ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展

概述了透明导电薄膜的分类及ITO薄膜的基本性质,综述了用于制备ITO薄膜的磁控溅射法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、化学气相沉积法,论述了不同制备方法的优缺点。最后,介绍了ITO薄膜的应用现状,并对ITO薄膜的发展趋势进行了展望。     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜研究进展

概述了近年来国内外溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ITO薄膜的研究状况,对Sol-Gel法制备ITO薄膜工艺做了简要介绍,重点讨论了Sol-Gel法制备ITO薄膜的溶胶体系,分析比较了有机醇盐、无机盐以及掺入ITO粉末方法体系的优缺点,最后讨论了甩膜法、提拉法及平铺法在Sol-Gel法制备ITO薄膜中镀膜的应用.指出Sol-Gel法是一种高效可行的制备ITO薄膜的方法,有着广阔的应用前景.     

AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展

概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展。详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。     

溶胶凝胶法制备ITO透明导电薄膜的工艺研究

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜.采用DTA-TG、XRD、sEM等测试手段对薄膜从凝胶态向结晶态转变过程及微区形貌特点进行了表征,并利用四探针电阻率仪考察了热处理温度、提拉速度、冷却速度、提拉次数等工艺条件对薄膜的导电性能的影响.结果表明:ITO干凝胶膜在600℃热处理温度下完全转化为结晶态,ITO薄膜具有由球形粒子堆积而成的多孔结构;热处理温度与冷却速度均会对ITO薄膜的导电率产生重要影响.     

FTO/ITO复层导电薄膜的研究

采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。     

镁合金微弧氧化-溶胶凝胶导电膜的制备及其性能研究

为了对镁合金表面微弧氧化陶瓷膜进行导电改性,采用溶胶-凝胶法在镁合金微孤氧化膜表面制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、盐雾试验、四探针测试仪等分析测试手段,研究了涂膜层数和退火温度对AZO薄膜的表面形貌、微观结构、耐蚀性和导电性的影响.结果 表明:所制备的导电薄膜由c轴择优取向的六角纤锌矿结构的晶体构成;随着涂膜层数和退火温度的增加,薄膜的方块电阻降低.制备的AZO薄膜自身的耐蚀性较差,并且增加涂膜层数并不能明显改善导电薄膜的耐蚀性.通过研究影响膜层耐蚀性的主要因素,为今后进一步优化工艺从而改善透明导电薄膜的耐蚀性奠定了基础.     

化学法制备掺铝氧化锌透明导电薄膜的研究进展

综述了掺铝氧化锌(ZAO)透明导薄膜的化学法制备技术、及应用前景,重点介绍了溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的热处理条件、溶胶浓度、陈化时间、加水量以及稳定剂种类和用量等方面对薄膜结构和性能的影响.     

银纳米线透明导电薄膜的制备及其性能优化

随着柔性光电子技术的不断发展,传统的脆性氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜材料已不能满足应用要求。银纳米线(Ag nanowires, AgNWs)透明导电薄膜因具有优异的导电性、透光性和机械性能,在柔性光电子器件中将具有广阔的应用前景。首先总结了AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺方法,包括迈耶尔棒涂法、喷涂法、卷对卷涂布法、真空抽滤法和印刷法等。然后,从提高AgNWs透明导电薄膜的光电性能、稳定性、机械性能和与基材的附着力4个方面出发,介绍了各种性能优化处理工艺。最后,展望了AgNWs透明导电薄膜制备及性能优化的未来发展方向。     

ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法

综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn~(4+)替代部分In~(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。     

ZnO半导体薄膜的研究进展

介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势.