、氩气更适合作缓冲气体。     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

实现三比特量子控制相位门的离子阱方案

提出了一个利用离子阱系统实现三比特量子控制相位门的方案。在这个方案里,只需对囚禁离子辅以单比特旋转操作并与激光发生共振相互作用便可实现三比特控制相位门。相比其他文献中控制相位门的实现方案,我们方案的优势在于所用的步骤更为简便易行。另外,此方案不需要任何的测量。     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

Laser experiments with single atoms as a test of basic physics

Two experiments with single atoms are reviewed. In the first experiment, the interaction of a single Rydberg atom with a single mode of an electromagnetic field was investigated. The quantum collapse and revivals of the atomic inversion predicted by the Jaynes-Cummings model were demonstrated for the first time. In the second experiment, a single atomic ion stored in a radio-frequency trap was probed by resonance fluorescence. In the fluorescent light, antibunching and sub-Poissonian photon statistics were detected. Furthermore, `crystallization' and `evaporation' of few ions in a trap were observed as the stored ions were cooled by the laser light and heated by the radio-frequency field of the trap     

宝石晶体中氢氧根离子的红外振动吸收

通过比较原生态宝石和钛宝石晶体中的氢氧根离子的红外振动吸收光谱，明确证明钛宝石晶体中的只有3309cm^-1带与晶体中的钛离子有关，3232cm^-1和3187cm^-1等带跟钛离子并无关系，引起3309cm^-1带的氢氧根离子的近邻必定有四价钛离子，在白宝石和红宝石晶体中，引起3278cm^-1带的氧氧根离子的近邻离子有铬离子出现，提出3278cm^-1带是邻近于二价和四价铬离子对氢氧根离子的振动吸收带。     

掺杂和碳包覆对锂离子电池负极材料Li_4Ti_5O_(12)性能的影响

采用固相法首次合成了碳包覆的掺杂不同金属离子的锂离子电池负极材料Li3.9M0.1Ti5O12/C(M=Mn、Cu、Mg),对材料进行了循环伏安测试及恒电流充放电测试。结果表明:金属掺杂未改变材料的晶体尖晶石结构,由于金属离子对Li4Ti5O12的晶胞内部的掺杂和C对其外部的包覆,使复合材料的锂离子扩散速率、大电流循环稳定性和可逆容量都明显提高。在1C充放电循环时,Li3.9Mn0.1Ti5O12/C、Li3.9Cu0.1Ti5O12/C、Li3.9Mg0.1Ti5O12/C首次放电容量分别达到156.6,162.4和169.8 mAh/g;50次循环后,容量分别保持在155.4,159.6和169.7 mAh/g,展示了优良的电化学特性。     

基于场发射三极管结构的离子轰击分析

离子轰击影响场致发射器件的稳定性和工作寿命。本文以碳纳米管场发射三极管结构为例模拟了气体—电子碰撞电离产生的正离子回轰阴极的全过程，对模型中的平面阴极受损的位置和程度进行了的分析；为了减小离子轰击的影响，在三极管中引入了第二栅极利用其离子陷阱效应，并模拟了使用第二栅极后正离子回轰阴极的全过程和阴极受损情况。模拟结果证明，加入离子陷阱结构后可以明显改善场致发射三极管的离子轰击问题。     

在离子阱中实现量子SWAP门的方案

提出了一个利用处在线性阱中的两个全同的三能级离子与两个不同频率的激光脉冲共振相互作用来实现两比特量子SWAP门的方案,该方案是根据Haffner H.和 Riebe M等人的实验方法与结果选择 离子的 基态的一个塞曼能级作为基态,以亚稳态 的两个塞曼能级作为两个激发态来实现的,选择适当的参数如质心模的频率 ,拉比频率 以及Lamb-Dicke参数 ,计算出实现该方案所用的总时间为 ,该时间远小于亚稳态 的寿命 ,并且在这个方案里消相干是可以被忽略的。在目前的离子阱技术条件下,该方案是可以实现的。     

Silicide application on gated single-crystal, polycrystalline andamorphous silicon FEAs. II. Co silicide

For pt. I see ibid., vol.48, no.1, p.149-54 (Jan. 2001). For enhancement and stabilization of electron emission, Co silicides were formed from Co, Co/Ti and Ti/Co layers on silicon FEAs. Since Ti prevents oxygen adsorption on the Co film during silicidation, uniform and smooth Co silicide layers can be obtained by depositing Co first and then Ti on silicon tips, followed by rapid annealing. Among Co silicide FEAs, Co silicide formed from Ti/Co bi-layers shows the lowest leakage current, the highest failure voltage over 152 V and the largest anode current over 1 mA at the gate voltage of 150 V. Compared with silicon field emitters, the silicide FEAs formed from Ti/Co layers exhibited a significant improvement in maximum emission current, emission current fluctuation and stability, and failure voltage