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Ba(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜的结构及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了锆钛酸钡[Ba(Zr0.3Ti0.7)O3,BZT]薄膜.相结构及介电性能研究表明:衬底和薄膜厚度对BZT薄膜性能具有显著影响.制备在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BZT薄膜具有(100)面的择优取向,其介电常数及介电损耗则随着薄膜厚度的增加而降低.对制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BZT薄膜,在薄膜厚度低于500nm时,其介电常数随薄膜厚度增加而增加,大于500nm时又有所减小. 相似文献
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掺杂Mg2+对钛酸锶薄膜氧敏性能及电阻温度系数的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料。在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子,形成SrTil-xMgxO3薄膜,其中Mg的含量,即x值分别为0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.30。镁在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。测试不同氧分压(0~10^5Pa)、温度(600~800℃)下薄膜的电阻。发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体。并且当x值(镁的含晨)在0.10~0.15之间、较低氧分压下,薄膜的电阻温度系数接近零。此外,还从缺陷化学反应角度讨论了此现象出现的原因。 相似文献
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WO3薄膜材料的气敏性能 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。 相似文献
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LaNiO_3薄膜的制备及其氧敏特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文以La(NO_3)_3·6H_2O和Ni(NO_3)_2·6H_2O为配位前驱体,采用柠檬酸为螯合剂,利用溶胶-凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物LaNiO_3薄膜,研究了薄膜的氧敏特性及烧结温度对薄膜氧敏特性的影响。 相似文献