快速测定镍硅铜合金中的镍、硅含量

介绍了原子吸收分光光度法分析镍硅铜合金中的镍，硅钼蓝光度法测定镍硅铜合金中的硅含量的方法，并对不同的溶样酸、不同空白液、不同分析方法进行了筛选。     

石墨在半导体行业中将取代硅

碳在元素周期表中的独特位置，为CNT带来许多令人难以置信的特性。它们比钢硬，但比铝轻。它们显示出了在RAM，MEMS（微电子机械系统）、传感器和显示器方面应用的潜力。它们有望首先提高存储器然后是逻辑电路的密度、功率和可靠性。     

石墨炉原子吸收法测定饮用水中钼的探讨

本文采用石墨炉原子吸收光谱法测定饮用水中的钼,对《生活饮用水标准检验方法》GB/T5750.6-2006(13.1)方法的参数进行优化,通过试验得出相对标准偏差为2.25%,回收率为96.6%~103.7%,结果较为理想,能达到饮用水分析要求。     

测量铜原子亚稳态密度的饱和吸收法

提出了测量连续脉冲放电余辉期激活粒子亚稳态密度的饱和吸收方法,在两台分别作为探测光源和吸收池的溴化亚铜激光器测量系统中得到证实。观察和讨论了D_(5/2)亚稳态能级布居在脉冲间隔的弛豫特性。     

大气中存放的多孔硅的红外吸收与光致发光的时间演化

以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大于与氢和与氟有关振动吸收的降低速率; 而其光致发光强度下降的速率则居于两者之间.     

石墨炉法测定考核粮食样品中铅含量

目的:建立石墨炉法测定考核粮食样品(编号:9#)中铅含量的分析方法,以加强疾控理化检验质量控制实验室间比对工作.方法:根据方法以《2014年江苏省食品污染物及有害因素风险监测工作手册》第四章、第二节元素类、一食品中铅测定的标准操作程序和GB5009.12-2010食品中铅的测定.结果:得出该法测定考核粮食样品中铅含量为0.098mg/kg扩展不确定度为0.007mg/kg(K=2);不确定度最主要的来源是样品中铅的含量、样品处理后的总体积及样品质量、绘制工作曲线中产生.     

深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护时间,在TMAH湿法腐蚀工艺条件下掩膜能够坚持6h,且成功实现了对硅280μm的深刻蚀。新工艺与IC工艺兼容,简单可靠,也能进行圆片级批量腐蚀。     

砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定

本工作系统地探索了各种腐蚀剂对砷化镓及锑化铟的腐蚀速度,建立了无火焰原子吸收法直接测定砷化镓体材料、砷化镓和锑化铟外延层中的碲.方法准确、快速,满足于材料工艺的要求.     

原子荧光光谱法测定地下水中的汞

采用原子荧光光谱法测定地下水中的汞,这种检测方法分析的速度较快、检测出的结果准确度高、精密度较高,具有高效、准确、快速、灵敏度高、干扰少、操作起来比较方便等优点。     

Motility of Metal Nanoparticles in Silicon and Induced Anisotropic Silicon Etching

The autonomous motion behavior of metal particles in Si, and the consequential anisotropic etching of silicon and production of Si nanostructures, in particular, Si nanowire arrays in oxidizing hydrofluoric acid solution, has been systematically investigated. It is found that the autonomous motion of metal particles (Ag and Au) in Si is highly uniform, yet directional and preferential along the [100] crystallographic orientation of Si, rather than always being normal to the silicon surface. An electrokinetic model has been formulated, which, for the first time, satisfactorily explains the microscopic dynamic origin of motility of metal particles in Si. According to this model, the power generated in the bipolar electrochemical reaction at a metal particle's surface can be directly converted into mechanical work to propel the tunneling motion of metal particles in Si. The mechanism of pore and wire formation and their dependence on the crystal orientation are discussed. These models not only provide fundamental interpretation of metal‐induced formation of pits, porous silicon, and silicon nanowires and nanopores, they also reveal that metal particles in the metal/Si system could work as a self‐propelled nanomotor. Significantly, it provides a facile approach to produce various Si nanostructures, especially ordered Si nanowire arrays from Si wafers of desired properties.     

非晶硅薄膜光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备非晶硅薄膜,测量了样品的光吸收系数及其波长区域范围.测得在最佳工艺条件下,非晶硅薄膜的光吸收系数随入射光波长增大而减小,随衬底温度升高而增大,随射频功率和反应气体流量的增大而减小,在700 nm附近的光吸收系数不低于1×103 cm-1,满足高性能液晶光阀对光电导层的性能要求.     

用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

提出了一种新的晶化方法——金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA)。该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤：第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2；第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si。通过用XRD、Raman与SEM测试，研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现，MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样，而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与e-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明，在ELA中，晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件，而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。     

多晶硅加热法评价金属互连线电迁移寿命

采用一种新颖的方法——多晶硅加热法评价了金属连线的电迁移（EM）寿命．用该方法得到的结果与传统封装测试法得到的结果进行了对比，两者有相当好的一致性．同时，测试时间不到封装测试的1‰．说明多晶硅加热法是一种非常有效的EM评价方法．由于该方法是晶片级测试，而且测试时间非常短，所以采用这种方法可以实现对金属互连线质量的在线实时监控．     

苯和甲苯差分吸收光谱方法的实验室测量研究

本文介绍了差分光学吸收光谱法(DOAS)测量大气污染气体浓度的基本原理。DOAS方法就是利用氙灯发出的紫外—可见光，经望远镜准直后再经过一段距离的传输，由望远镜来接收．在传输中，由于各种不同的分子在不同的波段对光有不同的吸收特征，使光谱具有了污染物的特征，再通过与光源发出的光进行比较，反演这些气体在大气中浓度．我们将DOAS方法应用在监测有机物上，在分析光谱的过程中，应用多项式拟合和最小二乘法，从而精确地从测量光谱中来反演出大气中污染气体的浓度．文中用DOAS方法测量了苯和甲苯的样品，并分析了结果，结果和理论吻合．可为环境中有机污染物监测提供可靠的方法。     

金属诱导非晶硅薄膜低温晶化

介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 ,并初步探讨了金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机理     

重掺硅中氧的测定

研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好的线性关系 ,为便于比较可将重掺硅在 GFA法下的测定结果转换为 FTIR法下的测定结果 ,还对影响 GFA法测定结果的样品制取、样品处理、测试参数选择等方面进行了探讨