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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
回顾了国内外在定向金属氧化法制备Al/Al2O3陶瓷基复合材料方面的研究成果,详细讨论了合金成分、外敷剂、温度和气氛以及预形体对其反应机理和显微结构的影响,指出了今后定向金属氧化法制备Al/Al2O3陶瓷材料的研究重点和发展方向.  相似文献   

2.
定向排布的晶须增韧陶瓷基复合材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
汪长安  黄勇 《材料导报》1995,9(6):59-64
在晶须增韧陶瓷基复合材料中,晶须定向排布有望提高晶须的增韧和补强效果,从而提高复合材料的力学性能。本文主要从晶须定向排布技术、晶须定向度的评价、晶须定向对复合材料的影响,以及今后的发展方向做一综述报导。  相似文献   

3.
概况由于高技术对材料的苛求,推动了新材料的发展。复合材料具有能发挥其组成原材料的协同作用,同时又有很大的材料设计自由度,因而具有良好的发展前景。用纤维来补强陶瓷很早就被人们所注意。在早期的工作中,就已经发现纤维加入到陶瓷可以补强和改善陶瓷的抗热震性能,  相似文献   

4.
填料辅助先驱体转化法制备陶瓷基复合材料的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
王超  朱冬梅  周万城  罗发  穆阳 《材料导报》2014,(17):145-150
先驱体转化法是一种比较成熟的制备陶瓷基复合材料的方法。填料在先驱体转化法制备陶瓷基复合材料的过程中起着重要作用。填料主要包括惰性填料和活性填料两种,阐述了两种填料的作用机理及选取原则,并对国内外填料的研究及发展现状进行了综述。最后对填料的发展趋势提出了自己的看法。  相似文献   

5.
马青松  陈朝辉 《材料工程》2007,(2):58-61,66
碳纳米管因其独特的结构而具有许多独特的性能,除了在半导体器件、储氢、传感器、吸附材料、电池电极、催化剂载体等领域具有非常广阔和诱人的应用前景外,碳纳米管在制备结构、功能以及结构/功能一体化复合材料方面也将大有作为.本研究对国内外碳纳米管增强陶瓷基复合材料的研究状况进行了综合分析,指出了存在的问题及以后的发展方向.  相似文献   

6.
陶瓷基复合材料的研究进展   总被引:8,自引:3,他引:5       下载免费PDF全文
本文对陶瓷基复合材料的发展和研究情况进行综述分析。主要内容有:陶瓷基复合材料的发展和应用前景;纤维材料,多种陶瓷基体材料的韧化研究;陶瓷基复合材料的制备加工技术;陶瓷增韧的力学机理和材料结构性能的研究情况。最后还就陶瓷基复合材料的进一步发展提出一些粗浅的看法。   相似文献   

7.
碳化硅(SiC)陶瓷具有脆性大、冲击韧性低、加工性能差等缺点大大限制了其应用范围.碳化物衍生碳(CDC)的比表面积高、纳米孔结构发达、孔径分布窄且精确可调,使碳化物衍生碳材料在摩擦自润滑、超级电容器、气体储存、催化剂载体等领域显示了独特的性能优势和广阔的应用前景.原位生长技术具有成本低、易操作、适合工业上批量化生产等优...  相似文献   

8.
Fe-Al/Al2O3陶瓷基复合材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
较系统地论述了Fe-Al/Al2O3陶瓷基复合材料的研究过程和应用开发前景,对所研材料的制备科学及材料强韧性机理等一并给予了阐述。  相似文献   

9.
制备工艺是调控石墨烯/陶瓷复合材料结构、优化其力学和热电等性能的关键.重点综述了石墨烯/陶瓷复合材料的粉末压坯烧结工艺和3D打印工艺及其研究进展.粉末压坯烧结工艺包括无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结和高频感应加热烧结等,具有工艺简单、材料性能好、制备参数易控制等优点,是石墨烯/陶瓷复合材料的主要制备工艺,用于制备致密的块体复合材料;主要3D打印工艺有直写成形、激光选区烧结、喷墨打印和立体光固化等,具有结构和形状可控的特点,是目前石墨烯/陶瓷复合材料的研究热点,用于成形复杂形状和特定性能的复合材料器件.另外,还简要介绍了原位生成法、碳热还原法等利用特定物理化学反应制备石墨烯/陶瓷复合材料的制备工艺,并综述了石墨烯在复合材料中的分散工艺.  相似文献   

10.
AlN陶瓷的薄膜金属化及其与金属的焊接研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

11.
铝合金直接氨化生长氮化铝反应机制研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
针对铝合金直接氮化生长AIN过程中的晶体生长过程进行分析,通过X-ray衍射和SEM观察,获得了不同生长阶段AIN晶体的生长特征,研究了铝合金直接氨化生长氮化铝的反应机制.提出了一种气-液-固-固)晶体生长机制,简称VLSS机制,并着重对VLSS机制的实现条件、实现过程以及与传统的VLS晶体生长机制的相同点和差异进行了讨论.  相似文献   

12.
Hybrid Ceramic Matrix/Metal Matrix Composite Gun Barrels   总被引:1,自引:0,他引:1  
Future Army gun systems will require lighter weight and significantly more erosion-resistant materials. One route to achieve this goal is via the development of ceramic matrix composite barrel liners with lightweight metal matrix composite jackets. Such materials systems are hybrids of a ceramic matrix composite/metal matrix composite (CMC/MMC), which can provide functionally graded properties. This paper will describe the materials system development, fabrication, and property validation testing of such a hybrid CMC/MMC for a 25-mm-bore, 915-mm-long, rifled barrel.  相似文献   

13.
铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在675~750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.  相似文献   

14.
分析了NH4Cl对Al粉直接氮化程度的促进作用,并采用实验的方法进行验证.实验中对NH4 Cl的含量比例进行优化,并通过XRD、SEM、XRF和EDS进行测试、分析和表征.结果表明,当铝粉与NH4Cl的质量比不同时,NH4Cl对Al粉直接氮化起到不同程度的促进作用,产物表现为不同的外观形貌、不同的含量及不尽相同的结晶情况.当Al粉与NH4Cl的质量比为9∶4时,反应产物氮化铝纳米线的含量比较多,且外观形貌最好,结晶情况最佳.最后,结合V-S机制对NH4Cl促进AlN纳米线的生长机理进行了解释.  相似文献   

15.
用电化学方法和腐蚀失重法研究了2024Al和SiCp/2024Al基复合材料在3.5%NaCl水溶液中的耐蚀性,用电化学交流阻抗技术对它们的硫酸阳极氧化膜的耐蚀性进行了研究。结果表明,SiCp/2024Al复合材料在3.5%NaCl水溶液中比相应的基体金属有较大的腐蚀敏感性。SiCp/2024Al的阳极氧化膜耐NaCl溶液腐蚀能力不如2024Al合金的阳极氧化膜,是氧化膜中SiC颗粒的存在破坏了氧化膜的完整性和均匀性。  相似文献   

16.
AlN陶瓷研究新进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
AlN陶瓷在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能 ,可广泛应用于电子、冶金、机械、国防等领域。随着人们对AlN陶瓷研究的深入 ,它变得越来越重要。本文详细地综述了近年来AlN陶瓷在晶体缺陷、导热机理、粉末的制备及其水解和氧化、烧结及其应用等领域的研究进展 ,并展望了AlN未来的发展趋势。  相似文献   

17.
直接氮化法制备氮化铝纳米线   总被引:1,自引:0,他引:1  
在氮、氢混合气气流中(氢气10%,体积比),以铝和氯化铵混合粉体为原料,在水平管式炉中采用直接氮化法合成了氮化铝纳米线。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对纳米线的形貌和结构进行了检测与分析;研究了铝和氯化铵的比例(质量比)、反应温度、升温速度等因素对生成物的种类、形貌和氮化铝纳米线产量的影响。研究发现,所获得的AlN纳米线为单晶六方纤锌矿结构,表面不光滑且有非晶层,而AlN纳米线依照Vapor-Solid(VS,气-固)生长机制生长。获得了较为优化的制备氮化铝纳米线的工艺条件,利用VS生长机制和气相过饱和度概念对上述影响氮化铝纳米线生长的条件进行了初步的机理分析。  相似文献   

18.
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层.高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4.研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长.  相似文献   

19.
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