α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３２％～３４％，氧含量为８％～６％，氯含量为０．１％左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在ＮＨ３气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３９％左右，氧含量为１％，氯含量为０．０１％，在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。     

α－Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

本文采用无定形氮化硅超细粉制备α-Si₃N₄晶须和晶柱,并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明:晶须生长时能否得到完整的晶体,与其生长温度有关,只有某一温度范围(1430℃±30℃)生长时,才能得到比较完整的晶体,晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性,晶须中会出现大量的缺陷,温度继续升高时,在晶须中又出现了晶粒,继而生长成晶柱。     

SiC晶须特性在SiCw／Si_3N_4复合材料中所起作用的研究

从ＳｉＣ晶须性能及晶须表面氧化层特性角度研究分析了ＳｉＣ晶须特性对其在Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷基体中补强、增韧行为的影响。结果表明，晶须的直径、长径比值正比于晶须补强、增韧Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷基体的能力。表面粗糙晶须对Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合材料的强度影响不大，却能显著地改善其韧性。晶须表面氧化层增厚，表面氧化硅从Ｓｉ－Ｏ单键形式转化成为ＳｉＯ＿２后，晶须在Ｓｉ＿３Ｎ＿４基体中的补强、增韧效果非但没有降低，还略有增加。     

La－Y－Si_3N_4陶瓷的高温性能

研究了Ｌａ－Ｙ—Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的高温力学性能、氧化行为和抗热震性．结果表明，晶界玻璃相对高温性能有重要影响，在室温～１３５０℃的范围内，随温度升高，Ｓｉ３Ｎ４的抗弯强度降低，断裂韧性增加；在１３００～１３５０℃的温度范围内，Ｓｉ３Ｎ４的氧化符合抛物线规律，氧化过程主要由晶界处添加剂离子和杂质离子的扩散过程控制，由于热应力导致裂纹的产生和扩展，使得热震后材料的性能降低     

Cu-Ni-Ti系合金钎料对Si_3N_4陶瓷自身及其与金属的连接研究

系统研究了Cu-Ni-Ti系合金钎料对Si3 N4陶瓷的润湿性 ,并使用不同形式的钎料进行了Si3 N4/Si3 N4的连接 .使用真空熔炼合金作为钎料 ,获得的Si3 N4/Si3 N4接头强度值并不理想 ,分析其原因 ,采用膏状钎料改善钎料成分的均匀性 ,并重新设计了四种成分的钎料 ,其中钎料Cu -Ni5～ 2 5 -Ti1 6～ 2 8-Br(B) / %对应的Si3 N4/Si3 N4接头强度最高 ,在 1 3 5 3K ,1 0min的真空钎焊条件下三点弯曲强度达 3 3 8.8MPa.制备了上述合金的急冷态钎料 ,使连接强度进一步提高至 40 2MPa,接头呈现较稳定的高温性能 .使用这种急冷态钎料还获得了室温及高温强度均较理想的Si3 N4/ 1 .2 5Cr-0 .5Mo钢接头 .     

Si_3N_4对PTC瓷料性能的影响

研究了 Si_3N_4掺杂 BaTiO_3基 PTC 瓷料的显微结构和性能。掺 Si_3N_4的瓷料中出现了大量特征的棒状晶体。Si 富集在棒状晶体中。与掺 SiO_2的瓷料比较,Si_3N_4掺杂的 PTC 瓷料显示了更多的优越性。     

Si_3N_4基陶瓷裂纹扩展过程的动态观察

Ｓｉ_３Ｎ_４基陶瓷裂纹扩展过程的动态观察倪国年，孙克淋，罗相成（北京理工大学）摘要＊发展了适用于Ｓｉ３Ｎ４陶瓷及其复合材料的裂纹扩展动态观察方法．利用缺口梁两端的限制性载荷，控制三点弯曲时裂纹的扩展速度，从而获得关于其过程的信息．对于热压烧结的Ｓｉ３...     

含Y_2O_3－La_2O_3添加剂自增韧Si_3N_4的显微结构和性能

本文研究了Ｙ２Ｏ３－Ｌａ２Ｏ３系统添加剂的加入量对自韧Ｓｉ３Ｎ４的显微结构和性能的影响规律。结果表明：在实验的添加剂量范围内，适量的添加剂能促使β－Ｓｉ３Ｎ４柱状晶生长，长径比增大，其强度和断裂韧性增加。     

颗粒级配对Si_(3)N_(4)w/Si_(3)N_(4)复合材料弯曲强度与介电性能的影响EI北大核心CSCD

为了获得一种弯曲和介电性能良好的氮化物陶瓷材料,本工作首先以氮化硅晶须(Si_(3)N_(4w))为原料,采用喷雾造粒工艺制备3种具有不同粒径分布的Si_(3)N_(4w)球形颗粒粉体,研究雾化盘转速对Si_(3)N_(4w)球形颗粒粉体粒径分布的影响。然后以喷雾造粒得到的Si_(3)N_(4w)球形颗粒为原料,采用干压法制备3种颗粒级配的Si_(3)N_(4w)预制体,研究颗粒级配Si_(3)N_(4w)预制体的孔径分布。采用化学气相渗透(CVI)和先驱体浸渍裂解(PIP)工艺在3种颗粒级配的Si_(3)N_(4w)预制体中进一步制备Si_(3)N_(4)基体,研究Si_(3)N_(4w)/Si_(3)N_(4)复合材料制备过程中的物相和微结构演变以及颗粒级配对Si_(3)N_(4w)/Si_(3)N_(4)复合材料的微结构、密度、弯曲强度和介电性能的影响。结果表明:3种颗粒级配的Si_(3)N_(4w)预制体均具有二级孔隙特征,其中小孔孔径均约为0.7μm,大孔孔径分别为45.2,30.1μm和21.3μm。在制备的3种颗粒级配的Si_(3)N_(4w)/Si_(3)N_(4)复合材料中,S13样品的颗粒级配效果最好,复合材料的弯曲强度达到81.59 MPa。此外,该样品的介电常数和介电损耗分别为5.08和0.018。良好的弯曲强度和介电性能表明制备的Si_(3)N_(4w)/Si_(3)N_(4)复合材料有望应用于导弹天线罩领域。     

SiC晶须与Si_3N_4颗粒强韧MoSi_2复合材料

采用湿法混合和热压工艺制备了不同Si3N4(p)和SiC(w)体积含量的MoSi2基复合材料,研究了复合材料的显微组织,晶粒大小,硬度、断裂韧性和抗弯强度.结果表明,复合材料的晶粒比纯MoSi2明显细化,且随着强化相添加量的增加而减小,抗弯强度和断裂韧性均大幅度提高,其中MoSi2-20%SiC(w)-20%Si3N4(p)复合材料具有较好的综合力学性能,断裂韧性和抗弯强度分别427 Mpa和10.4 Mpa·m1/2.复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化,韧化机制为细晶韧化和裂纹偏转与分支韧化.     

α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α-Si₃N₄晶须,晶须生长温度为1400～1450℃,恒温1～4h.讨论了在晶须生长过程中,不同的保护气氛对晶须质量的影响.当晶须在高纯N2气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为32%～34%,氧含量为8%～6%,氯含量为0.1%左右.这类晶须中存在着大量的缺陷.当晶须在NH3气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为39%左右,氧含量为1%,氯含量为0.01%,在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷.     

聚乙烯熔体流动速率与温度和负荷的关系

通过建立熔体流动速率（MFR）与负荷（W），熔体流动速率与温度（T）的数学关系，得到了在一定温度和负荷，MFR和T和W的数学模型：ln(MFR)W,T=A lnω＋B ln W/T C/T D，并以LDPE为原料进行了验证。通过对实验数据的拟合，求得A，B，C，D的值分别为0.37,560.5,-8832.65,7.63。MFR的计算值与实验结果基本相符。同时也验证了非牛顿指数（n）和粘流活化能（△Eη）的理论值与计算值，二者吻合较好。     

火灾温度与Q235钢晶粒度和硬度关系的研究

模拟典型火灾温度－时间曲线，对热轧的Q235钢钢筋进行受热处理，测定在不同火灾温度下Q235钢的晶粒度和硬度，给出了Q235钢的晶粒度和硬度与火灾温度之间的定量关系，提出了通过测定Q235钢晶粒度和硬度的大小来估算火场中不同部位的火灾温度的科学方法。     

丙烯酸酯类二元共聚物的玻璃化温度与组成的关系

考虑连接单元对单体单元玻璃化温度的影响对Fox方程进行了修正，用Tgilj表示不同连接情况下单体单元的1的Tg。经验证，这个改进方程能比较准确地解释丙烯酸酯类二元无规共聚物的Tg与组成的关系曲线的各种情况，同时计算结果表明两侧连接单元的侧链的长度，结构等因素对单体单元的Tg有很大的影响。丙烯酸酯类连接单元的侧链越短越紧凑，则丙烯酸酯类单元的玻璃化温度越高，反之亦然。同时对PMMA的玻璃化温度与其等规度之间的关系进行了解释。     

La—Y—Si3N4陶瓷的高温性能

研究了Ｌａ－Ｙ－Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的高温力学性能、氧化行为和抗热震性能。结果表明，晶界玻璃相对高温性能有重要影响，在室温￣１３５０℃的范围内，随温度升高，Ｓｉ３Ｎ４的抗弯强度降低，断裂韧性增加；在１３００￣１３５０℃的温度范围内，Ｓｉ３Ｎ４的氧化符合抛物线规律，氧化过程主要由晶界处添加剂离子和杂质离子的扩散过程控制，由于热应力导致裂纹的产生和扩展，使得热震后材料的性能降低。     

Co—Ti,Ti—Zr—Cu高温钎料在Si3N4陶瓷上润湿性与界面连接

设计了Ｃｏ－Ｔｉ，Ｔｉ－Ｚｒ－Ｃｕ两种高温钎料，进行了它们与Ｓｉ３Ｎ４表面的润湿性实验，利用ＸＲＤ分析钎焊合金与陶瓷界面，结果表明Ｃｏ－Ｔｉ合金中Ｔｉ以化合形态形式存在时，钎料不润湿Ｓｉ３Ｎ４陶瓷，钎焊合金与陶瓷间的办面连接强度与基体材料及界面反应产物密切相关。     

结晶高聚物的玻璃化转变温度与结晶参数的关系

根据等体积模型的经典的结晶理论,导出了玻璃化转变温度与结晶参数的关系。结果表明,不论采用那种结晶模型,T_s/T_m只与成核参数与结晶扩散活化能之比(ψR/E_d)有关。当高聚物的结晶过程用二次成核模型近似时,T_s/T_m可表示为T_s/T_m=1+2[a-(a+a)~(1/2)]和T_s/T_m=(1/3)[1+4(1+9a)~(1/2)cos((1/3)arccos((-1)/(1+9a)~(3/2)+240)]由高聚物的α(ψR/E_d)值用上式估算其T_g/T_m,发现与实验值有较好的近似性。