IGBT在开关应用领域全面挺进

绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。     

电磁感应加热新型谐振系统研究

LC并联谐振回路是目前电磁炉(电磁感应加热)单管方案常用的电路,也是电磁炉的核心电路,此电路是否可以进行优化改良,达到降低IGBT电压呢。本文是从变化谐振电路中谐振电容的位置入手,通过电路分析,仿真,实际测试验证等方式,确认通过改动谐振电容的位置,以及变化谐振电容的等效电容等产生新型谐振系统,新电路系统可有效降低IGBT(绝缘栅双极型晶体管,下同)电压25～150V。     

IGBT在电磁炉应用研究

本文先介绍IGBT在电磁炉的应用,分析电磁炉的各种控制电路,根据IGBT在电磁炉最普遍的应用方式,分析IGBT可能会出现故障的原因,提出IGBT在电磁炉应用过程中应注意的事项,提高IGBT的可靠性,从而达到提高电磁炉的安全可靠性的目的。     

600V单通道高压端驱动IC

AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC—Q100标准,可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程,而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰（V5）免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下发生损坏事件。     

再谈电磁炉IGBT管击穿检修方法

IGBT管是由BJT（双极性三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。BJT饱和压降低,载流密度大,因而被广泛应用于电磁炉电路中。在检修中发现．IGBT管损坏的比例比较高,为此,本文以半球19B型电磁炉为例,谈谈IGBT管击穿的检修方法。掌握维修方法,可以提高维修思路,减少损失．事半功倍。     

Avago扩展门驱动光电耦合器系列

Avago Technologies日前宣布推出绝缘性能领先业内的新门驱动光电耦合器产品、新推出的ACN＼i3130是一款采用500MilDIP-10封装,输出电流最高2．5A的门驱动光电耦合器．适合高达1700V／100A的IGBT驱动应用设计。     

混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A—IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路

本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。     

瑞萨电子高效能绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新品

瑞萨电子发表2款具备高效能之绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括600V50A的RJH60D5B与600V37A的RJH60D7B。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置,适用于例如电焊机、变频器、太阳能发电机的功率调节器（功率转换器）等处理高电压及大电流之设备。新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础,权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗,且提高短路耐受能力。新款IGBT的主要功能：降低饱和电压,D5B/D7B为1.6V,降低12%,以提供更优异的电源效率。     

大功率IGBT驱动模块2SD315的应用关键问题分析

针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点。以驱动800A／1200V的IGBT为例,给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路,并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形。     

大功率IGBT驱动模块25D315的应用关键问题分析

针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点。以驱动800A／1200V的IGBT为例,给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路,并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形。     

飞兆半导体光电藕合器提供同级最佳的抗嗓性能

2008年12月19日，飞兆半导体公司为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制光电耦合器解决方案，型号为FOD3120和FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2．5A和1A的栅极驱动光电耦合器，具有业界最高的CMR值，即使在最噪杂（干扰最恶劣）的工业环境中，也能够轻易驱动1200V／20A IGBT和MOSFET，而这种抗噪性能（高抗干扰性能）有助于（能够）防止可能导致击穿电流（短路电流）和IGBT损坏的不必要的开关（误动作）。     

浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计

针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击穿电压高于660 V,在导通电流20 A时,其饱和导通压降为1.7 V,相比于传统超结IGBT器件更低,关断能量为0.23 mJ,远低于传统超结IGBT器件的3.3 mJ,较低的导通压降和关断能量使得FP-SJ-IGBT器件的电流密度可达449 A/cm²。此外,在400 V直流母线电压下,FP-SJ-IGBT器件具有不低于10μs的短路时间。     

基于单脉冲试验的IGBT模型的电压应力测试分析

IGBT作为功率设备的核心器件,在电力电子工业领域应用广泛.为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响,本文搭建了实验样机(选用3代IGBT采用T型三电平拓扑,额定输出线电压315?V,电流230?A,设计输入电压范围500～1000?V),通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行...     

IGBT集成驱动电路的分析与选用

<正> 1、概述IGBT 是绝缘门极双极型晶体管的缩写。它将 MOSFET 和GTR 的优点集于一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动特点;又具有通态压降低,可以向高电压、大电流方向发展等综合优点,因此 IGBT 得到了普遍应用。驱动电路的结构和参数会对 IGBT 的运行性能产生显著影响,如开关时间、开关损耗、短路电流保护能力和抗 dv/dt 的能力等。     

基于2SD106的IGBT驱动电路设计与应用

IGBT驱动电路的关键是驱动保护电路设计，良好的驱动电路必须保证IGBT的开关损耗量尽可能小。在IGBT承受短路电流时，如能实现可靠关断，则可以保护IGBT。     

大功率IGBT驱动电路的设计

大功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）在现代雷达发射机,特别是全固态调制器、高压开关电源中得到广泛应用。其驱动电路要求驱动能力强、保护迅速有效。介绍了互感器触发方式的大功率IGBT驱动电路的设计。该电路具有输出电阻低、电流增益高等优点,并具备快速过流检测和保护功能,解决了IGBT高低电位隔离以及多个IGBT同步驱动问题。实验表明,该驱动电路不仅满足设计要求,而且工作稳定可靠,通用性强,可广泛应用于全固态调制器和高压开关电源。     

大功率IGBT驱动电路设计与应用

绝缘栅型双极性晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)作为电力变换装置的核心器件,它的可靠稳定工作直接影响着系统的性能,这对IGBT的驱动电路提出了很高的要求。针对500kW光伏逆变器,基于该逆变器的结构拓扑和IGBT型号,给出了一种IGBT驱动电路的设计方案,研究了驱动电路和保护电路的主要设计原理和注意问题。最后,结合实际应用,给出了该驱动电路的驱动波形和逆变交流侧电流波形,分析和讨论了该驱动电路设计的可靠性与合理性。     

IGBT集成驱动电路及其功率扩展

针对大容量IGBT的实际应用特点,介绍了EXB841,M57962,HL402,HCPL316J,2SD315A五种常用的集成专用驱动电路,分析了各自的工作原理和过电流保护动作过程,给出了多种适于驱动大容量IGBT的实用扩展电路。     

2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用

讨论了IGBT的驱动要求,并从结构特点到使用注意事项及应用实例等方面介绍了用于大功率IGBT驱动电路中的2SD315A模块.     

三相IGBT全桥隔离驱动电源设计

设计了一种基于电流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全桥隔离驱动电源。采用单端反激式结构,电压反馈与电流反馈组成双闭环串级结构。TL431a与PC817组成反馈网络,旁路掉UC3845内部误差放大器,反馈信号直接输入到内部误差放大器的输出端。提供4路相互隔离输出,每路均提供＋15V／-9V输出。该电源稳压效果好,负载调整率高,适合作为三相IGBT全桥隔离驱动电源。