DLC膜的制备 结构 性能研究

本文用rfPCVD方法,以甲苯为碳源气体,在硅、锗、玻璃、金属等基片上制备出DLC膜,并且用Raman光谱和红外吸收谱研究了膜的结构,还研究了膜的机械、光学、电学性能。     

离子束溅射淀积光学薄膜的膜厚均匀性实验

介绍了离子束溅射技术改善薄膜均匀性的两种方法。研究了修正板技术,根据工程需要将修正板技术应用于行星转动条件下的光学薄膜的均匀性修正。分别研究了靶摆动和不摆动的情况下,淀积薄膜的均匀性修正。实验结果表明,修正后的均匀性结果优于 1%,能满足实际应用的要求;靶摆动修正的均匀性结果优于修正板技术。     

离子束溅射沉积作用下聚四氟乙烯膜的制备和结构分析

本文首先利用离子束溅射聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜，进而研究了其结构。由ＸＰＳ的结果可知，所得薄膜主要由ＣＦ２结构组成；由ＦＴ－ＩＲ的结果可知，在１１６９ｃｍ＾－１和１０８３ｃｍ＾－１处出现了Ｃ－Ｆ的最强吸收峰，在７３４ｃｍ＾－１，６１９ｃｍ＾－１和５００ｃｍ＾－１处出现了聚四氟乙烯的特征吸收峰。ＸＰＳ和ＦＴ－ＩＲ的结果是一致的，所得薄膜呈现聚四氟乙烯的结构特征。     

类金刚石膜的性能及应用研究

研究了利用低能离子束技术，在单晶硅片等多种基体表面形成类金刚石薄膜（ＤＬＣ膜）的工艺，测试了其物理化学力学性能，在硅片，硅太阳电池和半导体等表面进行了形成类金刚石膜的应用研究。     

低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟

从分子动力学的观点出发，引入了吸附因子，建立了势壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型，在此进行计算机模拟。模拟结果与Ｒ．Ｓ．Ｒｏｓｌｅｒ的实验结果相似，该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。     

Ti合金化DLC膜的结构和力学性能

在一台увнипА－1型双激发源等离子弧薄膜沉积装置上制取Ti合金化DLC膜，用纳米硬度计、显微硬度计、原子力显微镜以及X射线衍射仪和光电子能谱仪等手段对薄膜的力学性能和结构进行了分析和测定。摩擦磨损试验在一台球－盘滑动磨损试验机上进行。比较了不同钛合金化程度的DLC膜及热处理前后的性能变化。结果表明，薄膜的力学性能与Ti含量有非单值关系，但摩擦系数随Ti含量增加而升高；热处理后薄膜显微硬度显著升高的原因是生成了碳化钛硬化相。     

离子束辅助沉积TiN薄膜的结构和成分

用离子束辅助沉积合成了TiN薄膜,背散射、X射线衍射和透射电镜实验的结果表明,在本实验条件下,薄膜Ti/N比接近于TiN的化学计量比,和氮离子束流密度无关。薄膜存在<100>择优取向,在一定条件下,可以形成只有(100)取向的TiN薄膜。     

磁控溅射防锈MoS2薄膜沉积工艺研究

介绍了磁控溅射制备防锈MoS2薄膜的沉积工艺,同时对影响膜层性能的几个因素进行了初步的探讨,并且制备了防锈性能优良的MoS2薄膜样品。     

反应磁控溅射沉积TixAlyNz热控薄膜研究

采用反应磁控溅射技术,以Ti和Al为溅射靶材料,Ar和N2为溅射气体,在Al基底上沉积TixAlyNz热控薄膜.优化制备薄膜的最佳实验条件.对薄膜进行XRD、XPS分析及热光学测试,研究了TixAlyNz薄膜的结构特点及热光学特性.结果表明,采用独立Ti、Al靶的磁控反应溅射制备的TixAlyNz热控薄膜,通过控制薄膜厚度与组成,在忽略飞行器内部热作用的条件下其平衡温度为34℃.     

直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜

采用直流反应磁控溅射法淀积ＺｒＮ薄膜，发现在晶向硅片上ＺｒＮ薄膜按晶向生长。控制生长工艺可以获得ＺｒＮ晶向的外延生长膜。     

直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜

采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．     

RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析

采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响。结果表明，合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量。     

离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（FED）的ZnO:Zn荧光薄膜,采极RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜,RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn,沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现多种结构。Hall检测发现,长高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度。说明过量Zn含量 的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善,在ZnO：Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位（Vo）充当了蓝/绿光的发光中心,薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复,成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同。     

离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性

对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜 AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使 Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了 AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。     

脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜

利用脉冲激光法在ＬａＡｌＯ３衬底上外延生长了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ、Ｌａ－Ｓｒ－Ｍｎ－Ｏ等巨磁电阻薄膜,测定了这些薄膜电阻－温度特性,观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应,实验发现,较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Ｔｐ降低,峰值电阻率增大,而高温后退火则具有相反的效果,分析比较了多种因素对薄膜生长与性能的影响及其机理。     

多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构

在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ＺｎＯ薄膜。用ＡＥＳ和ＸＲＤ对薄膜结构和组分进行测试,结果表明,五种基底上生长的ＺｎＯ薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的ｃ轴择优取向和较高的结晶度,而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积的薄膜。